Dopant diffusion and surface morphology of vanadium implanted 4H-silicon carbide

The diffusion behaviours of vanadium implanted p- and n-type 4H-SiC are investigated by using the secondary ion mass spectrometry (SIMS). Significant redistribution, especially out-diffusion of vanadium towards the sample surface is not observed after 1650℃ annealing for both p- and n-type samples. Atomic force microscopy (AFM) is applied to the characterization of surface morphology, indicating the formation of continuous long furrows running in one direction across the wafer surface after 1650℃ annealing. The surface roughness results from the evaporation and re-deposition of Si species on the surface during annealing. The chemical compositions of sample surface are investigated using x-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The results of C 1s and Si 2p core-level spectra are presented in detail to demonstrate the evaporation of Si from the wafer and the deposition of SiO₂ on the sample surface during annealing.     

Employing a Cerenkov detector for the thickness measurement of X-rays in a scattering background

The variation in environmental scattering background is a major source of systematic errors in X- ray inspection and measurement systems. As the energy of these photons consisting of environmental scattering background is much lower generally, the Cerenkov detectors having the detection threshold are likely insensitive to them and able to exclude their influence. A thickness measurement experiment is designed to verify the idea by employing a Cerenkov detector and an ionizing chamber for comparison. Furthermore, it is also found that the application of the Cerenkov detectors is helpful to exclude another systematic error from the variation of low energy components in the spectrum incident on the detector volume.     

低能He~(2+)入射He原子转移电离实验中出射电子成像研究

利用反应显微谱仪对70keV He2+-He转移电离过程中的出射电子进行了成像,研究了出射电子的空间速度分布特征.结果表明:电子主要集中在散射平面内;在散射平面内,电子速度分布介于零与入射离子速度Vp之间(即前向出射)且在散射离子和靶核核间轴处有一极小值,呈现出典型的双峰结构.出射电子的上述分布特征可由出射电子波函数σ振幅和π振幅的干涉进行定性解释,σ振幅和π振幅对出射电子波函数的贡献与碰撞参数相关.在小碰撞参数下,π振幅的贡献更加明显;而在大碰撞参数下,σ振幅的贡献更加显著.     

铅基堆超临界CO2复合循环发电系统热力学分析

本文对比了再压缩超临界CO2 (S-CO2)循环、蒸汽朗肯循环、He布雷顿循环分别应用于铅基堆的最优热学性能,明确了S-CO2循环与铅基堆结合较传统循环的热力学优势。为进一步提高再压缩S-CO2循环的效率,以跨临界CO2 (T-CO2)循环为底循环构建了再压缩S-CO2/T-CO2复合循环,探讨了不同顶循环透平入口温度、压力和压缩机入口温度条件下系统性能的变化规律,对比了S-CO2/T-CO2复合循环和S-CO2循环的热学性能。结果表明:铅基堆再压缩S-CO2循环发电系统较传统循环形式具有更高的热效率;构建的S-CO2/T-CO2复合循环能够有效提高S-CO2循环的效率,在所研究参数范围内,S-CO2/T-CO2复合循环的热效率和效率比S-CO2循环分别最大可提高约4.8%和8.3%;再压缩S-CO2循环和S-CO2/T-CO2复合循环热学性能随顶循环关键参数变化规律具有一致性。     

微波瑞利散射法测定空气电火花激波等离子体射流的时变电子密度

大气压空气电火花激波等离子体射流的电子密度在亚微秒时间尺度上瞬变,其电子密度的测定很难.基于微波瑞利散射原理,本文测量了空气电火花冲击波流注放电等离子体射流的时变电子密度.实验结果表明:测量系统的标定参数A为1.04 × 105 V·Ω·m–2;空气流注放电等离子体射流的电子密度与等离子体射流的半径和长度有关,结合高速放电影像展示的等离子体射流的等效半径和等效长度,测定的电子密度在1020 m–3的量级,且随时间先快速增长至峰值再成指数衰减.此外,本文还探讨了等离子体射流的不同等效尺度对测定结果的影响;分析结果表明,采用时变等效半径和时变等效长度的计算结果最有效,且第1个快速波峰是由光电离的电离波导致的.     

里德堡原子多体相互作用的研究进展

多体量子系统的相互作用是研究量子信息科学必须要解决的瓶颈性问题之一.里德堡(Rydberg)原子具有很大的电偶极矩,使得它可以实现长程的相互作用,为研究多体量子物理提供了有力的技术手段.因而Rydberg原子多体系统是多体相互作用探究的理想平台, Rydberg原子多体相互作用的研究对多体量子系统的相互作用的性质研究和应用探究有着重要意义.本文综述了关于Rydberg原子多体相互作用方面的研究,介绍了由Rydberg原子的多体相互作用引起的Rydberg阻塞效应、Rydberg原子多体系统拉比频率的变化以及Rydberg原子多体系统呈现的特别的空间构型;同时介绍了利用Rydberg原子多体相互作用实现一些应用的工作,如实现单光子源、量子存储、实时单原子成像以及量子模拟等,并讨论了Rydberg原子多体系统的研究方向和应用前景.     

k元de Bruijn-Good图的1-因子图与分配多面体图

本文首先修正了文献[2]中的定义1.2,然后给出了由κ元(?)级 de Bruijn-Good图的1-因子构成的变换图的结构,得到了它与分配多面体图(graph of assign-ment polytope)的关系,从而得知它具有一些好的性质.     

基于太赫兹光谱的固体粉末含水率检测方法研究

本文以炸药奥克托今（HMX）为例,开展了基于太赫兹光谱的固体粉末含水率检测方法的研究。首先,设计了适用于含水试样的预处理模具,避免预处理和测量过程中HMX粉末水分流失。其次,采用太赫兹时域光谱系统测量了HMX脱水过程的太赫兹光谱,获得了不同含水率HMX的太赫兹折射率和吸收系数。最后,研究了基于支持向量机回归（SVR）的含水率分析方法。提出了融合试样质量和太赫兹折射率的建模方法,解决了基于折射率或吸收系数的回归模型泛化性差的问题。在此基础上,采用遗传算法（GA）和粒子群算法（PSO）对SVR建模过程的正则化参数和核函数进行寻优。结果表明,基于PSO-SVR的模型最优,建模决定系数（R2）为0.996,均方根误差（RMSE）为0.009%,外部验证R2为0.991,RMSE为0.015%。     

染料激光腔内双扩束棱镜系统的特性

本文推导了双扩束棱镜系统的角色散公式,从理论上证明了一个不带标准具的、由双棱镜扩束系统组成的调谐腔,能够达到GHz量级(～10~(-2)(?))的窄带可调谐激光,且经实验验证获得了小于4GHz的激光输出,为采用多棱镜系统以获得小于1GHz的窄带激光提供了理论依据.此外,还分析了这种系统具有反射损耗小、偏振运转和调整容易等优点,表明双(多)棱镜扩束系统是一种比较理想的光扩束、滤波、调谐多功能的光学元件.