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71.
72.
73.
本实验提出了复合方柱微结构的亲疏水强化换热表面,并对其在FC-72工质中的池沸腾换热进行研究。实验采用光滑芯片和方柱微结构高效换热PF30-60芯片作为对比组,通过使用装有显微镜头的高速摄像机对微细化沸腾现象进行捕捉。实验及分析结果表明:亲疏水表面芯片可有效提高沸腾的临界热流密度,降低沸腾起始点对应的壁面过热度,同时在相同热流密度下其壁面温度较PF30-60降低6~9 K;由于微结构区域提供数目可观的汽化核心,不断生长滑移的汽泡被困在光滑亲水通道,在亲水面及两侧微结构作用下加速汽泡的生长合并与脱离,因此沸腾换热效果得到显著提高。 相似文献
74.
研究了夹芯板轴对称脱层问题的附加状态.利用n阶剪切变形理论和最小势能原理,建立了附加状态的微分方程,给出了相应的定解条件,并求出了附加状态的n次多项式解析解答.与采用实体单元的数值结果的比较表明,随着n的增加,模型的精度迅速提高.该文还研究了附加应力的分布规律及波及范围,并得出一些重要结论. 相似文献
75.
本文通过水热法在u-GaN(undoped GaN)/Al2 O3和p-GaN/Al2O3衬底上制备了ZnO纳米棒阵列.利用X射线衍射仪(XRD)、高分辨X射线衍射仪(HRXRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)、原子力显微镜(AFM)和光致发光谱(PL)对样品进行表征,研究在无种子层和金属催化剂情况下u-GaN/Al2 O3和p-GaN/Al2O3衬底对ZnO纳米棒生长的影响.结果表明,在u-GaN和p-GaN上生长的ZnO纳米棒均为六方纤锌矿结构.在p-GaN上生长的ZnO纳米棒直径较细且密度更大,这可能是由于p-GaN界面比较粗糙,界面能量较大,为ZnO的生长提供了更多的形核区域;与生长在u-GaN上的ZnO纳米棒阵列相比,p-GaN上所沉积的ZnO纳米棒在378.3 nm处有一个较强的近带边发射峰,且峰强比较大,说明在p-GaN上所制备的ZnO纳米棒的晶体质量和光学性能更好. 相似文献
76.
纳米晶材料SrMgxTi1-xO3的合成与表征 总被引:2,自引:1,他引:2
采用硬脂酸法合成纳米晶SrMgxTi1-xO3(x=0.1~0.5)材料.用DTA,TG,XRD,IR,XPS和TEM进行表征.结果表明,粉末粒径d随SrMgxTi1-xO3中镁含量、烧结温度和烧结时间的改变而变化;烧结所产生的粉末粒度分布均匀、大小适中;Mg2+部分替代SrTiO3的Ti4+后,O的1s光谱随着Mg2+含量的不同而发生变化. 相似文献
77.
在 ICP- AES中 ,最常用来引入液体样品的方法是雾化法 .因此 ,雾化器雾化效率的高低直接影响到 ICP- AES的分析性能 [1,2 ] .目前 ,在 ICP- AES中最常用的雾化器是气动雾化器 (PN) .它的优点是简单、稳定性好 ;缺点是产生的雾滴的直径范围很宽 (一般为 1~ 50 μm) ,进样效率低 ,一般仅为 1 %~3% [3] .热雾化器是近年发展起来的一种雾化效率较高的雾化法 ,已被越来越多地用于 ICP- AES[4~ 7] .热雾化法的雾化原理与同轴气动雾化法类似 ,不同之处在于 :对于热雾化法来说 ,(1 )雾化所需的气体来自于液体样品本身而不是外加的惰性… 相似文献
78.
在二元配合物巴洛沙星-Tb^3+中加入ATP,Tb^3+在其特征波长545nm处的荧光强度增强,据此建立了新的巴洛沙星Tb^3+-ATP荧光体系。在最优化实验条件下,增强的荧光强度与ATP的浓度呈良好的线性关系,线性范围为2.0×10^-6-3.0×10^-5mol/L,检出限为8.0×10^-7mol/L。详细的机理研究表明,ATP能与巴洛沙星-Tb^3+形成大的三元络合物荧光体系。新建立的荧光体系成功地应用于ATP注射液中ATP的定量检测。对不同批次ATP注射液进行加标回收试验,回收率为101%-106%,测定结果的相对标准偏差为1.1%-1.9%(n=5)。 相似文献
79.
80.
Nine novel triazole compounds containing ester group were designed and synthesized. Their structures were confirmed by elemental, ^1H NMR and IR analyses, and optimized by means of DFF (Density Functional Theory) method at the B3LYP/6-31G* level. Based on the quantum-chemical calculation results and the Pearson coefficients between FA and quantum- chemical parameters, V, LogP, MR and EHOMO are shown to be the important relative factors which affect FA of the title compounds. 相似文献