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141.
采用一步银铜双原子金属辅助化学腐蚀法,室温下在多晶硅表面制备纳米陷光结构,再利用纳米结构修正溶液在温度为50℃时对硅片进行各向异性重构,可控制备出不同尺寸的倒金字塔陷光结构.用分光光度计测量了多晶硅表面的反射率,用扫描电镜观察了多晶硅表面形貌,用少子寿命测试仪测量了多晶硅钝化后的少子寿命.结果表明:影响倒金字塔结构尺寸的主要影响因素是制备态黑硅纳米结构的深度,当深度越深,最终形成的结构尺寸也越大;纳米结构修正溶液重构时间越长,所形成的倒金字塔结构尺寸越大,反射率也变大;经原子层沉积钝化后的倒金字塔结构中少子寿命随其尺寸的增大而增加;当倒金字塔边长为600nm时综合效果最佳,反射率为9.87%,少子寿命为37.82μs. 相似文献
142.
本文报导应用等色干涉原理测定单层镀膜层光学厚度的方法及测量结果分析。此方法无需破坏待测薄膜,测量简便、准确。 相似文献
143.
过渡金属硫族化合物由于其具有独特的结构和性质,在光电子学、纳米电子学、储能器件、电催化等领域具有广泛的应用前景,是一类被持续关注的代表性二维层状材料.在材料应用过程中,对材料掺杂特性的调控会极大地改变器件的响应性能.因而,对利用掺杂手段调控过渡金属硫族化合物器件响应性能的研究具有重要的意义.电化学离子插层方法的发展为二维材料的掺杂调控提供了新的手段.本文以WS2为例,采用电化学离子插层方法对厚层WS2的掺杂特性进行优化,观察到离子插入后器件电导率的显著增强(约200倍),以及栅压对器件光电响应性能的有效且可逆的调控.本文通过栅压控制离子插层的方法实现对WS2器件光电响应的可逆可循环调节,为利用离子插层方法调控二维材料光电器件响应性能研究提供了实验基础. 相似文献
144.
Ac susceptibility at low temperatures of Pr0.75Na0.25Mn1-xFexO3 (0 ≤ x ≤ 0.30) is investigated. The peak value of the real component of ac susceptibility χ' at the freezing temperature Tf is suppressed with the increasing frequency. The peak value of χ' shows a linear relation between Tf and the logarithm of the frequency ω. The normalized slope P = ΔTf/TfΔlgω, which is much lower than canonical insulating spin glass systems in which 0.06 ≤ P ≤ 0.08. The peak value of the imaginary component of the ac susceptibility χ' at Tf for the x = 0, 0.02, 0.30 samples increases with increasing frequency, suggesting a cluster glass ground state with a coexistence of charge-ordered phase and correlated ferromagnetic clusters in spin glass matrix. The peak value of χ' at Tf for the x = 0.10 sample decreases with increasing frequency, suggesting a phase separation ground state. The peak value of χ' at Tf for the x = 0.05 sample decreases with increasing frequency for ω ≤ 52 Hz and increases subsequently till 701 Hz, and then decreases with further increasing frequency for ω ≥ 1501 Hz. This complex behaviour is ascribed to the competition between the effects of large and little ferromagnetic clusters in the sample. The ground state of x = 0.05 sample is a transition state from cluster glass to phase separation. 相似文献
145.
146.
生物芯片表面氨基密度检测及稳定性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
用不同氨基硅氧烷试剂在石英或玻璃片基表面上进行氨基化反应,将氨基化片基与芳香醛反应生成亚胺,再将亚胺水解在已知体积的乙酸水溶液中,得到相应的芳香醛溶液,利用UV-vis光谱检测其吸光度。这样,在水解液中检测到的醛的数量等于片基表面生成的亚胺的数量。由已知的水解液体积和片基表面积可以计算出片基表面氨基的相对密度。因9-蒽醛具有较大的摩尔消光系数(262 nm,6.36×107cm2/mol,0.8%CH3COOH aq.),所以,可以明显提高生物芯片表面氨基密度检测的灵敏度。实验还研究了各种氨基化试剂组装成膜的最佳反应条件及其在去离子水、酸性及碱性水溶液中的稳定性,结果表明:氨基化片基在去离子水中有很好的稳定性。 相似文献
147.
148.
本文研究了纳米相和体相多晶样品La5/6Na1/6Mn0.90Fe0.10O3的结构、磁性和输运性质.XRD谱图表明两样品都是单相的钙钛矿结构.随着晶粒尺寸的减小晶粒表面处的自旋无序增多,使居里温度降低,同时使自旋相关电子在晶界处的散射增强,提高了材料电阻率.纳米粒子的尺寸效应提高了材料的低场磁电阻;晶粒表面自旋无序的增多使电子在晶粒表面的二阶隧道效应增强,提高了高场磁电阻效应.零场电阻率的拟合结果也表明晶粒尺寸的减小使自旋无序增加. 相似文献
149.
150.