部分线性变系数模型的随机约束岭估计

作为变系数模型和部分线性模型的推广,部分线性变系数模型近年来得到越来越多的关注.本文考虑该模型在线性部分自变量存在多重共线性并且参数分量附加有随机约束条件时的估计问题.基于profile最小二乘技术以及岭估计和混合估计方法,构造参数分量的profile混合岭估计,并且研究所提估计量的渐近性质.最后利用数值模拟验证所提估计方法的有效性.     

光量热仪表征紫外光固化胶黏剂的固化过程

利用光量热仪对紫外光固化胶(UV胶)固化行为进行表征。使用光量热仪对UV胶进行测试并制作DSC曲线,根据固化前后的DSC曲线之差求得样品紫外光固化曲线,从而求得样品固化时间。结果表明光量热仪可方便地表征不同紫外光照射强度下光固化胶的固化行为,为UV胶的配方设计、固化剂类型及用量的选择、工艺应用参数的确定等提供参考数据。     

直梁的特征值反问题及飞机空速管的振动设计

本文根据直梁有限元模型的特点将特征方程KX=λMX中K、M矩阵表为若干结构参数的函数,即K=K(p_1,p_2,…p_m),M=M(q_1q,q_2,…q_m).从而导出以结构参数为未知量的逆特征方程,并分析了可解的条件及结构参数对特征数据的敏感性等问题.     

一种改进的位移反分析方法

为了发展可用于各种岩土工程及工程地质问题的一般的位移反分析系统方法, 本文在边界控制方法的基础上进行了改进。其目的是对于其各种复杂的系统问题确定最重要的力学参数。     

CO_2压缩机级临界点附近压缩特性的数值研究EI北大核心CSCD

尿素行业中的CO_2高压离心压缩机经常需要经历跨临界的压缩过程,在采用CFD技术进行性能分析时,理想物性并不满足临界点变化规律。本文采用二氧化碳实际物性,并与理想物性得出的性能做了比较,指出了不同工况下两者的性能差异.在此基础上,本文又对旋转叶轮及静止回流器内部流动情况进行分析,给出了气动参数与热物性的比较,为CO_2高压压缩机设计与计算提供依据。     

测量电子束流的小型法拉第筒

介绍一种测量束流强度不大于50kA,能量不超过0.8MeV的小型法拉第筒。经标定,此法拉第筒上升前沿小于6ns。已用于契伦柯夫自由电子激光的传输束流测量。     

稳定自由基存在下苯乙烯聚合的加速剂

研究了稳定自由基存在下苯乙烯的活性聚合，发现在β－酮酸酯[乙酰乙酸乙酯（AAE），乙二酸二乙酯（DEM）]，1，3－二酮[乙酰丙酮（AAT）]及强酸酐[三氟乙酸酐（TFA）]的少量存在下，苯乙烯聚合速率显著增加，分子量可控，分子量分布较窄。而有机强酸[氯乙酸（CAA），溴乙酸（BAA），2，4，6－三硝基苯酚（TNP）]并不提高聚合速率。     

遗传C~*-子代数与可补闭子模的关系定理

设 E是 Hilbert C~*-模,证明了E的每个闭子模均可补的充要条件是 K(E)的每个非零遗传C~*-子代数B,均有形式B=pK(E)p,其中p为L(E)中投影元。     

自由基介导含氟杂环化合物的构建研究

含氟杂环化合物由于其优异的物理化学性质,在有机化学、药物化学、材料科学等诸多领域扮演着重要的角色.但自然界中,天然含氟杂环化合物屈指可数,开发高效的含氟杂环化合物的合成方法显得尤为重要.随着过渡金属催化、光催化以及电催化自由基反应的迅速发展,自由基化学在合成领域取得了突破性进展,激发了有机化学家利用自由基化学构建含氟杂环的兴趣.主要以不饱和烃的单氟烷基化、二氟烷基化、三氟甲基化、三氟烷氧/硫/硒基化、全氟烷基化以及杂环的直接C—H氟烷基化进行分类,从过渡金属催化、光催化以及电催化等几个方面,对自由基介导的含氟侧链杂环化合物的构建进行讨论.     

Different effects of Ce-doping on orbital and spin ordering in perovskite vanadate Sm_(1-χ)Ce_χ VO_3

The effects of Ce-doping on the phase transition of the orbital/spin ordering (OO/SO) are studied through the structural, magnetic, and electrical transport measurements of perovskite vanadate Sm1 x Ce x VO 3 . The measurements of structure show that the cell volume decreases as x≤ 0.05, and then increases as Ce-doping level increases further. The OO state exists but is suppressed progressively in the sample with x≤0.2 and disappears as x0.2. The temperature at which the C-type SO transition is present increases monotonically with Ce-doping level increasing. The temperature dependence of resistivity for each of the samples shows a semiconducting transport behavior and the transport can be well described by the thermal activation model. The activation energy first decreases as x ≤0.2, and then increases for further doping. The obtained results are discussed in terms of the mixed-valent state of the doped-Ce ions.