Guiding of 60keV O6+ Ions through Nanocapillaries in an Uncoated Al2O3 Membrane

We measure the transmission of O^6＋ ions with a higher energy of 60 keV （in turn a higher value of Ep/q） through capillaries in an uncoated AI2 03 membrane, and obtain agreements with previously reported results in general angular distribution of the transmitted ions and the transmission profile width variation with capillary tilt angle. The transmission fractions as a function of the tilt angle can be fitted to the semi-empirical Gaussian-like function well. Due to using uncoated capillary membrane, our ψc is larger than that using gold-coated one, in spite of our larger value of Ep/q, which suggests a larger equilibrium charge Q∞ in our experiment.     

Ar16+和Ar17+离子与Zr作用产生的X射线谱

将超导离子源提供的10—20keV/q Ar¹⁶⁺和Ar¹⁷⁺离子入射到Zr金属表面,在相互作用中产生的X射线谱表明,高电荷态Ar¹⁶⁺离子在金属表面中性化过程中有可能存在多电子激发,使Ar¹⁶⁺的K壳层电子被激发形成空穴,在退激过程中发射特征Kα-X射线.空心原子Ar的K层发射X射线强度随入射离子的动能而减弱,靶原子Zr的L壳层发射X射线强度随入射离子动能的增加而增强.Ar¹⁷⁺的单离子的Kα- 关键词： 高电荷态离子 空心原子 X射线     

Atomic diffusion in annealed Cu/SiO2/Si（100） system prepared by magnetron sputtering

Cu thin films are deposited on p-type Si (100) substrates by magnetron sputtering at room temperature. The inter-face reaction and atomic diffusion of Cu/SiO2/Si (100) systems are studied by x-ray diffraction (XRD) and Rutherford backscattering spectrometry (RBS). Some significant results can be obtained. The onset temperature of interdiffusion for Cu/SiO2/Si(100) is 350 C. With the annealing temperature increasing, the interdiffusion becomes more apparent. The calculated diffusion activation energy is about 0.91 eV. For the Cu/SiO2/Si (100) systems copper silicides are not formed below an annealing temperature of 350 C. The formation of the copper silicides phase is observed when the annealing temperature arrives at 450 C.     

半导体激光器巴条封装应力及评价

为了快捷而有效地检测半导体激光器的封装应力,设计了一种通过检测激光器巴条各个单元偏振度揭示出其封装应力分布的实验方法。实验测试半导体激光器巴条的各项参数,并利用有限元软件模拟,通过半导体能带与应力理论,说明偏振度与封装应力的影响关系。实验表明,巴条个别发光单元的偏振度较低、阈值电流较高是由于封装应力较大。通过计算,封装应力为141.92 MPa,偏振等效应力最大为26.73 MPa。实验器件在阈值以下的偏振度较好地反映了封装应力的分布趋势。利用阈值电流以下测量器件偏振度,可以为选择热沉及焊料材料、焊接工艺参数的改进等方面提供一个较为快捷而有效的检测方法。     

渐近安全引力下的黑洞阴影和光环

重点讨论了薄盘吸积与渐近安全(asymptotically safe,AS)引力修正参数对黑洞阴影和光环的影响.对于薄盘吸积,黑洞的暗区就是黑洞的阴影,而明亮的光环则是由直接像、透镜环和光子环组成的.对于吸积盘辐射源比强度,考虑了3个不同辐射轮廓模型.对辐射起始于最内圆轨道的二阶衰减函数模型,直接像、透镜环和光子环可以明显区分.直接像对黑洞光环亮度贡献最大,透镜环对光环亮度贡献很小,而光子环的贡献几乎可以忽略,且对应观测强度的峰值随AS引力参数的增加而减小,即对应光环亮度随修正参数的增大而变暗.对于辐射起始于光子球半径的三阶衰减函数模型,透镜环和光子环叠加在直接像上,使观测强度出现新的极值.这一极值随AS引力修正参数的增加而增加,且使得黑洞光环的亮度更亮.对辐射起始于事件视界的反三角衰减函数模型,透镜环和光子环在直接像上的叠加范围更大,观测到的光环更宽,且AS引力参数值越小,透镜环和光子环越难区分,黑洞光环的亮度越大.总之,研究表明,黑洞阴影半径的大小随AS修正参数的增加而减小,对于不同的AS引力修正参数,辐射源光强度、尤其是观测强度的辐射轮廓存在显著差异,导致黑洞的阴影和亮环明显不同...     

