核计算技术在核测井中的应用

本文介绍了核计算技术在核测井中的应用概况及其具体应用实例。     

含硫配体在ZnS：Cu水溶胶制备中的应用

体相ＺｎＳＣｕ具有优越的交直流电致发光性能，在屏幕显示领域有着广泛的应用［１］．近年来随着ＺｎＳＭｎ纳米材料研究的深入［２～４］，对于纳米ＺｎＳＣｕ的研究也引起了人们极大的兴趣［５］．但研究进展十分缓慢，主要原因一是由于其中的掺杂元素以Ｃｕ（Ⅰ）的形...     

甘油对白酒中甲醇含量测定的影响

应用水浴控温(<90℃)蒸馏,可消除化学比色法测定白酒中甲醇含量时甘油的干扰,效果良好。     

循环伏安法研究Ba2YCu3O7—y超导体

本文利用电化学循环伏安法(CV 法),以饱和 Ba(OH)_2水溶液为电解液,对单相Ba_2YCu_3O_(7-y)正交和四方结构超导体进行了研究.结果发现:在典型的正交相中确实存在Cu~(3+)→Cu~(2+)的还原峰,而四方相则无此峰出现.从而首次直接检测到 Ba_2YCu_3O_(7-y)烧结体中 Cu~(3+)离子.     

Continuous-wave operation of InAs/InP quantum dot tunable external-cavity laser grown by metal-organic chemical vapor deposition

We demonstrate high-performance broadband tunable external-cavity lasers(ECLs) with the metal-organic chemical vapor deposition(MOCVD) grown In As/In P quantum dots(QDs) structures. Without cavity facet coatings, the 3-d B spectral bandwidth of the Fabry–Perot(FP) laser is approximately 10.8 nm, while the tuning bandwidth of ECLs is 45 nm.Combined with the anti-reflection(AR)/high-reflection(HR) facet coating, a 92 nm bandwidth tuning range has been obtained with the wavelength covering from 1414 nm to 1506 nm. In most of the tuning range, the threshold current density is lower than 1.5 k A/cm2. The maximum output power of 6.5 m W was achieved under a 500 m A injection current.All achievements mentioned above were obtained under continuous-wave(CW) mode at room temperature(RT).     

用摄动法建立边界层方程

用摄动法建立边界层方程王培光，王振东（河北大学数学系，保定０７１００２）（天津大学力学系，天津３０００７２）边界层理论是普朗特（１８７５－１９５３年）对流体力学的最主要贡献之一，也是黏性流体力学重要的基础性理论．１９世纪末，流体力学沿着两条看来似无关...     

GC-MS与HPLC/DAD联用对纺织品中4-氨基偶氮苯的测定

从化学反应条件的控制及气相色谱-质谱(GC-MS)和高效液相色谱/二极管阵列检测器(HPLC/DAD)联用方面,探讨了4-氨基偶氮苯的检测方法。实验表明,在样品中加入氢氧化钠,样品中的4-氨基偶氮苯和新鲜配制的连二亚硫酸钠发生反应,使4-氨基偶氮苯的碳碳双键断裂。释放的4-氨基偶氮苯在氯化钠存在的混合物中与叔丁基甲醚进行液液萃取。取叔丁基甲醚层进行分析,通过GC-MS的保留时间及特征离子碎片并结合HPLC/DAD紫外法对4-氨基偶氮苯进行定性和定量分析。4-氨基偶氮苯在2.5~30 mg/kg范围内呈良好的线性关系,其线性方程为:y=91.23x+5.272,相关系数r=1.000,检出限为3.20 mg/kg,平均回收率不低于90%。     

AlB+n(n=2～10)团簇结构和红外振动光谱研究

用密度泛函理论的B3LYP方法在6-311G(d)水平上对AlB+n(n=2～10)团簇几何结构、稳定性、电子结构和成键特性进行了系统理论研究,得到了AlB+n(n=2～10)团簇的最稳定结构.结果表明,硼原子间容易聚集,铝原子处于整个硼原子集团的外围.与相应中性AlBn团簇相比,Al-B键作用变弱,使正价团簇(n=6...     

O2流量对磁控溅射N掺杂TiO2薄膜成分及晶体结构的影响

利用直流脉冲磁控溅射方法在室温下通过改变O₂流量制备具有不同晶体结构的N掺杂TiO₂薄膜,利用台阶仪、X射线光电子能谱仪、X射线衍射仪、紫外-可见分光光度计等设备对薄膜沉积速率、化学成分、晶体结构、禁带宽度等进行分析.结果表明:所制备的薄膜元素配比约为TiO_1.68±0.06N_0.11±0.01,N为替位掺杂,所有样品退火前后均未形成Ti—N相结构,N掺杂TiO₂薄膜的沉积速率、晶体结构等主要依赖于O₂流量.在O₂流量为2 sccm时,N掺杂TiO₂薄膜沉积速率相对较高,薄膜为非晶态结构,但薄膜内含有锐钛矿(anatase)和金红石(rutile)相晶核,退火后薄膜呈anatase和rutile相混合结构,禁带宽度仅为2.86 eV.随着O₂流量的增加,薄膜沉积速率单调下降,退火后样品禁带宽度逐渐增加.当O₂流量为12 sccm时,薄膜为anatase相择优生长,退火后呈anatase相结构,禁带宽度为3.2 eV.综合本实验的分析结果,要在室温条件下制备晶态N掺杂TiO₂薄膜,需在高O₂流量(＞10 sccn)条件下制备. 关键词： 2薄膜')" href="#">N掺杂TiO₂薄膜 磁控溅射 化学配比 晶体结构