解读纳滤:一种具有纳米尺度效应的分子分离操作

纳滤膜是20世纪80年代末期发展起来的一种广泛用于液体分离的新型分离膜。早期研究中,先后提出的基于筛分效应的细孔模型,基于静电效应的电荷模型,以及同时考虑上述两种效应的静电位阻模型和道南位阻模型等为人们更好地理解纳滤膜分离机理和指导纳滤膜过程应用发挥了十分重要的作用。然而由于这些具有“疏松型反渗透膜”特点的纳滤膜没有相应的膜性能预测评价软件,使得针对具体应用过程的纳滤膜的大规模标准化应用受到了一定的制约。为此,结合上述模型,根据一些特定实验拟合确定混合盐体系同号离子间的竞争作用和异号离子间的调节作用,提出了一个适于混合盐体系的纳滤膜分离性能评价模型,促进了纳滤膜技术在水处理过程的大规模推广。最近,根据纳滤膜对离子选择性分离性能及其伴随的动电性质的细致而深入的实验研究,发现仅考虑筛分效应和静电效应并不能完全合理地解释纳滤膜的分离性能,且在动电性质的解析上也存在一定缺陷,进而对纳滤膜纳米级孔径引起的特殊效应和溶液体系中复杂相互作用引起的荷电性质变化有了更为深刻的认识和理解,提出并定量分析了离子透过纳滤膜时存在的介电排斥效应。     

Hindmarsh-Rose神经元阵列自发产生螺旋波的研究

采用Hindmarsh-Rose(HR)神经元模型,研究了二维神经元阵列系统从一个具有随机相位分布的初态演化最终是否能自发产生螺旋波的问题.数值结果表明:系统是否出现螺旋波与单个HR神经元的状态、系统的初态和耦合强度有关,其中单个HR神经元的振荡状态起主要作用.当单个HR神经元处于一周期振荡态时,在一定的耦合强度范围内系统都会自发出现多个螺旋波和螺旋波对,出现螺旋波与系统初态无关,只要适当选择耦合强度,在系统中可以出现单个螺旋波.当耦合强度超过某一阈值后,继续增加耦合强度,系统会呈现三种不同的动力学行为,分别与三类初态有关.系统从第一类初态演化将偶尔出现单个螺旋波,系统从第二类和第三类初态演化将分别出现间歇性全局同步振荡和振荡死亡.当单个神经元处于二周期态时,只有当系统神经元的初相位比较均匀分布时,系统才能自发出现螺旋波,而且出现螺旋波的耦合强度范围大为减少.当神经元处于更高的周期态时,系统一般不容易自发出现螺旋波.这些结果有助于人们了解大脑皮层自发产生螺旋波的机制.     

成本不确定时企业技术创新联盟中的策略承诺分析

技术创新日益受到重视,特别是跨产业合作已成为企业突破自身资源困境的有效途径之一。为了避免可能的投机行为,成员企业往往做出事前承诺。然而如何承诺才能有效避免伙伴投机,进而提高合作绩效？本文将据此考察上游成本和联合创新水平不确定时的策略承诺,并分析承诺对合作创新行动的影响。本文提出状态依赖承诺的概念,并通过研究发现策略承诺能够降低不确定性所带来不利影响,刺激创新投入,并提高合作绩效——特别是对上游的激励作用更强。本文从理论上指出策略承诺在合作创新中的积极作用,特别是对供应商参与新产品研发的重要激励作用。     

激光能量注入控制Ⅳ型激波干扰的数值研究

激光能量注入可以控制Ⅳ型激波干扰,有效地减小钝头体压力载荷。基于有限体积法和分区结构网格划分的高分辨率数值方法,在来流马赫数为3.45的条件下,计算了单脉冲激光能量注入和连续激光能量注入对Ⅳ型激波干扰的影响。研究结果表明:单脉冲激光能量注入后一个较短时期内(50~60μs),钝头体表面压力突然升高,随后压力有一个较为明显的下降过程,然后恢复原状态;当注入的连续激光能量较小时,钝头体表面压力略微增大,随着注入能量增大,钝头体表面压力峰值减小;在注入能量到一定程度时,钝头体表面压力峰值减小已不明显。     

