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碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料,不仅禁带宽度较大,还兼具热导率高、饱和电子漂移速率高、抗辐射性能强、热稳定性和化学稳定性好等优良特性,在高温、高频、高功率电力电子器件和射频器件中有很好的应用潜力。高质量、大尺寸、低成本SiC单晶衬底的制备是实现SiC器件大规模应用的前提。受技术与工艺水平限制,目前SiC单晶衬底供应仍面临缺陷密度高、成品率低和成本高等问题。高温溶液生长(high temperature solution growth, HTSG)法生长SiC单晶具有晶体结晶质量高、易扩径、易实现p型掺杂等独特的优势,有望成为大规模量产SiC单晶的主要方法之一,目前该方法的主流技术模式是顶部籽晶溶液生长(top seeded solution growth, TSSG)法。本文首先回顾总结了TSSG法生长SiC单晶的发展历程,接着介绍和分析了该方法的基本原理和生长过程,然后从晶体生长热力学和动力学两方面总结了该方法的研究进展,并归纳了该方法的优势,最后分析了TSSG法生长SiC单晶技术在未来的研究重点和发展方向。 相似文献
342.
对布谷鸟搜索算法的Lévy飞行机制进行简化,利用混沌算法改进种群初始化,并按适应度值进行排序,参考蛙跳算法对排在末位的若干个鸟巢进行随机变异,提出一种基于混沌算法的改进布谷鸟搜索算法.通过测试函数验证,并与其他算法进行比较,该算法显示出更好的搜索性能和精度,将其应用于水电站经济调度问题,与传统算法相比,效果更好. 相似文献
343.
344.
运用密度泛函理论研究了B_2-AgMg金属间化合物中Mg原子空位,反位和Al原子空位,反位缺陷对AgMg热力学性能的影响.结果表明:Mg和Ag反位缺陷由于与周围原子形成典型的共价键而更易于形成.这四种缺陷的出现,破坏了晶体的有序结构,导致了B_2-AgMg金属间化合物的硬度,脆性以及德拜温度出现了不同程度的降低. 相似文献
345.
利用光学成像系统观察到了磁旋转弧等离子体实验中的电弧电压突变现象,电弧电压突变的范围约在40~100V之间。实验结果表明,电弧电压的变化与电弧弧长的变化密切相关。 相似文献
346.
浓度是表征溶液性质的重要物理参数之一。本文设计了一种基于旋转比色皿结合迈克尔逊干涉仪的浓度/折射率在线测量系统。将液体加入比色皿并旋转5°,利用CCD采集光强数据和自编的计数程序,可实时测量旋转前后干涉条纹移动数目之差,并由此计算NaCl和葡萄糖溶液的折射率和浓度。对质量百分比浓度为0、10%和20%的NaCl溶液进行了折射率测量和误差分析,发现与相关理论值的相对误差仅为0.61%、0.63%和2.2%。葡萄糖溶液的浓度—折射率关系曲线也呈现出线性良好、可靠性高的特点。总之,基于迈克尔逊干涉仪的浓度/折射率在线测量系统具有测量非接触、结果可靠、高效实用的特点。 相似文献
347.
Ab initio molecular dynamics calculations have been carried out to search for the ground state structure of FenTi13-nclusters and measure the thermal expansion of FenTi13-n.The volume of FenTi13-n clusters during thermal expansion is jointly determined by anharmonic interaction and magneto-volume effect.It has been found that Fe6Ti7,Fe9Ti4,Fe11Ti2,and Fe13 相似文献
348.
349.
350.