Security analysis of continuous-variable quantum key distribution scheme

In this paper security of the quantum key distribution scheme using correlations of continuous variable Einstein--Podolsky--Rosen (EPR) pairs is investigated. A new approach for calculating the secret information rate Δ I is proposed by using the Shannon information theory. Employing an available parameter F which is associated with the entanglement of the EPR pairs, one can detect easily the eavesdropping. Results show that the proposed scheme is secure against individual beam splitter attack strategy with a proper squeeze parameter.     

基础·能力整合·创新传承·引领——2007年粤琼鲁宁4省区高考化学试题评析

2004年首批进入高中新课程改革实验的广东、海南、山东、宁夏4省区(以下简称4省区)今年举行了新课程改革后的首次高考,引起社会的广泛关注。因为这不仅事关4省区,而且很大程度上预示着后续进入新课程改革的其他省市区高考的走向。基于此,讨论和研究4省区的高考试题就显得非常必     

用低温正电子湮没寿命谱研究NaY,USY及γ-Al2O3的表面结构

以20～300K的低温正电子湮没寿命谱学方法研究了NaY沸石、USY沸石及多孔γ-Al2O3的表面结构.实验分别测量了脱水后三样品的低温正电子湮没寿命谱,其中NaY,USY用5个寿命分量分解,γ-Al2O3用4个寿命分量分解.实验结果表明,较短的寿命分量与测量温度无关,而最长的寿命分量(约40ns)则与测量温度有关,不同的寿命温度相关性表明NaY的表面结构与γ-Al2O3的不同.     

Effect of thickness on the microstructure of GaN films on Al2O3 (0001) by laser molecular beam epitaxy

Heteroepitaxial GaN films are grown on sapphire (0001) substrates using laser molecular beam epitaxy. The growth processes are in-situ monitored by reflection high energy electron diffraction. It is revealed that the growth mode of GaN transformed from three-dimensional (3D) island mode to two-dimensional (2D) layer-by-layer mode with the increase of thickness. This paper investigates the interfacial strain relaxation of GaN films by analysing their diffraction patterns. Calculation shows that the strain is completely relaxed when the thickness reaches 15 nm. The surface morphology evolution indicates that island merging and reduction of the island-edge barrier provide an effective way to make GaN films follow a 2D layer-by-layer growth mode. The 110-nm GaN films with a 2D growth mode have smooth regular hexagonal shapes. The X-ray diffraction indicates that thickness has a significant effect on the crystallized quality of GaN thin films.     

氮化铂在高压下的相变及弹性性质的第一原理计算

用PBE形式下的广义梯度近似（GGA）赝势平面波方法研究了氮化铂的结构相变以及弹性性质,计算了氮化铂的氯化钠（B1）、氯化铯（B2）、闪锌矿（B3）、纤维矿（B4）等四种结构并应用高压下的焓与压强的关系,得出在常温常压下B4结构是最稳定的结构,这与Yu 等人得的结果一致,且 B4→B1及B1→B2的相变压强分别发生在36.7 GPa和 185.4 GPa,同时,研究了B4结构在高压的弹性性质,发现弹性常数、体模量、剪切模量、压缩波速、剪切波速以及德拜温度均随着压强的增大而单调增大     

光敏电阻延时特性的验证及光强对其影响的探究

验证了光敏电阻的延时特性,并研究了光强对光敏电阻响应时间的影响.实验表明,光敏电阻存在延时特性,光强改变前的光照强度以及光强改变量都会影响光敏电阻的响应时间.光强初始值越大,响应时间越短;光强改变量越大,响应时间越短.     

双耦合口相对论速调管放大器输入腔特性的等效电路法研究

针对一种具有两个注入耦合口的相对论速调管放大器输入腔系统,利用等效电路方法,分析得到了系统的散射矩阵。在对散射矩阵元S21的相位对角频率求导的基础上,推导出了系统有载品质因数表达式。利用高频场分析软件给出的系统的群时延曲线,可得到计算有载品质因数所需的谐振频率和群时延时间,进而得到系统的有载品质因数。与衰减法得到的有载品质因数进行比较,结果符合较好,但计算速度更快,且可进行参数扫描,以优化结构。     

微波脉宽对检波器性能影响的实验研究

 采用脉宽20~120 ns、步长10 ns的微波信号,对WB-CD01型、2087-6001-00型同轴检波器的灵敏度和检波波形进行了实验研究。实验结果表明：脉宽为20~120 ns时,在2.7 GHz频率下,WB-CD01型检波器灵敏度比连续波时的降低0.5~0.7 dB,而2087-6001-00型检波器灵敏度比连续波时的降低近1 dB。在4.1 GHz频率下,WB-CD01型检波器在微波脉宽为20 ns时,检波灵敏度略高于连续波时的近0.2 dB,其它给定脉宽下,检波灵敏度与连续波时的基本一致;2087-6001-00型检波器不同脉冲宽度条件下与连续波时的灵敏度基本一致。WB-CD01型检波器的检波波形前沿出现过脉冲,而2087-6001-00型检波器无此现象。