A study of GaN MOSFETs with atomic-layer-deposited Al2O3 as the gate dielectric

Accumulation-type GaN metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) with atomic-layer-deposited Al₂O₃ gate dielectrics are fabricated. The device, with atomic-layer-deposited Al₂O₃ as the gate dielectric, presents a drain current of 260 mA/mm and a broad maximum transconductance of 34 mS/mm, which are better than those reported previously with Al₂O₃ as the gate dielectric. Furthermore, the device shows negligible current collapse in a wide range of bias voltages, owing to the effective passivation of the GaN surface by the Al₂O₃ film. The gate drain breakdown voltage is found to be about 59.5 V, and in addition the channel mobility of the n-GaN layer is about 380 cm²/Vs, which is consistent with the Hall result, and it is not degraded by atomic-layer-deposition Al₂O₃ growth and device fabrication.     

Performance of La2O3/InAlN/GaN metal—oxide—semiconductor high electron mobility transistors

We report on the performance of La2O3/InAlN/GaN metal-oxide-semiconductor high electron mobility transistors(MOSHEMTs) and InAlN/GaN high electron mobility transistors(HEMTs).The MOSHEMT presents a maximum drain current of 961 mA/mm at Vgs = 4 V and a maximum transconductance of 130 mS/mm compared with 710 mA/mm at Vgs = 1 V and 131 mS/mm for the HEMT device,while the gate leakage current in the reverse direction could be reduced by four orders of magnitude.Compared with the HEMT device of a similar geometry,MOSHEMT presents a large gate voltage swing and negligible current collapse.     

乙酸铵催化的酚与多聚甲醛的甲酰化反应研究

在乙酸铵作为催化剂的条件下,萘酚和多聚甲醛在醋酸溶液中反应,成功合成了一系列羟基萘甲醛,收率最高达86％.将该方法应用于苯酚及取代苯酚的甲酰化反应,以42％～58％的中等收率得到水杨醛类化合物.根据反应结果提出了可能的作用机理.该方法不使用任何金属试剂,具有反应条件温和、操作简单及成本低廉的特点.     

聚合物气体辅助注射成型制品的形态结构

作为一种由常规注射成型发展起来的聚合物加工技术,气体辅助注射成型具有节约原材料、缩短成型周期以及提高制品性能等优点,已得到广泛的应用.由于气辅成型过程是一个在刚、柔双重约束界面条件下进行的多相复杂体系的多次流动过程,因而其形态结构的形成、发展和演化要远比常规注塑成型复杂.然而在气辅成型的形态结构方面,国内外的研究一直以来开展得较少.近年来,作者在聚合物及其共混物、复合材料气辅成型制品的形态结构方面已开展了广泛的研究工作,本文对这些工作和一些重要结果作了总结,并简要分析了成型过程中剪切场对形态演化的影响,最后对该研究方向的发展趋势作了展望.     

敏感电阻在生物生长培养环境中的应用

基于湿敏、热敏、光敏电阻实现对湿度温度和光照的控制,能适用于温度湿度光照变化范围较大或较为剧烈的环境。利用敏感电阻对环境条件敏感的特性,将环境中的信息转化为模拟信号,通过单片机处理得到环境中湿度、温度以及光照数据。对比设定阈值,设计电路通过固态继电器选择性驱动除/加湿设备和温控光照设备工作。此系统可应用于温室养殖、大棚与实验室培养等场所,为生物提供适宜可控的生长培养环境。     

共振光散射光谱法测定异烟肼的含量

在10mL比色管中,加入5.00×10-4 mol·L-1三氯化铁溶液0.60mL和适量的异烟肼样品溶液,微波加热2min,冷却至室温后依次加入5.00×10-3 mol·L-1碘化钾溶液1.00mL、1.00×10-4 mol·L-1十六烷基三甲基溴化铵溶液0.30mL,用水稀释至10mL,静置20min后于荧光分光光度计上,在激发波长和发射波长均为275nm处测量溶液的散射强度I,同时测量空白溶液的散射强度I0,计算ΔI=I0-I。异烟肼的质量浓度在0.050~0.25mg·L-1内与ΔI呈线性关系,检出限(3s/k)为0.015mg·L-1。方法应用于异烟肼片的分析,测定值与标示量相符,测定值的相对标准偏差(n=6)小于2.0%。