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31.
铝-钨丝混编阵的Z-箍缩实验研究   总被引:3,自引:0,他引:3       下载免费PDF全文
利用铝丝和钨丝混合编制的丝阵作为Z箍缩的负载,在俄罗斯Kurchatov研究所的S300强流装置上对其Z箍缩过程进行了实验研究,并与纯铝丝阵和纯钨丝阵的实验结果进行了比较.不同材料组成的丝阵的Z箍缩x射线能谱之间有明显差异,混编丝阵的铝K壳层的x射线辐射强度比纯铝丝阵的弱,在纯钨丝阵Z箍缩中没有发现波长小于1.6nm的线辐射.混编丝阵Z箍缩的x射线发光区域比纯铝丝阵的小,但比纯钨丝阵的大,混编丝阵的x射线产额比纯铝丝阵的大,但比纯钨丝阵的略低.在驱动电流为2.5—2.8MA条件下,Z箍缩的径向收缩比为4—5,x射线辐射脉冲脉宽为25ns左右,峰值为0.3—0.5TW,总能量为10—20kJ.激光探针的阴影像显示了丝阵等离子体形成的细致过程,还表明了等离子体的边界面不够清晰,其不稳定性有明显的发展,内部有丰富的结构. 关键词: Z箍缩 混编丝阵 S300强流装置  相似文献   
32.
陈启明  晏长岭  曲轶 《发光学报》2019,40(2):171-176
由于1. 55μm波段广泛应用于通信领域,为了探索不同生长温度对InN量子点的形貌影响,并且实现自组装InN量子点在1. 55μm通信波段的发光,对InN量子点的液滴外延及物性进行了相关研究。首先利用射频等离子体辅助分子束外延(PA-MBE)技术在GaN模板上,采用液滴外延方法在3种温度下生长了InN量子点结构。生长过程中靠反射高能电子衍射(RHEED)对样品进行原位监控。原子力显微镜(AFM)表征结果表明随着生长温度升高,量子点尺寸变大,密度减小。在生长温度350℃和400℃下,观测到了量子点;当温度高于450℃时,未观测到InN量子点。当生长温度为400℃时,量子点形貌最好,密度为6×10~8/cm~2,对400℃下生长的InN量子点进行了变温PL测试,成功得到InN量子点在1. 55μm波段附近的光致发光,并且随着测试温度的升高,量子点的发光峰位发生了先红移后蓝移最后又红移的S型曲线变化,这种量子点有望在未来应用于量子通信领域。  相似文献   
33.
采用两种不同的样品消解法消解烟用接装纸样品,并采用电感耦合等离子体-发射光谱仪测定了其中的3种有害元素铬、铅和镉的含量,通过几组样品的测定结果对比,证明两种样品前处理方法均可用于实际样品测定.  相似文献   
34.
对国内锶的光度法测定的近年进展概况作了评述,主要涉及自1984年到2006年间在各类显色剂的使用,以及在锶的光度测定中应用催化动力学反应及化学计量学方法等内容,引用文献61篇。  相似文献   
35.
大多数催化过程需以金属甚至贵金属作为活性位点,尽管金属基催化剂在很多情况下可以展现出较好的催化性能,但其实际应用受到价格较高、储量有限、组分流失和金属位点烧结等因素的限制.在非金属催化剂中,碳材料由于具有来源丰富、稳定性好以及可调控性强等特点而得到了广泛应用.研究表明,将具有供电子或吸电子特征的异质原子如氮、硼、硫和磷等掺入碳结构中是一种可行的策略,可通过电子结构调控产生缺陷来提高催化性能.其中,氮原子与碳原子的原子半径相近,可有效改善碳的化学惰性,是一种理想的掺杂原子.基于这些认识,各类氮掺杂碳材料,如碳纳米管、碳纳米球、石墨烯、介孔碳、碳纤维等已经被开发出来且显示出令人满意的催化效果.然而,传统氮掺杂碳材料的制备还存在反应条件苛刻、需要使用各类有毒试剂以及制备过程复杂等缺点.近年来,以廉价易得的生物质为原料,通过简单绿色方法合成氮掺杂碳材料,并进一步探索其在更多催化领域如有机催化中的应用得到了广泛关注.对硝基苯酚的催化还原反应和苯乙烯的催化氧化反应一般需要金属催化剂.其中,对硝基苯酚是化学工业中常见的难降解污染物,可对环境和人类健康造成严重威胁.在所有减轻其污染和危害的方法中,从环...  相似文献   
36.
高功率垂直腔面发射半导体激光器优化设计研究   总被引:3,自引:0,他引:3       下载免费PDF全文
与传统的端发射半导体激光器相比,垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)具有可单模输出,光束对称性好,可被高度聚焦,进入光纤的耦合效率极高和有利于大规模二维列阵等优 点.为了得到高功率的激光输出,除了要增大VCSEL的发射面积之外,关键的是要选择适 当的量子阱层数、有源区电流密度的均匀分布和良好的热管理等.本文详细研究和分析了高功率VCSEL有源区量子阱层数,有源区直径,材料的热导和电阻,电极间距等对VCSEL 器件性能的影响.通过优化参数,进行最佳设计,研制出了980 nm In0.2Ga0.8As/Ga 关键词: 垂直腔面发射激光器(VCSEL) 量子阱 高功率  相似文献   
37.
一、引 言 在聚变装置真空室里由于等离子体与第一壁表面相互作用,使得器壁局部过热蒸发产生杂质气体,如H_2O,CO,CH_4,C等。这些气体在托卡马克装置放电期间将会导致等离子体能量损失,另外还涉及氢的再循环问题。研究这些现象可以了解托卡马克装置真空室第一壁上吸附气体层的组分及相对含量,以改善真空室的边界条件,进一步减少等离子体能量损失。  相似文献   
38.
以柠檬醛为原料, 经环化、羟腈化、水解关环和脱水4步反应, 以40.24%的总产率合成了(±)-二氢猕猴桃内酯.  相似文献   
39.
以2,6,6-三甲基环己-2-烯-1,4-二酮为原料, 经选择性羰基保护、Wittig反应、脱保护基、 腈基水解和还原等5步反应合成了目标化合物, 总产率可达6.0%.  相似文献   
40.
晏上明 《化学计量》1998,7(1):40-41
介绍由低压石英汞灯、错钕滤光片、透射比标准滤光片、杂散光滤光片等组成标准装置开展紫外、可见分光光度计的检定问题。  相似文献   
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