HWR010超导腔提取耦合器的优化设计

我国自主研发的超导加速器CAFe是ADS加速器的前端示范装置,其对加速器的运行稳定性有非常高的要求.在CAFe的运行中存在场致发射效应干扰超导腔提取信号的问题,是造成超导腔运行故障最频繁的问题之一,这严重降低了加速器的稳定性.这一问题是由于超导腔内的场致发射电子在相关微波传输器件上引起了放电现象,干扰了信号的传输并造成...     

催化剂在降低卷烟焦油中的应用

从七种催化剂中筛选出降焦油效果最好的NYC-C催化剂(简称C型催化剂),研究了C型催化剂的添加量对"月兔"等6种卷烟的焦油量以及烟碱的影响,试验结果表明:添加不同量的C型催化剂均有明显的降焦油效果,而添加量是(1.0～3.0)%时,降焦油效果较好.根据降焦目标的不同,使用不同的添加量皆可达到预期的降焦油效果,且不影响卷烟的吸味.     

熔融盐法制备富氧空位TiO2纳米片及其光催化性能

氧空位缺陷对半导体材料性能的积极作用引起人们越来越多的关注。本文中,以TiCl₄在三氟乙酸中的水解产物为前驱体,通过一步熔融盐法成功合成了具有富氧空位的蓝色TiO₂纳米片。由于熔融盐低的氧分压,使前驱体在煅烧过程中消耗了TiO₂中的晶格氧从而产生大量的氧空位和Ti³⁺。紫外-可见漫反射光谱测试表明,蓝色TiO₂纳米片的带隙宽度减小至2.69eV,光吸收范围从紫外光区拓宽到可见光区。所制备的蓝色TiO₂纳米片表现出优异的光催化活性,在全光谱照射下,对若丹明B的光降解速率是纯TiO₂的47.3倍。同时,形成的晶格氟掺杂能有效地稳定氧空位,极大地提高了光生载流子的分离效率。本工作为在半导体氧化物材料内构建氧空位提供了新的思路。     

基于HfO2插层的Ga2O3基金属-绝缘体-半导体结构日盲紫外光电探测器

作为一种新兴的超宽带隙半导体, Ga₂O₃在开发高性能的日盲紫外光电探测器方面具有独特的优势.金属-半导体-金属结构因其制备方法简单、集光面积大等优点在Ga₂O₃日盲紫外光电探测器中得到了广泛的应用.本文在传统的金属-半导体-金属结构Ga₂O₃日盲紫外光电探测器的基础上,利用原子层沉积技术引入高介电性和绝缘性的氧化铪(HfO₂)作为绝缘层和钝化层,制备出带有HfO₂插层的金属-绝缘体-半导体结构的Ga₂O₃日盲紫外光电探测器,显著降低了暗电流,提升了光暗电流比,同时提高了器件的比探测率和响应速度,为未来Ga₂O₃在高性能弱光探测器件制备提供了一种新通用策略.     

飞秒尺度下的惯性磁化强度动力学

在亚皮秒到飞秒时间尺度下,铁磁体中磁化强度的动力学中要考虑惯性效应,它可以用惯性朗道-利夫希茨-吉尔伯特(inertial Landau-Lifshitz-Gilbert)方程来描述.本文主要介绍了超快铁磁共振、磁矩翻转和惯性自旋动力学在理论和实验上的一些发展,这些研究结果将有助于更好地理解超快退磁和翻转的基本机制,加深对磁惯性微观机制的理解,揭示未来的实验和理论研究的发展趋势.