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221.
以45钢销/302不锈钢盘摩擦副为研究对象,采用自制的销、盘摩擦磨损试验机,研究了直流磁场作用下磨屑在摩擦过程中的行为及其对摩擦磨损性能的作用. 为此分析了有、无磁场作用下磨屑在磨损面上的分布特点,利用扫描电镜观察了磨屑及45钢销磨损面的形貌,采用三维形貌仪表征了磨损面特征区域的相对高度. 与无磁场时的摩擦磨损情况相比,磁场作用下45钢销的磨损量有所增大,而摩擦系数稍有减小. 摩擦过程中出现了302不锈钢盘向45钢销的材料转移并形成了不连续的转移层,该转移层相对高度较大,承担了主要的摩擦磨损并趋于平滑. 磁场作用下45钢销磨损面吸附少量磨屑并使之细化和氧化,该吸附磨屑在一定程度上减小了摩擦副的摩擦系数,并阻碍试样之间的材料转移,从而增加了45钢销的磨损量. 相似文献
222.
223.
通过缓慢蒸发溶剂法合成了2例新的三维稀土钼酸盐:[Ln (H2O)3]3[LnMo12O42]·xH2O,其中Ln=Eu (1)、Tb (2),x=7(1),10.17(2)。这2种稀土钼酸盐中都含有新颖的二十面体[LnMo12O42]构建单元,该单元通过与{LnO9}多面体进一步连接形成三维网络。光致发光测试表明,化合物1和2显示出明显不同的发射特征,这与Eu3+和Tb3+离子的不同能级跃迁密切相关。化合物1表现出较强的红色发射(CIE色度坐标为(0.66,0.33))、高发光强度、较大的荧光量子产率(约60%),对应于从5D0到7FJ (J=4、3、2、1、0)的跃迁;化合物2表现出浅绿色发射(CIE色度坐标为(0.34,0.60)),对应从5D4到7FJ (J=6、5、4、3)的能级跃迁,其发光强度较弱和荧光量子产率较低(约20%)。有趣的是,一定量的Tb3+引入和大量溶剂分子的存在导致化合物2发生部分荧光猝灭,但对化合物1的荧光几乎没有影响。 相似文献
224.
225.
在光学材料与器件中,由于不同波长的光会以不同速度传播,因此一束复色光经过单个光学器件后会产生色散,导致普通透镜不同波长的光无法合焦.传统的聚焦系统可通过叠加多个透镜解决这一问题,但这是以增加系统的复杂度、质量和成本为代价,不适用于高集成度的纳米光学系统.目前比较好的解决方法是平面超透镜,即利用超表面对各点的振幅、相位、偏振等进行空间调控,达到合焦的目的,但这种平面超透镜难以直接片上集成.本文将有限元法与遗传算法相组合发展出一种智能算法,优化出一种宽带高效聚焦的片上集成纳米透镜.该透镜尺寸只有2μm×2μm,可实现波长从470 nm至1734 nm的低色散聚焦,能将大小为2μm的激光光束通过透镜与波导的耦合聚焦成200 nm以下的光束,耦合传播效率可达80%以上.同时,该智能算法能够适用于不同的纳米结构,均可获得类似的聚焦效果和高效的耦合传播效率.该工作为宽带高效的纳米透镜提供了重要思路,也为实现高密度集成的纳米光子器件提供了新途径. 相似文献
226.
假设功能梯度材料Timoshenko梁各项物性参数只沿厚度方向按幂函数进行连续变化,研究了功能梯度材料Timoshenko梁的动力屈曲。基于一阶剪切理论,采用Hamilton原理推导出轴向载荷作用下,功能梯度材料Timoshenko梁动力屈曲的控制方程。利用里兹法与棣莫弗公式相结合,获得了功能梯度材料Timoshenko梁在夹支-固支边界条件下动力屈曲临界载荷的解析表达式和屈曲解。应用MATLAB编程计算,讨论了功能梯度材料Timoshenko梁的几何尺寸、梯度指数、模态数、材料构成、泊松比以及弹性模量对临界载荷的影响。结果表明:功能梯度材料Timoshenko梁动力屈曲临界载荷随梁长度的增大而减小,随着梯度指数的增大而减小,随模态数的增大而增大,说明冲击载荷越大,高阶模态越容易被激发;随着泊松比和弹性模量的增大而增大,且泊松比的影响较小,而弹性模量的影响较大。由于剪切项的影响,临界载荷-临界长度的关系曲线在加载端变化趋势平缓。随着模态数的增大,梁的屈曲模态越为复杂。
相似文献227.
Amorphous indium-gallium-zinc oxide (a-IGZO) thin films are prepared by pulsed laser deposition and fabricated into thin-film transistor (TFT) devices. In-situ x-ray photoelectron spectroscopy (XPS) illustrates that weakly bonded oxygen (O) atoms exist in a-IGZO thin films deposited at high O2 pressures, but these can be eliminated by vacuum annealing. The threshold voltage (Vth) of the a-IGZO TFTs is shifted under positive gate bias, and the Vth shift is positively related to the deposition pressure. A temperature variation experiment in the range of 20 K-300 K demonstrates that an activation energy of 144 meV is required for the Vth shift, which is close to the activation energy required for the migration of weakly bonded O atoms in a-IGZO thin films. Accordingly, the Vth shift is attributed to the acceptor-like states induced by the accumulation of weakly bonded O atoms at the a-IGZO/SiO2 interface under positive gate bias. These results provide an insight into the mechanism responsible for the Vth shift of the a-IGZO TFTs and help in the production of reliable designs. 相似文献
228.
229.
230.
The kinetics of the first order autocatalytic decomposition reaction of nitrocellulose (NC, 13.86% N) was studied by using DSC. The results show that the DSC curve for the initial 50% of conversion degree of NC can be de scribed by the first order autocatalytic equation dy/dt =-10^16.3 exp (-181860/RT)y-10^16.7ex(-173050/RT)y(1-y) and that for the latter 50% conversion degree of NC described by the reaction equations dy/dt=-10^16.4exp(-154820/RT)y (n=1) and dy/dt=-10^16.9 exp(-155270/RT) y^2.80(n≠1). 相似文献