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151.
We present a simple but effective method for small-angle measurement based on optical feedback interferometry (or laser self-mixing interferometry). The absolute zero angle can be defined at the biggest fringe amplitude point, so this method can also achieve absolute angle measurement. In order to verify the method, we construct an angle measurement system. The Fourier-transform method is used to analysis the interference signal. Rotation angles are experimentally measured with a resolution of 10^-6 rad and a measurement range of approximately from -0.0007 to +0.0007 rad. 相似文献
152.
10 K条件下,采用光致发光(PL)技术研究了不同退火处理后非故意掺杂4H-SiC外延材料的低温PL特性.结果发现,在370—400 nm范围内出现了三个发射峰,能量较高的峰约为3.26 eV,与4H-SiC材料的室温禁带宽度相当.波长约为386 nm和388 nm的两个发射峰分别位于~3.21 eV和~3.19 eV,与材料中的N杂质有关.当退火时间为30 min时,随退火温度的升高,386 nm和388 nm两个发射峰的PL强度先增加后减小,且退火温度为1573 K时,两个发射峰的PL强度均达到最大.
关键词:
光致发光
退火处理
能级
4H-SiC 相似文献
153.
The generation of atomic entanglement is discussed in a system that atoms are trapped in separate cavities which are connected via optical fibres. Two distant atoms can be projected to Bell-state by synchronized turning off of the local laser fields and then performing a single quantum measurement by a distant controller. The distinct advantage of this scheme is that it works in a regime where Δ≈κ〉〉g, which makes the scheme insensitive to cavity strong leakage. Moreover, the fidelity is not affected by atomic spontaneous emission. 相似文献
154.
155.
156.
本文采用离子束溅射Bi/Te和Sb/Te二元复合靶,直接制备n型Bi2Te3热电薄膜和p型Sb2Te3热电薄膜.在退火时间同为1 h的条件下,对所制备的Bi2Te3薄膜和Sb2Te3薄膜进行不同温度的退火处理,并对其热电性能进行表征.结果表明,在退火温度为150 ℃时,制备的n型Bi2Te3关键词:
薄膜温差电池
2Te3薄膜')" href="#">Sb2Te3薄膜
2Te3薄膜')" href="#">Bi2Te3薄膜
离子束溅射 相似文献
157.
158.
159.
Ba-La-Cu-O体系的金属-半导体转变和超导电性 总被引:1,自引:0,他引:1
测量了名义组分为 BaxLa_(5-x)Cu_5O_(5(3-y))(x=0,0.25,0.5,1.0,1.25,1.5; y>0)的系列样品电阻-温度关系。发现:对x=0的二元氧化物,其电子输运呈典型的半导体特征;随着Ba的掺入以及含Ba量的增加,系统经历了半导体-半金属-金属(超导体)转变,并且其超导临界温度Tc也单调地升高。根据Mattheiss及Freeman等人的能带计算结果,在电声子强耦合的框架里对上述现象作了定性的解释。本文作者认为:二价Ba的掺入抑制了晶格的不稳定性,稳定了超导相。 相似文献
160.