超电容器用电极材料氮化钼的改性研究(Ⅰ)——钒酸氨添加物对电极性能的影响

应用XRD、SEM和循环伏安等方法对γ-氮化钼及其复合电极进行了表征和测量，研究了浸渍液中钒酸铵浓度对成膜物质的表面形貌、结晶形态和电容的影响，结果表明：添加钒酸铵导致成膜物质中生成四方晶系的VOMoO4，这对氮化钼电极的电容特性有重要影响，其影响机理为VOMoO4改变了成膜物质的结晶形态和结构，导致氮化钼的部分非晶化，循环伏安测试显示了氮化钼电极具有良好的电容特性。掺钒之后，电极的工作电热范围拓宽，比电容加大；浸渍液中钒钼最佳摩尔比为35：65。     

关于图的强协调值

引言文[1]中,D.Frank Hsu引入了强协调标号(strongly harmonious labelings)的定义:设G是一个n边图,如果存在一个映射φ:V(G)→{0,1,…,n}满足i)φ是单射; ii)Auv∈E(G),令φ(uv)=φ(u)+φ(u),有{φ(uv)|uv∈E(G)}={1,2,…,n},则称G为强协调的,φ为它的一个强协调标号,简称为强协调值。显然,φ导出了一个E(G)与{1,2,…,n)的一一对应。本文的目的,一是求出全体n条边的图的所有强协调值的个数;二是指出几类非强协     

由de Bruijn—Good图的1—因子构成的超立方体图

二元η级 de Bruijn-Good 图 G_n 在非线性移位寄存器的设计方面有着广泛的应用.它的每一个1-因子就是一个 n 级非奇异侈位寄存器.因而,研究由 G_n 的1-因子形成的图 M(G_n)具有实际的应用背景。本文给出了由 G_n 的1-因子形成的图 M(G_n)的构造,得到 M(G_n)同构于2~(n-5)-维的起立方体图,并由此给出一种方法去求得一切非奇异的移位寄存器,而且将它们排列在 M(G_n)的一个 Hamilton圈上.     

化学自催化混沌反应模型中的耦合作用与混沌同步

选用混沌自催化反应作为子系统 ,构造了耦合自催化反应系统 ,研究了耦合变量、耦合系数对混沌动力学行为的影响 ,给出了不同耦合系数下系统的动力学特征 ,探讨了耦合作用机制 .结果表明 ,耦合作用能明显地改变子系统的动力学行为 ,强化系统间的相关性 .耦合后的混沌运动受到调整与抑制 ,耦合强度加大时 ,呈现出混沌运动轨线的周期化 ,耦合系数大于临界值 ,两子系统实现了完全的同步 .不同变量的耦合时 ,影响最大的是第二种变量 .对于三种物质均有耦合时 ,更容易出现混沌的抑制、运动状态的锁相与周期化和混沌的完全同步 .