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强电磁脉冲普遍存在于高能激光、X光装置和未来战场等环境中,这种恶劣的环境会对电子学设备,尤其是承载特定任务而无法增加屏蔽手段的光学成像设备造成严重威胁。选用数码相机和分立的电荷耦合器件(CCD)摄像系统作为典型的效应物,开展了光学成像设备在不同强电磁脉冲环境下的效应实验研究。通过实验观察到了成像设备功能异常、成像质量下降甚至端口部件烧毁等效应。对实验中观察到的效应及其发生的电磁场环境数据进行总结分析,提出了应用于特定环境阈值下设备的失效概率,即概率阈值的概念来衡量设备在恶劣环境下的生存状态的观点,并给出了CCD成像系统的概率阈值曲线,最后对此类型实验的开展和效应数据处理方法进行了探讨。本研究结果能为成像设备在强电磁环境下的状态评估及防护技术研究提供数据支撑和参考依据。 相似文献
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水杨醛和联肼通过一步反应制得聚集诱导发光分子—肼二水杨腙,利用紫外-可见吸收光谱、荧光光谱和纳米粒度分析对β-环糊精(CD)对肼二水杨腙的包覆过程进行了研究。结果显示,β-CD对肼二水杨腙具有明显的包覆作用,紫外吸收光谱显示在不良溶剂水,以及在0.1 mL良溶剂DMF的存在下,β-环糊精(CD)均可包覆肼二水杨腙分子。荧光光谱表明,β-CD包覆作用会直接减缓AIE分子聚集,使荧光强度下降;同时,肼二水杨腙分子与β-CD空腔尺寸更匹配,表现在β-CD包覆肼二水杨腙分子后荧光强度降至59.5%,下降幅度大于α-CD(69.5%)。 相似文献
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