催化动力学光度法测定微量钴的研究

在ｐＨ＝４．０的ＨＡｃ－ＮａＡｃ介质中，在避光条件下，钴对无色的Ｆｅ（Ⅲ）－联吡啶配合物还原成红色的Ｆｅ（Ⅱ）－联吡啶配合物有较强的催化作用。据此本文建立了微量钴的新催化动力学光度法，对钴的线性范围为０～１．０μｇ／ｍＬ Ｃｏ，检测限为０．０１８μｇ／ｍＬ。本法选择性较好，多数离子均允许大量存在。本法测定了维生素Ｂ１２及分子筛中的钴，获得满意的分析结果。并对钴的催化机理作了初步探讨。     

自治泛函微分方程的不变性原理

本文改进了具无限时滞的自治泛函微分方程的不变性原理．作为所得结果的一种应用，建立了关于渐近稳定性的一个判别准则．并且，给出例子来说明所得的稳定性结果．     

焦耳定律示教板的制作

焦耳定律是初中物理教材中的难点之一。多年来由于没有教具而不能定量讲述,学生对焦耳定律理解不深。特别是对通电导体产生的热量和电流强度的平方成正比更难理解。为此我们对此实验进行了研究,制成了焦耳定律示教板。在课堂中演示效果明显,数据准确现将示教板的制作方法介绍如下。供大家参考。     

折反射系统光学传递函数的计算

前文⁽¹⁾叙述了折射型光学系统光学传递函数的计算,即园形通光口径外边缘遮拦情况。对于折反射系统来说,除了通光口径的外边缘遮拦外,还有中心遮拦的问题。     

ODA_H_2O_2-HRP偶合反应伏安酶联免疫分析检测植物病毒GFV、TAV和PVY

将邻联茴香胺（ＯＤＡ）＿Ｈ２Ｏ２＿辣根过氧化物酶（ＨＲＰ）偶合反应伏安酶联免疫分析新体系，应用于植物病毒葡萄扇叶病毒（ｇｒａｐｅｖｉｎｅｆａｎｌｅａｆｖｉｒｕｓ，ＧＦＶ）、番茄不孕病毒（ｔｏｍａｔｏａｓｐｅｒｍｙｖｉｒｕｓ，ＴＡＶ）和马铃薯Ｙ病毒（ｐｏｔａｔｏｖｉｒｕｓＹ，ＰＶＹ）的测定。该法对以上各种植物病毒叶澄清液的测定的稀释比均高于酶联免疫吸附分析（ＥＬＩＳＡ）法，检测范围均宽于ＥＬＩＳＡ法。     

真空中激光触发脉冲电压下绝缘材料闪络特性

搭建了真空中脉冲电压下激光触发沿面闪络试验平台,在试验平台上进行常用开关绝缘介质尼龙、聚碳酸酯和Al2O3陶瓷的激光触发沿面闪络特性试验,探讨了真空中激光触发沿面闪络的机理。试验结果表明:聚碳酸酯试品的自闪络电压最高;在真空中脉冲电压下的激光触发沿面闪络试验中,随着激光能量密度的增大,3种材料的时延和抖动均减小;532 nm和1 064 nm波长激光触发的条件下,3种材料的抖动均在1 ns左右,聚碳酸酯抖动较小;532 nm波长激光触发的时延小于1 064 nm波长激光触发的时延。     

纳米TiO_2薄膜的低温等离子体制备技术

以四氯化钛为源物质,氩气为载气,氧气为反应气体,利用低温等离子体增强化学气相沉积在硅基表面制备出了TiO2薄膜。使用场发射扫描电子显微镜、X射线衍射仪等检测分析表征TiO2薄膜的性能与性质,并探讨了工艺条件如基片材料、沉积时间和基片温度对薄膜性能的影响。结果表明:制备的薄膜表面光滑均匀,结构致密,最小晶粒尺寸约15 nm;薄膜的晶型主要依赖于沉积温度,低于300℃沉积的薄膜是无定形的,300℃之上沉积的薄膜是锐钛矿结构。     

ICP-AES测定土壤中钡、铬和锰含量的不确定度评定

电感耦合等离子体-原子发射光谱法(ICP-AES)测定土壤中钡、铬和锰含量的不确定度主要来源于样品称量、样品消解液定容体积和测定样品消解液中各元素的浓度,对这些分量进行了量化计算。土壤中钡、铬和锰的质量分数可分别表示为218.5±17.1,342.5±40.4,1468.9±47.1mg/kg。影响各元素含量测量不确定度的主要因素是测量样品消解液中各元素的浓度引起的不确定度。     

Microstructure and strain films using in-plane grazing analysis of GaN epitaxial incidence x-ray diffraction

This paper investigates the major structural parameters, such as crystal quality and strain state of （001）-oriented GaN thin films grown on sapphire substrates by metalorganic chemical vapour deposition, using an in-plane grazing incidence x-ray diffraction technique. The results are analysed and compared with a complementary out-of-plane x- ray diffraction technique. The twist of the GaN mosaic structure is determined through the direct grazing incidence t of （100） reflection which agrees well with the result obtained by extrapolation method. The method for directly determining the in-plane lattice parameters of the GaN layers is also presented. Combined with the biaxial strain model, it derives the lattice parameters corresponding to fully relaxed GaN films. The GaN epilayers show an increasing residual compressive stress with increasing layer thickness when the two dimensional growth stage is established, reaching to a maximum level of-0.89 GPa.