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181.
182.
本研究以麦草为原料,以三乙胺和一氯乙酸分别为氨基和羧基官能团接枝反应剂,制备秸秆基两性吸附剂。并以产品对Cu(II)和Cr(VI)的去除效果为指标,分别考察了合成过程中单一影响因素,并结合正交实验得出最佳改性条件。实验结果表明,一氯乙酸投加量是影响两性秸秆改性效果的主要因素,温度的影响最小;最佳改性条件为:当固定阳离子型麦草秸秆投加量为6.69g时,氢氧化钠投加量、一氯乙酸投加量、反应温度、反应时间分别为5mL,3.402g,60℃,2.5h。该吸附剂对Cu(II)和Cr(VI)的最大吸附量可达到90.9 mg•g-1 和241.1 mg•g-1。 相似文献
183.
将具有肿瘤靶向性的磺胺嘧啶(SD)、二乙三胺五乙酸(DTPA)与葡聚糖(dextran)大分子侧链羟基偶联,合成葡聚糖大分子配体(SD-Dextran-DTPA),再与金属钆离子Gd3+配合,从而制备肿瘤靶向性葡聚糖大分子钆配合物(SD-Dextran-DTPA-Gd).对所合成的配体及钆配合物进行FTIR、UV和1H-NMR等结构表征,测试了配体及钆配合物在水溶液中的粒径分布和zeta电位、钆配合物的体外弛豫率、细胞摄取与T1加权磁共振成像性能.与小分子钆-二乙三胺五乙酸(Gd-DTPA)相比,SD-Dextran-DTPA-Gd具有较高的弛豫率,对肺癌细胞系H460、乳腺癌细胞系MDA-MB-231和T40D均有较好的亲和性,可被肿瘤细胞较好地摄取,并能获得较好的肿瘤细胞磁共振成像. 相似文献
184.
Performance of La<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/InAlN/GaN metal-oxide-semiconductor high electron mobility transistors 下载免费PDF全文
We report on the performance of La2O3/InAlN/GaN metal-oxide-semiconductor high electron mobility transistors(MOSHEMTs) and InAlN/GaN high electron mobility transistors(HEMTs).The MOSHEMT presents a maximum drain current of 961 mA/mm at Vgs = 4 V and a maximum transconductance of 130 mS/mm compared with 710 mA/mm at Vgs = 1 V and 131 mS/mm for the HEMT device,while the gate leakage current in the reverse direction could be reduced by four orders of magnitude.Compared with the HEMT device of a similar geometry,MOSHEMT presents a large gate voltage swing and negligible current collapse. 相似文献
185.
Accumulation-type GaN metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) with atomic-layerdeposited Al2O3 gate dielectrics are fabricated.The device,with atomic-layer-deposited Al2O3 as the gate dielectric,presents a drain current of 260 mA/mm and a broad maximum transconductance of 34 mS/mm,which are better than those reported previously with Al2O3 as the gate dielectric.Furthermore,the device shows negligible current collapse in a wide range of bias voltages,owing to the effective passivation of the GaN surface by the Al2O3 film.The gate drain breakdown voltage is found to be about 59.5 V,and in addition the channel mobility of the n-GaN layer is about 380 cm2 /Vs,which is consistent with the Hall result,and it is not degraded by atomic-layer-deposition Al2O3 growth and device fabrication. 相似文献
186.
187.
<美国数学月刊>2004年1月问题11057[1]为: 设x,y,z为实数,矩形ABCD内部有一点P,满足PA=x,PB=y,PC=z,求矩形面积的最大值. 文[2]试图给出上述问题的解答,但解答有误.郭要红老师等在文[3]中指出了文[2]错误的原因,并给出了上述问题的一个微分解法. 相似文献
188.
围绕减小碎片靶面上光斑尺寸从而提高靶面光强的问题,采用解析方法研究了部分相干脉冲光(PCLP)在非均匀大气中的准稳态自聚焦效应对空间靶面光束质量的影响。推导出了PCLP从地面上行大气传输至空间轨道的束宽、曲率半径和实际焦距的解析表达式。研究表明,准稳态自聚焦效应会导致焦移,从而导致靶面光斑尺寸增大。指出采用准稳态和稳态修正焦距方法可以有效抑制准稳态自聚焦效应,从而减小碎片靶面光斑尺寸。推导出了PCLP的准稳态和稳态修正焦距的解析表达式,并给出了其适用条件。研究发现,采用准稳态修正方法能获得比稳态修正方法更小的靶面光斑尺寸,但稳态修正方法更易实现。 相似文献
189.
本文提出求解一类复线性系统的局部HSS (LHSS)迭代方法.讨论迭代方法的收敛性,分析了最优迭代参数的选取.结合最优控制问题验证LHSS迭代方法的理论结果,并从迭代次数和计算时间上证明新方法的可行性和有效性. 相似文献
190.