基于红外光谱法对不同连作茬次地黄土壤光谱特征分析

连作障碍是中药材地黄种植过程中最大的难点，每茬收获后须隔8～10年后方可再种植，但连作障碍产生的机理尚不明确。提出一种基于傅里叶红外光谱技术(FTIR-ATR)和二维红外相关光谱(2D-IR)分析方法。采集正茬1年(YA-one)、重茬1年(YA-two)、 10年前种植过(YA-ten)、空白(CK)4种地黄土壤样品的光谱，进行Norris滤噪平滑+二阶导数、二维相关光谱分析处理并提取特征光谱，分析土壤中化合物的指纹图谱。结果显示：不同连作茬次地黄土壤的峰形基本相似，红外光谱主要特征吸收峰在3 621, 3 439, 2 932, 2 860, 2 513, 1 798, 1 636, 1 433, 1 029, 887, 783, 695, 546和469 cm^-1附近。与CK相比，YA-two的吸收强度最大，这些吸收峰表征酚酸中羟基—OH、羰基■、 C—O、苯环的取代吸收等官能团，说明在重茬的地黄中，酚酸类物质积累。在2 925和2 857 cm^-1表征是糖苷类中饱和亚甲基—CH₂的反对称伸缩振动和对称伸缩振动，Y...     

WSe2/GeS 异质结的增强光致发光

二维半导体材料为纳米尺度的光学性质研究提供了良好的支持. 当将其构筑成异质结时, 界面间的相互作用可以改变原光电性质或产生新的性质, 是二维材料光电子器件功能控制的重要手段. 利用机械剥离法制备WSe2/GeS 异质结, 通过发光光谱研究异质结层间激子的光学性质. 结果表明:p 型 GeS 与弱 n 型 WSe2 构筑成异质结时会产生新的层间激子. 与 GeS 和 WSe2 的荧光发射强度相比, 异质结的层间激子发光强度显著增加. 此研究为设计具有先进光电性能的二维半导体器件提供了思路.