非晶态Zr-Si合金的超导临界温度

测量了采用Melt-Spinning方法制备的非晶态合金Zr_(100-x)Si_x(8.8≤x≤15.3)的超导临界温度与Si浓度的关系.发现:在上述组分范围内,T_c以0.18K/(at.％)的速率随着Si含量增加而线性地下降.经外推到x=0,得非晶态纯Zr的T_c应为5.15K,与Onn et:al根据Fe-Zr合金的低温比热测量结果作理论外推所得的值十分一致.研究了非晶态合金Zr_(87.7)Si_(12.3)分别在310、370、415和445℃下作等温热处理对T_c的影响.结果表明,其结构弛豫行为与金属-金属型Zr基合金的大为不同.T_c的变化速率大且不遵从Int规律;随着热处理的进行,T_c较快地就趋向于饱和.伴随着结晶化的开始,T_c则以一大得多的速率下降.结合DSC等测量结果,对Zr-Si合金的结构弛豫和结晶化行为进行了讨论.     

YBa_2Cu_3O_y中对Y位与Cu(Ⅰ)位取代导致的空穴浓度变化

本文研究Co对Cu(I)和Ca对Y作取代时,YBa_2Cu_3O,系统中的空穴浓度、晶体结构和超导临界温度随掺杂量的变化关系及其起源。结果表明,上述取代对体系中的Cu-O平面上的空穴浓度P_(sh)都有重要影响,但其作用和方式是不同的。前一种取代主要是通过对空穴的复合和增强对空穴的局域化而使P_(sh)下降:后者则具有明显的退局域化作用,从而使得P_(sh)上升。当两种取代同时进行时,局域化作用不再是影响P_(sh)的因素,P_(sh)的增加来源于体系的总的空穴浓度的增加。还就超导电性与P_(sh)的关系作讨论。     

大尺寸GbBa_2Cu_3O_(7-δ)单晶的超导电性

本文报道,以Gd完全取代Y采用熔盐法,生长出了最大尺寸为7×3×2mm_3的一系列单晶体。结构分析表明,它们均属正交结构的1-2-3相单晶,空间群为P_(mmm),其中未经热处理样品的晶胞参数为α=3.88A,b=3.82A,c=11.68A。测得其超导临界温度为72K。经热处理后样品的超导电性得到显著改善,T_c=82K。     

超导金属玻璃Zr78Co22中局域的有阻态

本文系统地研究了在无外磁场时,超导金属玻璃Zr₇₈Co₂₂的I-V特性。观察到电流引起的由超导态向正常态的转变是以阶梯跃变的方式完成的。阶梯的出现是局域的,且与电流扫描速率有关。分析表明,有阻态阶梯的出现,是由于材料本身的不均匀性而导致热斑出现的结果。一维热流方程可以用来描述金属玻璃Zr₇₈Co₂₂局域的有阻态,但必须计及各热斑间的相互作用和样品本身的自吸热等效应。 关键词：     

PrBa2Cu3O7-δ的制备和电子结构

采用固相反应法制备了正交单相PrBa₂Cu₃O_7-δ样品.运用标准直流四引线法测量了该样品的电阻,发现它随温度的变化呈半导体行为.通过XPS测量表明,样品中明显合有Pr⁴⁺.最后从能带结构讨论了PtBa₂Cu₃0_7-δ不超导的原因. 关键词：     

YBa2Cu3Oy中氧缺位的磁通钉扎效应

制备了一组不同氧含量(T_cmid>90K)的YBa₂Cu₃O_y单相多晶样品。对其结构、超导电性和磁通钉扎行为的观测结果表明:氧缺位导致临界电流密度J_c和钉扎力密度F_p同时增加,存在一最佳的氧缺位浓度,可使J_c和F_p有最大程度提高。与氧含量y=6.96和6.83时的情况不同,对y=6.94和6.86的样品,其J_c 关键词：     

EFFECT OF THE Ba VACANCY ON THE FLUX PINNING IN YBaxCu3O7-δ SYSTEM

A series of Y123 single phase samples with various Ba vacancy concentration was prepared by making their Ba contents deviate from the stoichiometric composition. The measurements of their structure, superconductivity and flux pinning behaviour were systematically carried out. It is found that, compared with YBa₂Cu₃O_6.96 sample, the strength of the flux pinning in YBa_xCu₃O_7-δ(1.8≤x<2.0) samples is increased, and that there is an optimum value of Ba vacancy concentration for the maximum flux pinning force density. The possible origin of the flux pinning centers to determine the flux pinning behavior at higher field is discussed in detail. We suggest that the flux pinning effect at lower field may stein from the interaction between the vortex and the surfaces of grains, and that the flux pinning mechanism at higher field belongs to the core interaction.     

YBa_(2-x)Pr_xCu_3O_(7-δ)体系中的Pr替代效应

报道了YBa_(2-x)Pr_xCu_3O_(7-δ)(0≤x≤0.15)体系的超导电性和正常态输运性质的测量。实验结果表明随着Pr在Ba晶位替代量的增加,超导转变临界温度T_c和由Hall系数推算的荷电载流子浓度P_H均单调下降。通过与Y_(2-x)Pr_xBa_2Cu_3O_(7-δ)和Nd_(1 x)Ba_(2-x)Cu_3O_(7-δ)体系的比较研究,作者发现上述三个体系的T_c变化均与载流子浓度的变化相关联。作者进而提出,在YBa_(2-x)Pr_xCu_3O_(7-δ)体系中Pr的空穴填充效应导致可迁移空穴浓度下降,从而压制T_c;而在Y_(2-x)Pr_xBa_2Cu_3O_(7-δ)体系中载流子浓度的下降则是主要来源于Pr替代对空穴的局域作用,T_c同样被压制。Pr的拆对效应不明显。     

TI结构Na_(0.33)WO_3的电阻率随温度变化反常

为研究NaxWO3系统的反常超导性质,我们以分析纯Na2WO4和WO3为原料,用熔盐电解法制备了几种组分的钠钨青铜单晶样品.其中发现Na0.33WO3的电阻率随温度的变化关系反常. Na0.33WO3的制备过程如下:将Na2WO4和WO3分别占40%和60%摩尔的原料盛入刚玉坩埚内,加热到780℃,待熔融后进行电     

超导强磁场材料的新进展

本文评述了超导强磁场材料的新进展。基础科学和高技术的迅速发展,对超导强磁场材料不断提出新的要求。针对一些特定的应用目标,现行的实用超导材料,如Nb-Ti、Nb_3Sn和V_3Ga等,在改进制备工艺和提高性能两个方面都取得了明显的进展。有关多芯复合导体的微结构研究正在蓬勃地展开。对一些具有潜在应用前景的超导体研究,正预示着它们将成为超导技术中使用价值更高的新型材料。基于所研究的科学问题具有交叉学科的特点,今后组织多学科的力量开展合作研究,必将加速这一领域工作的发展。