GdBa2Cu3O7-δ单晶的各向异性研究

本文报道了对GdBa₂Cu₃O_7-δ单晶正常态电阻率、超导临界温变,以及磁转变的各向异性观测结果,发现ab平面上及c轴方向的电阻率,除T_c附近由于超导涨落引起的明显偏离以外,在正常态都能很好地满足Anderson-Zou关系:ρ=A/T+BT,但两方向的A,B存在显著差异说明其输运电荷是由不同机制产生,它具有显著的二维特征;沿c轴方向的超导电性比沿ab平面的超导电性要弱,T_ce⊥比T_ce∥低2K;H∥ab平面时的交流屏蔽效应仅是H⊥ab平面时的76％。 关键词：     

两种超导体的力学性质

本文测量了YBa_2Cu_3O_(7-6)和Bi_2Sr_2Ca_2Cu_30_y两种超导材料的压缩强度极限和压缩弹性模量E,指出了样品成型压力,试验温度T对σb和E的影响,研究了对超导临界转变温度T_c的影响.     

超导强磁场材料的新进展

本文评述了超导强磁场材料的新进展。基础科学和高技术的迅速发展,对超导强磁场材料不断提出新的要求。针对一些特定的应用目标,现行的实用超导材料,如Nb-Ti、Nb_3Sn和V_3Ga等,在改进制备工艺和提高性能两个方面都取得了明显的进展。有关多芯复合导体的微结构研究正在蓬勃地展开。对一些具有潜在应用前景的超导体研究,正预示着它们将成为超导技术中使用价值更高的新型材料。基于所研究的科学问题具有交叉学科的特点,今后组织多学科的力量开展合作研究,必将加速这一领域工作的发展。     

Y—Ba—Cu—Al—O体系的X射线光电子能谱研究

对单相样品YBa₂Cu_3-xAl_xO_7-y进行了X射线光电子能谱(XPS)、O缺位以及电阻-温度关系的测量。结果发现,Al在1-2-3相中有可能部分地替代了Cu和Y的位置。由于Al³⁺的存在,使得含量增加,0的环境趋于一致,XPS图谱上O₁₅两个状态的区别很不明显。而明显地观祭到了Cu³⁺的存在。 关键词：     

YBa2-xSrxCu3O7-δ系统的超导电性与结构的关联

本文系统地研究了YBa_2-xSr_xCu₃O_7-δ中超导电性与物相以及结构变化之间的关系。发现当0c并不随Sr的含量而单调变化。在x=1.0处,T_c出现一峰值。同时,超导临界温度与样品的晶体结构之间呈现出强烈的相关性:随着正交性的增强(即a,b间差值的增大),T_c单调地上升。本文还就S 关键词：     

金属玻璃Zr66.7Ni33.3结晶化行为的升温速率效应

本文通过差分比热测量,在连续升温条件下研究了金属玻璃Zr_66.7Ni_33.3的结晶化行为。发现:随着升温速率的增大,不仅使结晶化温度向高温方向移动,完成整个结晶化过程的温区明显地被加宽;而且其放热曲线从单峰结构过渡到双峰结构,两个峰的相对高度也发生消长变化。对一些从典型状态快速淬火的样品作X射线衍射分析,其结果表明:所包含的结晶相均为四角结构的 Zr₂Ni。可以认为:所观测到的现象很可能是与结晶化过程中结晶成核和生长的不同速率相联系的。     

Bi2Sr2Ca1-xYxCu2O8+y的晶体结构、电子结构和超导电性

本文研究了Y替代Ca对Bi₂Sr₂Ca_1-xY_xCu₂O_8+y,超导体晶体结构和电子状态的影响,发现:Y替代Ca后至少使得Bi-O双层中所夹的一层额外的氧原子发生了变化,沿b轴方向的无公度超格子的调制周期从4.7b连续减小到大约为4.0b;并发现当Y完全替代Ca时,则同时存在大约为4b和8b的调制周期.用XPS进一步研究其电子状态变化的结果表明,超导电性的变化不是由于晶体结构的微小变化引起的,而主要是由CuO₂层中O2p轨道空穴的逐步填充所致.结果明确表明,对于该替代体系依然是当Cu离子3d轨道存在一个空穴时(3d⁹态)对应于强关联的反铁磁绝缘体,而当CuO₂层中氧离子2p轨道存在额外的空穴时(即3d⁹L态)对应于超导体.     

(Bi,Pb)2Sr2Ca2Cu3Oy单相样品的超导电性与载流子浓度

对(Bi,Pb)₂Sr₂Ca₂Cu₃O_y单相样品进行不同条件下的热处理,通过X射线衍射、电阻-温度关系、交流磁化率,以及Hall系数等测量,发现样品均具有较好的单相性,随着热处理条件的变化,其超导转变中点温度(T_c)有规律地分布在100—110K之间,T_c随载流子浓度(n_H)的增加而升高。实验结果表明,热处理条件对样品的相结构、超导 关键词：     

零电阻温度高于100K的纯Bi-Sr-Ca-Cu-O材料的制备及其超导电性

采用固相反应法制备名义组分为 Bi_3Sr_2Ca_2Cu_3Oy(3223),Bi_2Sr_2Ca_3Cu_3Oy(2223),Bi_2Sr_2Ca_6Cu_7Oy(2267)的纯 Bi-Sr-Ca-Cu-O 体系的样品.对样品进行了物相分析.电阻率和磁化率测量,结果表明:①组分为3223,2223样品的零电阻温度分别为110.5K 和101K,样品的零电阻温度 T_(ce)与其高 T_c 相的含量并无十分明显的联系;②样品中富 Bi 比富 Ca 更有利于提高零电阻温度.作者认为,样品中富 Bi 有利于改善晶界的导电性能,是提高零电阻温度的主要因素.     

YBa_(2-x)Sr_xCu_3O_y体系的正电子湮没辐射一维角关联谱研究

通过对YBa_(2-x)Sr_xCu_3O_y高温超导体系正电子湮没辐射一维角关联谱的测量,并结合超导临界温度Tc、氧含量以及晶体结构的综合分析,发现:Sr的替代,使体系的正交化程度减弱,T_c系统地下降,氧含量基本不变,也没有影响Cu-O链的电子结构,但却引起了Cu-O面电子结构的较大变化。据此,作者认为Cu-O面的局域电子结构是1:2:3相高温超导体中高温超导电性的决定因素。