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71.
RE1—xTxMnO3氧化物的结构,电磁特性和巨磁电阻 总被引:37,自引:0,他引:37
REMnO3(RE=La,Pr,Nd,Cd等)具有钙钛矿结构。如用二价碱土金属部分替代稀土元素,可形成掺杂锰氧化物RE1-xTxMnO3(T=Ca,Sr,Ba,Pb)。随掺杂量的增加,样品的结构和电磁性能都有很大变化。近年来在这类氧化物中还发现巨大的负磁电阻效应,其值可达106%。这类材料显示的复杂物理现象和可能的应用前景引起人们很大的兴趣。本文将概括的介绍这类氧化物的晶格结构,电子结构,电磁性能及其巨磁电阻随掺杂变化的实验结果,并对其可能的机理进行探讨。 相似文献
72.
为了研究高压处理对高等植物基因表达的影响,以萌发过程中经高压处理后的水稻种子的mRNA作为检测子(Tester),以对照样品的mRNA作为驱动子(Driver),采用抑制差减杂交(SSH)结合镜像选择技术(MOS)构建了高压处理后水稻种子萌发过程中诱导表达的差减cDNA文库,并通过蓝白斑筛选获得了580个重组克隆。菌液PCR检测的结果表明这些克隆中的插入片段的大小主要分布在200~1000 bp之间,平均大小约为575 bp,其中单一扩增条带的有效重组克隆数为542个,有效的重组克隆率为93.3%。对部分重组克隆进行测序发现,受高压诱导表达的基因主要涉及到代谢、胁迫响应、转录调控等方面。为高压处理后水稻种子基因表达模式变化的研究打下了基础。 相似文献
73.
Sm3+掺杂稀土硼酸盐玻璃的光谱参数计算和荧光光谱分析 总被引:1,自引:1,他引:1
制备了具有高效可见荧光发射的Sm3 掺杂稀土硼酸盐(LBLB)玻璃,对玻璃的吸收和荧光光谱展开了测试与分析.根据Judd-Ofelt理论对吸收光谱进行了拟合,求得Sm3 离子的晶场调节参数Ωt=(2,4,6)分别为6.81×10-20,4.43×10-20和2.58×10-20 cm2,并进一步计算出各能级跃迁的谱线强度、自发辐射跃迁概率、辐射寿命和荧光分支比等光谱参数.紫外光激发下,Sm3 掺杂LBLB玻璃发出明亮的橙红色光.激发光谱表明,氩离子激光器是Sm3 掺杂LBLB玻璃有效的激发光源. 相似文献
74.
桑立雯 ;秦志新 ;岑龙斌 ;沈波 ;张国义 ;李书平 ;陈航洋 ;刘达艺 ;康俊勇 ;成彩晶 ;赵鸿燕 ;鲁正雄 ;丁嘉欣 ;赵岚 ;司俊杰 ;孙维国 《中国物理快报》2008,25(1):258-261
We report AlGaN-based back-illuminated solar-blind Schottky-type ultraviolet photodetectors with the cutoff- wavelength from 280nm to 292nm without bias. The devices show low dark current of 2.1× 10^-6A/cm^2 at the reverse bias of 5 V. The specific detectivity D* is estimated to be 3.3 × 10^12cmHz^1/2 W^-1 . To guarantee the performance of the photodetectors, the optimization of AlGaN growth and annealing condition for Schottky contacts were performed. The results show that high-temperature annealing method for Ni/Pt Schottky contacts is effective for the reduction of leakage current. 相似文献
75.
Investigation of magnetization reversal process in pinned CoFeB thin film by in-situ Lorentz TEM 下载免费PDF全文
Exchange bias effect has been widely employed for various magnetic devices.The experimentally reported magnitude of exchange bias field is often smaller than that predicted theoretically,which is considered to be due to the partly pinned spins of ferromagnetic layer by antiferromagnetic layer.However,mapping the distribution of pinned spins is challenging.In this work,we directly image the reverse domain nucleation and domain wall movement process in the exchange biased Co Fe B/Ir Mn bilayers by Lorentz transmission electron microscopy.From the in-situ experiments,we obtain the distribution mapping of the pinning strength,showing that only 1/6 of the ferromagnetic layer at the interface is strongly pinned by the antiferromagnetic layer.Our results prove the existence of an inhomogeneous pinning effect in exchange bias systems. 相似文献
76.
77.
Using density functional theory calculations, we investigate the tetragonal distortion, electronic structure and magnetic property of Pt_2 Mn Sn. The results indicate that, when the volume-conserving tetragonal distortion occurs, the energy minimum appears at c/a(6 = 0.84, and the energy difference between the minimum and cubic phase is as high as 107 me V/f.u. Thus from the point of view of thermodynamics, martensitic transformation may occur in Pt_2 Mn Sn with decreasing the temperature. The electronic structure of its cubic and martensitic phases also approves this. Moreover, both the cubic and tetragonal phases of Pt_2 Mn Sn are ferromagnetic structures and their total magnetic moments are 4.26 μ_B and 4.12 μ_B, respectively. 相似文献
78.
Ⅲ-Ⅴ族氮化物宽禁带半导体材料体系中,普通方法生长的p型外延层电导率一般都很低,成为了制约器件性能提高的瓶颈。在p-AlxGa1-xN材料中,Mg受主的激活能较大,并且随Al组份增加而增大。通过在p-AlxGa1-xN材料生长过程中引入三甲基铟(TMIn),发现能有效地降低AlxGa1-xN材料中受主态的激活能。为研究不同In气氛下生长的p-AlxGa1-xN材料的性质,在使用相同二茂基镁(CP2Mg)的情况下,改变TMIn流量,生长了A,B,C和D四块样品。X射线衍射(XRD)组份分析表明:在1100℃下生长AlxGa1-xN外延层时,In的引入不会影响晶体组份。利用变温霍尔(Hall)测试研究了p-AlxGa1-xN材料中受主的激活能,结果表明:In气氛下生长的外延层相比无In气氛下生长的外延层,受主激活能明显降低,电导率显著提高。采用这种方法改进深紫外发光二极管(LED)的p-AlxGa1-xN层后,LED器件性能明显提高。 相似文献
79.
80.
在还原气氛中合成了CaO-B2O3-SiO2:Eu^2+玻璃体系,研究了该玻璃体系中Eu^2+的激发光谱和发射光谱,并归属了其相应的跃迁发射。研究了掺杂Eu^2+浓度对其发光强度的影响,结果表明,Eu^2+掺杂量在0.20%时发光强度达到最大值,在该玻璃体系中没有观察到浓度猝灭现象。研究了合成条件与Eu离子在玻璃中发光性质的关系,说明还原能力H2〉CO〉空气,空气几乎不具备还原能力。研究了玻璃中Eu^2+的电子自旋共振谱(ESR)性质,证实了玻璃体系中Eu^2+的存在,得到了玻璃体系中Eu^2+的能级图。 相似文献