电荷屏蔽对快中子俘获过程的影响

本文计算在初生中子星中微子驱动的星风环境中弱电荷屏蔽对质子电子俘获反应的影响.结果表明电荷屏蔽对星风中核子的比加热率、熵等物理参量基本没有影响.但是可以明显提高电子丰度,而这种提高有力地支持了最新的快中子俘获核合成结果.     

Oxygen ion conductivity of Lao.sSro.2Gao.s3Mgo.17-xCoxO3-δ synthesized by laser rapid solidification

Materials Lao.8Sro.2Gao.83Mgo.17_xCox03_6 with x = 0, 0.05, 0.085, 0.10, and 0.15 are synthesized by laser rapid solidification. It is shown that the samples prepared by laser rapid solidification give rise to unique spear-like or leaf-like microstructures which are orderly arranged and densely packed. Their electrical properties each show a general depen dence of the Co content and the total conductivities of Lao.8Sro.2Gao.83Mgo.085Coo.08503_6 prepared by laser rapid solidification are measured to be 0.067, 0.124, and 0.202 S.cm-1 at 600, 700, and 800 ℃, respectively, which are much higher than by conventional solid state reactions. Moreover, the electrical conductivities each as a function of the oxy gen partial pressure are also measured. It is shown that the samples with the Co content values 〈 8.5 mol% each exhibit basically ionic conduction while those for Co content values 〉 10 mol % each show ionic mixed electronic conduction under oxygen partial pressures from 10-16 atm （1 atm = 1.01325 x 105 Pa） to 0.98 atm. The improved ionic conductivity of Lao.sSro.2Gao.83Mgo.085Coo.08503 prepared by laser rapid solidification compared with by solid state reactions is attributed to the unique microstructure of the sample generated during laser rapid solidification.     

A Stable Porous Silicon Dielectric Reflector with a Photonic Band Gap Centred at 10μm

By pulsed anodic etching at low temperature, we prepared a porous silicon reflector with a photonic band gap centred in the long-wavelength infrared spectral region （centred at about 12 μm）. After proper oxidation process, the stable reflector structure, which can reflect electromagnetic wave from 8 μm to 12 μm （centred at 10 μm） within wide incidence angles （about 50°）, is obtained. The wavelength shift of absorption peak of Si-H and Si-O shows the influence of oxidation process and indicates the stability of oxidized porous silicon dielectric reflector, which offers possible applications for the room temperature infrared sensor.     

氧化镓纳米材料的制备及其在光电探测方面的应用研究进展

近年来,半导体的纳米材料凭借其奇特的介观物理特性,成为当前研究的热点,特别是纳米金属氧化物。氧化镓纳米材料具备优异的光电、气敏、耐压且低损耗等特性,为材料学、电子学和化学等多个研究领域带来了新的机遇。本文概述了氧化镓纳米结构的制备方法,并展望了其在光电探测方面的应用。     

氮化镓基发光二极管结构中粗化 p型氮化镓层的新型生长方法

提出了一种新型p型氮化镓粗化外延生长方法,这种生长方法的本质特征是利用低温生长的p型氮化镓作为粗化层的"晶籽"层,然后在这一层的基础上高温快速生长p型氮化镓,使粗化程度得到放大. 经实际制作尺寸为12 mil×10 mil的蓝光发光二极管器件并进行验证测试,与未进行p型氮化镓粗化的结果相比,通过这种方法粗化的发光二极管光通量可提升45%;结果同时表明,该方法有效解决了低温生长p型氮化镓带来的漏电流大,及预通镁源带来的前置电压高的问题. 关键词： 粗化 氮化镓 p型氮化镓 发光二极管     

银纳米粒子/碳纳米管阵列SERS基底增强因子分析和实验

为了直观、准确地定量分析表面拉曼增强散射基底结构的拉曼增强,利用磁控溅射和高温退火的方法制备了银纳米粒子修饰垂直排列的碳纳米管阵列三维复合结构样品;实验采用罗丹明6G(R6G)溶剂作为探针分子,结合共聚焦显微拉曼系统,开展了表面增强拉曼增强因子(EF)分析计算的相关实验。SEM结果表明：在有序碳纳米管阵列的表面和外壁均匀地负载了大量银纳米粒子。对退火温度为450 ℃,退火时间为30 min的样品进行了EF计算,得到其增强因子约为2.2×103,并分析了EF值低的原因主要是：在碳纳米管上溅射的银膜膜厚不均匀,导致退火后银颗粒分布不均,使得样品粗糙度值偏大,EF值较低;实验中所用的激励光源并非银纳米颗粒的优化光源。     

应用废弃果皮制备绿色钻井液添加剂的综合性实验

设计了应用废弃果皮制备绿色钻井液添加剂的综合性实验,评价其对钻井液性能的影响.该实验将油田化学理论基础与实验技术、现场实践相结合,能够提高学生的专业实验技能、分析和解决问题的能力,同时采用废弃果皮作为实验原料,可提高学生的环保意识,有助于将环保理念注入日后油田生产中.     

提高光纤F-P应变传感器输出信号质量的方法研究

光纤F-P应变传感器输出信号质量的好坏直接影响解调精度.从光纤F-P应变传感器的基本原理出发,针对光纤F-P腔内损耗的问题,提出了用增加端面反射率的办法来弥补耦合损耗的影响;并通过理论分析、计算机仿真和实验对该问题进行了研究.实验表明,选用与F-P腔固有的最佳反射率匹配的端面镀膜,对增加干涉图样的对比度,提高信号输出幅值有很好的效果.     

碳基超导体的最新研究进展北大核心CSCD

碳基超导体是未来超导体发展方向之一,具有重大的研究意义.本文阐述了碳基超导体的分类,制备方法,超导性能的进展和研究现状,对其新的实验结果给予了特别的关注.总结了各类碳基超导材料的利弊.并着重从实验研究入手以及对现状的了解,展望了对碳基超导的研究方向.     

基于PLC的光电效应仿真仪器设计

采用可编程控制器设计的软、硬件结合的仿真光电效应实验仪器,它既能模拟理想状态的仪器设备,“测量”出理想的数据.也能模拟仿真传统的实验仪器进行“有误差、有干扰”的实验测量.交互式的操作方式能增强学生的实验效果,并降低实验指导者的工作强度.