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71.
Novel distributed Bragg reflectors (DBRs) with 4.5 pairs of GaAs/AlAs short period superlattice (SPS) used in oxide-apertured vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs) were designed. The structure of a 22-period Al0.9Ga0.1 As (69.5 nm)/4.5-pair [GaAs (10 nm)-AlAs (1.9 nm)] DBR was grown on an n+ GaAs substrate (100) 2° off toward <111>A by molecular beam epitaxy. The emitting wavelength was 850 nm with low threshold current of about 2 mA, corresponding to the threshold current density of 2 kA/cm2. The maximum output power was more than 1 mW. The VCSEL device temperature was increased by heating ambient temperature from 20 to 100℃ and the threshold current increased slowly with the increase of temperature. 相似文献
72.
应用控制科学理论离散事件动态系统摄动分析思想,提出了一种基于无时钟事件追踪法进行并行仿真的快速算法.根据被模拟网络在一组参数下的仿真样本轨迹,同时并行构造一簇不同参数集合下的网络系统样本轨迹.实验结果表明该算法大大提高了通信网随机模拟与性能评估的效率. 相似文献
73.
提出了网络摄动耦合概念、并发系统事件概念和其相应的概率表达式,建立了一般网络系统并行摄动分析方法.仿真结果表明本方法明显提高网络摄动分析及仿真效率,变网络一般振动分析的N:1为N·M:1的资源节省问题. 相似文献
74.
75.
半导体/超晶格分布布拉格反射镜的特性研究 总被引:2,自引:1,他引:1
在n+ GaAs (10 0 )衬底上由分子束外延技术 (MBE)生长了以 [GaAs/AlAs]超晶格替代AlxGa1-xAs所形成的新型AlAs/ [GaAs/AlAs]半导体 /超晶格分布布拉格反射镜 (DBR) ,并对此DBR的光、电学特性进行了实验测量。从实验获得的DBR的反射谱中得出 ,其反射谱中心波长为 85 0nm ,19周期此DBR的峰值反射率高达 99 5 % ,反射带宽度为 90nm左右。与此同时 ,由自行设计的二次钨丝掩模质子注入形成 15× 15 μm2 正方形电流注入区对 p型DBR的串联电阻进行了测量 ,克服了化学湿腐蚀法中腐蚀深度不易控制及侧面同时被腐蚀的缺点。实验得出此 p型DBR的串联电阻仅为 5 0Ω左右。由此可见 ,此DBR在保持高的反射率的同时具有较低的串联电阻。最后 ,对DBR的串联电阻与温度关系的实验研究表明 ,此DBR的串联电阻受温度的影响不大。 相似文献
76.
从耦合映像格子中,恢复系统初始条件是耦合系统求逆问题,也是信号处理研究中的一个关键性问题.本文在符号动力学方法的基础上,对映像系数进行修正,针对耦合单峰Logistic映射,提出一种基于时变映像系数恢复信号初值的新方法.在映像过程无噪或受到高斯白噪声污染时,本文方法都能够较好地恢复信号初值的统计特性,而且具有较小的偏差和均方误差,并与原信号之间具有较强的相关性,从而能够更好和更加合理地刻画实际信号的物理过程,对系统初值做出更优的估计.
关键词:
耦合映像格子
恢复初值的统计特性
时变映像系数 相似文献
77.
晏华中 《理化检验(化学分册)》2001,37(1):39-39,42
GB 1 50 63- 94四苯硼钠沉淀钾重量法测定钾 ,其分析方法精密度高、准确度好 ,被广泛应用于各种物料中常量钾的测定 ,但是操作繁琐、费时、易出错。本文提出的四苯硼钠滴定法 ,以四苯硼钠为标准滴定剂 ,在水和三氯甲烷的两相介质中 ,以溴酚蓝和季铵盐为指示剂 ,滴定钾离子直至三氯甲烷层中蓝色消失 ,水相呈色为终点 ,终点一滴变色明显 ,具有简便、快速、准确的特点。1 试验部分1 .1 主要试剂四苯硼钠标准溶液 :c[Na B(C6H5) 4]=0 .1 mol· L-1季铵盐溶液 :1 0 g· L-1氢氧化钠溶液 :1 0 0 g·L-1氯化钾溶液 :0 .1 mol· L-1溴酚蓝指示… 相似文献
78.
79.
采用AlAs氧化物限制工艺实验制备了衬底出光的高功率大出光窗口(直径为300 μm)InGaAs/GaAs量子阱垂直腔面发射半导体激光器,实现了器件室温准连续工作(脉冲宽度为50 μs,重复频率为1000 Hz),并对器件的伏安特性、光输出特性、发射光谱,以及器件的远场发射特性等进行了实验测试.器件阈值电流为460mA,器件的最大光输出功率为100mW,发射波长为978.6nm, 光谱半功率全宽度为1.0 nm,远场发散角小于10°,垂直方向的发散角θ⊥为8°,水平方向的发散角θ∥为9°,基本为圆形对称光束. 相似文献
80.
基于固态化磁开关、低阻抗脉冲形成网络和感应电压叠加等关键技术, 提出并研制了一台固态化高功率长脉冲驱动源。在前期通过2 GW单次实验验证技术方案的基础上, 研制了中等电压等级的重复频率初级电源;改进了两级磁脉冲压缩系统的复位和绝缘特性;优化了系统整体电路结构, 利用感应电压叠加器完成充电磁开关和脉冲升压的双重功能;设计了合理的复位路径, 实现了各部分磁芯的在线直流复位;并开展了重频运行研究。在电阻负载上获得了输出功率2.1 GW、脉宽约170 ns、重复频率20 Hz及运行时间1 s的实验结果, 脉冲波形的重叠一致性好。 相似文献