基于I-V-T和C-V-T的GaN上Ni/Au肖特基接触特性研究

基于对制作在n-GaN上的肖特基二极管的变温I-V测试和C-V测试，采用表面势垒减薄模型对肖特基二极管的电流输运特性进行了研究.试验结果表明，肖特基接触的电流输运机理非常复杂，在不同的温度条件和偏压条件下有着不同的电流输运机理.在此基础上对肖特基接触I-V特性方程进行了修正，得到了很好的拟合曲线.试验表明，高温I-V法提取的势垒高度与常温C-V法提取的势垒高度接近于根据金属功函数得出的理论势垒高度值. 关键词： 氮化镓 肖特基二极管 表面势垒减薄模型 热电子场发射     

非线性Rosen-Zener跃迁

研究了非线性两模系统的Rosen-Zener跃迁.在绝热近似下，对基态能相同的两个模态，非线性相互作用使原子表现出强烈的集体行为，它们总是趋向于聚集到同一个模态上.因此外场的绝热调制能够把原子从一种模式彻底转移到另一种模式上.在经典相空间中，可以成功地解释该现象.提议利用现有的玻色爱因斯坦凝聚实验观测这一效应. 关键词： Bose-Einstein凝聚 Rosen-Zener跃迁 Rabi振荡 受激Raman绝热暗通道     

离子速度成像法研究HNCO分子在210 nm的光解动力学

用三维离子速度成像方法研究了HNCO分子在210 nm光解下的光解动力学．得到了光解产物CO在不同转动态的角分布和平动能分布．结果表明，HNCO分子在210 nm光解的主要通道是产生NH(a1￠)+CO(X1§+)的通道；碎片CO具有很高的转动激发，而NH的转动激发很小，约50％可资用能转化为平动能，该通道解离能确定为42738 cm?1；解离各向异性参数ˉ 最小为?0.75，且随着NH转动激发增大．该研究首次实验上证实了HNCO分子的快速、直接解离过程．ˉ值随NH的转动变化可以用经典碰撞模型予以解释．     

宽谱段相移干涉多自由度采集系统设计与分析

为了满足现代工业领域中对复杂结构产品的高精度多自由度测量需求,构建了多自由度联合采集系统模型.建立了宽谱段相移干涉多自由度采集系统模型,并对系统中的光学部件进行了设计;以相移干涉技术为基础,提出了多自由度联合测量算法,并分析验证了所设计系统的合理性;根据仪器的物理和光学参数对算法进行了具体实现,基于Simulink的仿...     

通过能量传递实现Ba5-2x-yTbxNax(PO4)3Cl∶yEu2+荧光粉的光谱调控

通过[Na~+,Tb~(3+)]离子对取代[Ba~(2+),Ba~(2+)]离子对,制备了一系列的Ba_(5-2x-y)Tb_(x )Na_x(PO_4)_3Cl∶y Eu~(2+)荧光粉。通过X射线粉末衍射、扫描电子显微镜、光致激发和发射光谱对其结构、形貌、组成及发光性能进行研究。结果表明:在354 nm激发下,Ba_(3.97)Tb_(0.50)Na_(0.50)(PO_4)_3Cl∶0.03Eu~(2+)样品的发射光谱既包含了Eu~(2+)位于450 nm左右的宽带特征发射,又包含了Tb~(3+)位于490、545、583和622 nm的窄峰特征发射。由于存在Eu~(2+)→Tb~(3+)的能量传递,使得Ba_(3.97)Tb_(0.50)Na_(0.50)(PO_4)_3Cl∶0.03Eu~(2+)中Tb~(3+)的发光强度相对于Ba_(4.00)Tb_(0.50)Na_(0.50)(PO_4)_3Cl中Tb~(3+)的发光强度显著提高。通过改变[Na~+,Tb~(3+)]离子对的浓度,实现了对Ba_(5-2x-y)Tb_(x )Na_x(PO_4)_3Cl∶y Eu~(2+)荧光粉的光谱调控。当x=0.50时,Ba_(4.97-2x)Tb_(x )Na_x(PO_4)_3Cl∶0.03Eu~(2+)中Tb~(3+)的发光强度达到最大。     

聚乙二醇化学改性的大豆分离蛋白凝胶

将聚乙二醇单甲醚中的羟基氧化成醛基,然后通过Schiff碱及还原反应将聚乙二醇片段接枝到大豆分离蛋白的分子链上.经过聚乙二醇改性的大豆分离蛋白可以在37℃自发形成凝胶,且随着聚乙二醇接枝率的增加,凝胶时间可以缩短至30 min以内.因此,经过该乙二醇改性的大豆蛋白水凝胶有望成为一种可注射型水凝胶,在生物医药领域具有相当的应用前景.     

化学中考试题与课程标准一致性研究*——以聊城市化学中考试题为例

通过利用SEC“一致性”分析工具对聊城市2016-2018年化学中考试题与《义务教育化学课程标准(2011年版)》的一致性进行分析,得出2016-2018年的聊城市化学中考试题与课程标准不具有统计学意义上的一致性。在内容主题及认知层次分布上,3个年份的试题与课程标准均存在着明显的差异。     

重离子产生δ电子对SRAM单粒子翻转的影响

随着微电子器件集成度增加,由入射离子在器件灵敏区内引起的δ电子分布对器件单粒子效应的影响越来越显著;尤其是它极易引发多位翻转,严重影响设计加固的有效性。首先利用蒙特卡罗软件包Geant4模拟得到重离子在器件灵敏区内产生的δ电子分布,分析得出以下规律:入射离子单核能越高,其产生δ电子分布的径向范围越大;单核能相同的不同种离子,原子序数越大其产生的δ电子密度越大。其次,通过模拟一款45 nm静态随机存储器的单粒子翻转效应,说明δ电子和灵敏区分布共同影响器件的多位翻转。当器件灵敏区间距一定时,多位翻转率随入射离子能量的升高先上升后下降;在多位翻转率峰值和布喇格峰之间,多位翻转率随入射离子线性能量传输(LET)值的升高而降低,在该区域两侧多位翻转率随离子LET值的升高而升高。     

一种特殊的正整方幂数

试写出一个n(n≥2为正整数)位数,它等于该数的n位数字之和的n次方.这样的数存在吗?如果存在,它有多少?我们仔细分析,从关键词下手.某数的n次方是一个n位数,此其一;n位数字之和的n次方,恰好是这个n位数,此其二.一个正整数的n次方是一个n位数,首先这个数必须是一个个位位数;又2~n,3~n(n≥2的正整数)不可能如此.因此,我们只考虑正整数K,且3相似文献   

一种特殊的正整方幂数

试写出一个n（n≥2为正整数）位数,它等于该数的n位数字之和的n次方． 这样的数存在吗？如果存在,它有多少？ 我们仔细分析,从关键词下手．