共溅射法制备Cu-In合金膜及电学性能分析

采用共溅射方法制备了Cu-In合金膜，并讨论了Cn-In合金膜的结构、电学性能以及溅射时间对Cu-In合金膜的结构及电学性能的影响，结果显示，Cu－In合金膜仅有单峰、多晶晶面间距不随着膜厚的增加而改变，用费－桑理论对Cu-In合金膜的电学性质进行了分析，临界厚度的讨论结果表明，溅射3－4min是面电阻的转变点，而电学参数分析也给出相同的结果。     

射频溅射Indium-Tin-Oxide薄膜的结构和光电性质HT5"H

用磁控射频溅射方法制备 Indium- Tin- Oxide(ITO)薄膜 ,研究了基片温度对薄膜结构、光、电性质的影响 .基片温度 41 0°时 ,结晶最好 ,相应的电学性质最优 ,并且解释了电学性质随结构变化的微观原因 .样品在可见光谱区的平均透过率超过 80 % ,受基片温度影响不大 ,确定薄膜的光能隙为 3.55ev     

纳米PbS的合成新方法——一步室温固相化学反应法

纳米ＰｂＳ的合成新方法———一步室温固相化学反应法俞建群１贾殿赠１张校刚１夏熙１郑毓峰２（１新疆大学化学系，乌鲁木齐，８３００４６）（２新疆大学物理系，乌鲁木齐，８３００４６）关键词纳米；硫化铅；固相化学反应当前，合成化学的研究热点在于合成方法的不...     

碲化镉纳米线的制备和生长机理分析

利用物理气相沉积方法,在Si衬底上制备了CdTe纳米线和纳米晶.X射线衍射（XRD）和扫描电子显微镜（SEM）研究表明所得产物为四方结构CdTe.CdTe纳米线的直径约20nm,长度约为几个微米,纳米晶粒径约为100 nm.分析了载流气体流速、温度等因素对过饱和度的影响,进而影响低维纳米材料的形貌结构.     

CdS(Se)掺Cu薄膜的相结构和光电性能

分别采用X射线衍射（XRD）、俄歇电子谱（AES）、X射线光电与谱（XPS）研究喷涂烧结CdS(Se）薄膜在有氮气氛下热退火前后结构，并进一步研究了镉和硫化学态对表面层氧成分的影响，结果表明，表现几个原子层范围内的CdS(Se)膜的非化学计量组成和CdO降低了薄膜的光电性能和寿命。     

高比表面极性大孔树脂的结构设计及在甜菊糖Rebaudioside D苷分离中的应用

基于高交联聚苯乙烯树脂骨架上悬挂双键的二次引发,设计合成了一类弱极性酯基功能基含量较高且兼具高比表面积的新型大孔吸附树脂,在吸附分离中表现出偶极-疏水协同作用机制,用于甜菊糖中结构相近的单体糖苷Rebaudioside D (简称RD)的分离纯化,克服了传统吸附树脂的选择性和吸附容量不能兼顾的缺点,对甜菊糖粗提物纯化后,RD苷的纯度由7.1%提高到51.2%。     

纳米氧化镍、氧化锌的合成新方法

以草酸和醋酸盐为原料,用室温固相化学反应首先合成出前驱配合物二水合草酸镍和二水合草酸锌,进而二水合草酸镍和二水合草酸锌分别在380℃和460℃热分解2 h,得到产物纳米氧化镍和氧化锌。用X-射线粉末衍射、透射电镜对产物的组成、大小、形貌进行表征。结果表明,产物纳米氧化镍为球形立方晶系结构,平均粒径均为40 nm左右,产物氧化锌为粒度分布均匀的球形六角晶系结构,平均粒径约为20 nm。     

EDTA辅助水热合成FeS2/NiSe2复合纳米晶及其薄膜光电性质

以EDTA为螯合剂，加入MX2结构化合物NiSe₂作为晶种，水热合成了FeS₂纳米晶. x射线衍射分析结果表明产物为单一相黄铁矿型FeS₂（pyrite）,平均粒径约40—50nm.丝网印刷成膜且高温退火后FeS₂薄膜光学直接带隙变宽.随晶种量的增加，吸收边在紫外—可见光谱区红移、方块电阻升高、霍尔迁移率上升和载流子浓度下降，实现了n型掺杂.并且对FeS₂的形成机理进行了讨论. 关键词： 2纳米晶')" href="#">FeS₂纳米晶 水热 诱导结晶 直接禁带宽度      

纯氮气反应溅射c-轴择优取向AIN薄膜的制备及性质研究

在纯氮气气氛、衬底温度为20℃至370℃的条件下,分别在硅（100）和石英衬底上沉积氮化铝薄膜．原子力显微镜图片表明：在不同衬底温度制备的薄膜表面平滑,均方根粗糙度为2．2—13．2nm．X射线衍射图谱表明：可以在衬底温度为180°条件下沉积出具有c-轴择优取向的纤锌矿氮化铝薄膜,衬底温度的增加有利于薄膜结晶性的改善．由紫外-可见光透射谱计算得到薄膜折射率为1．80～1．85,膜厚约为1μm、光学能隙为6．1eV．