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461.
以三分子亚甲基蓝(MB)标记适体探针为分子识别元件,构建了一种卡那霉素生物传感器.该传感器采用目标物诱导探针构型变化的信号转导机制.以Au-S化学法将适体探针自组装于金电极表面形成稳定的单分子层传感界面,利用交流伏安法和循环伏安法考察了传感过程的基础电化学行为和传感器分析性能.在优化条件下,相比于单分子MB标记,该传感...  相似文献   
462.
本文合成了三个噻吩桥联香豆素衍生物,7-N,N-二乙氨基-3-(5-(芘-1-基)噻吩-2-基)-香豆素(Py-Th-NC),7-(N,N-二乙氨基)-3-(4-(5-(7-(N,N-二乙氨基)-香豆素-3-基)噻吩-2-基)苯基)-香豆素(NCTh-Ph-NC)和3-(4-(5-(7-(N,N-二乙氨基)-香豆素-3-基)噻吩-2-基)苯基)-香豆素(NC-Th-Ph-C),分别采用HRMS、1H NMR和IR对其结构进行了表征,并研究了三个化合物的发光性能、电化学性能及热稳定性。结果表明,这些香豆素衍生物具备很好的热稳定性,并在二氯甲烷溶液中显示蓝绿色或绿色荧光。  相似文献   
463.
酰基吡唑啉酮及其席夫碱是一类杂环β─二酮螯合剂。其活性的双酮配位基可以同多种金属或稀土离子形成大量的配合物,是金属和稀土离子良好的萃取剂和螯合剂[1~5],是一类优良的荧光材料中间体,同时表现出一定的抗菌、抗病毒性能[6~11],目前在药理、生物活性试剂、冶金、染料、发  相似文献   
464.
采用紫外可见光分光光度仪(UV法)和电感耦合等离子体原子发射光谱仪(ICP-AES法)测定聚酯切片中的二氧化钛含量和灰分含量.通过比较分析两种测定方法发现,UV法测定结果的准确度、精密度和可靠性较差;ICP-AES法的准确度、精密度和可靠性较优,二氧化钛的加标回收率为98%~102%,相对标准偏差为0.62(n=8).  相似文献   
465.
采用四极杆/静电场轨道阱高分辨质谱仪,在分辨率高达70000情况下,直接采集碎裂片段的高精度质荷比(m/z),并通过元素模拟得到各碎片离子的元素组成,进而探究芬太尼类药物的裂解规律。结果表明:芬太尼类药物分子结构中叔胺基团的存在,使其极易被质子化,形成分子离子峰[M+H]^(+);裂解过程首先发生在叔胺与哌啶环相连的C-N键上,即哌啶环上的γ-H重排到与叔胺基团相连的羰基氧上,哌啶环上的β-键断裂(麦氏重排),形成一个中性丢失分子,另一端形成带电荷的碎裂片段,在高碰撞能量下,碎裂片段进一步发生裂解。按照化学结构将37种芬太尼类药物及其裂解途径划分为3类:(1)结构中含有N-苯基丙酰胺基团(149 Da),均可形成以149 Da为中性丢失的特征碎片离子m/z[M+H-149 Da]^(+);(2)N-苯基丙酰胺基团被其他任意非氢原子取代,而与之相连的哌啶环-苯乙基结构保持不变,中性丢失后则可产生特征碎片离子m/z 188.1433(C_(13)H_(18)N^(+)),随后哌啶环与苯乙基进一步发生N-C键断裂,形成特征碎片离子m/z 105.0702(C_(8)H_(9)^(+))和m/z 84.0814(C_(5)H_(10)N^(+));(3)不含完整母核结构的芬太尼类药物,多由修饰后的N-苯基酰胺与哌啶环构成,不能通过上述特征碎片离子进行定性,但均能通过高碰撞能量下吡啶环及其裂解产物m/z 84.0814(C_(5)H_(10)N^(+))和m/z 54.0724(C_(3)H_(4)N^(+))进行快速鉴定。  相似文献   
466.
建立了液相色谱-串联质谱法测定新型亲环蛋白D抑制剂RN-0001在SD大鼠全血中的浓度。样品前处理采用简单的蛋白沉淀法,色谱分离在Gemini C18110,色谱柱(50 mm×2 mm,5μm)上进行,以含10 mmol/L乙酸铵和0.1%甲酸的水溶液作为流动相A,含0.1%甲酸的甲醇溶液作为流动相B,在0.8 mL/min流速下梯度洗脱。待测物RN-0001和内标环孢菌素A的检测采用正离子电喷雾多反应监测模式,其检测离子对分别为m/z 645.4/156.2和m/z 601.8/156.1。RN-0001在30.0 ng/mL~30.0μg/mL浓度范围内线性关系良好(r 2>0.9961),定量下限为30.0 ng/mL,批内和批间的精密度小于5.2%,批内和批间准确度在-3.6%~6.7%之间。RN-0001基质样品在室温放置18 h,-80℃冰箱放置40天以及经过5次冻融循环后均稳定。SD大鼠尾静脉注射3 mg/kg的RN-0001注射液进行药代动力学研究,RN-0001的半衰期t 1/2为3.53 h,峰浓度C 0为9370 ng/mL,血药浓度-时间曲线下面积AUC 0-24 h为5300 h·ng/mL。结果表明,所建方法适用于RN-0001在SD大鼠体内的药代动力学研究。  相似文献   
467.
TF 线圈为大型“D”形轮廓, 由高、 中、 低场线圈通过套装和堆叠而成. 需要分别对高中低场线圈进行绝缘处理, 套装后填充高中低场之间的间隙(10 mm~120 mm) , 包绕对地绝缘后, 再对间隙填充层进行绝缘处理. 为了充分验证绕组制造的工艺, 采用一个以中场绕组尺寸的Dummy 绕组进行真空压力浸渍(Vacuum Pressure Impregnation, VPI) 完成线圈绝缘. 针对 VPI 过程中真空环境、 外部压力、 固化温度、 时间控制等方面的技术难点, 完成 TF Dummy 线圈 VPI 系统设计. 采用 CATIA 软件对 Dummy 线圈 VPI 系统进行建模, 合理设计子系统, 有效缩短 VPI过程的时间, 保证绝缘质量. 通过每个子系统的理论分析计算, 更精确地选择 VPI 系统配备的设备型号,CFETR TF Dummy 线圈 VPI 系统的设计和相关工艺的验证对后续 TF 线圈制造至关重要.  相似文献   
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