两亲性Ti-V-β沸石的制备及其相界面催化反应性能的研究

采用三甲基氯硅烷(TMS)和正十八烷基三氯硅烷(OTS)对Ti-V-β沸石样品进行表面修饰,制备出了两亲性TMS-Ti-V-β和OTS-Ti-V-β沸石,通过XRD,FTIR,UV-Vis,SEM和低温氮气吸附-脱附等手段对样品进行了表征。同改性前样品相比,两亲性Ti-V-β沸石骨架未遭破坏,只是晶貌发生了一些改变。其BET比表面积和BJH孔容均稍有下降(Ti-V-β为428 m²·g^-1和0.54 cm³·g^-1, TMS-Ti-V-β为382 m²·g^-1和0.40 cm³·g^-1, OTS-Ti-V-β为290 m²·g^-1和0.28 cm³·g^-1)。这类两亲性沸石能分布于水、油两相界面处,在不加共溶剂及静置的反应条件下,对环己烯水化的相界面反应表现出优良的催化活性( 环己烯的水合率和环己醇的选择性分别为: Ti-V-β 0.61%和76%、OTS-Ti-V-β 2.01%和90%、TMS-Ti-V-β 7.35%和95%)。可以看出,三甲基氯硅烷改性后的TMS-Ti-V-β沸石在相界面催化反应中,具有比改性前高得多的活性。     

可数个非扩张映射族公共不动点的收敛

利用投影算子方法提出了一种新的迭代序列,并且证明了该迭代序列在N ST-条件下收敛到可数多个非扩张映射族的公共不动点和变分不等式的解,此结果推广并改进了一些相关结论.     

激光通讯演示装置

自激问世以来,激光通讯技术应运而生,而且正在不断地发展。为了开扩学生视野和激发学生学习积极性,我们(张立德、王金章和笔者)用实验室一般都有的一毫瓦氦氖激光器、录音机和扩音机等组成了这套激光通讯演示装置, 一、原理简述 1.示意图 2.工作原理 当激光管工作电流调到工作点附近时、激光束的强度和供电电压间可看成是线性关系.激光管稳定工作时,激光电源供给的是一个稳定的直流高压.当它和调制器串联后再给激光管供电时,此时的电压则是被声源信号所调制,因此激光束强度亦将随声源信号而变化.作为接收器的硅光电池受到这样被调制了的激光…     

“双一流”背景下高等电化学课程改革与创新

以电化学原理与应用课程为例,结合中南大学“双一流”建设需要,提出高等电化学课程改革和创新的重要性。从教学内容、教学模式、教材资料和教学团队等方面的发展历程深入探讨了本课程的改革和创新方法,并对比展示了课程改革的初步成效。相信本课程的改革与创新探索研究对于研究生教育教学改革工作具有积极的推动作用。     

渐近非扩张映象不动点的三重迭代法

利用赋范线性空间X的凸性模定义,以及凸性模的单调性及半紧性条件研究了渐近非扩张映射T:D→D不动点的三步迭代法.主要结果将过去一些学者研究的二步迭代推广到三步迭代,并减弱了许多条件.从而推广了同类问题的某些结果.     

非线性增生算子方程带误差的三重迭代及其收敛性分析

设Z为实一致光滑Banach空间,T∶Z→Z为强增生映射,文章提出了新的带误差的三重迭代序列,并证明了带误差的三重迭代序列强收敛到方程Tx=f的唯一解,(带误差的)Mann迭代和(带误差的)Ishikawa迭代均可作为其特例.此外,相关结果也讨论了关于强伪压缩映射不动点的三重迭代逼近问题.     

Banach空间中含$(H,\eta)$单调算子变分包含组解的迭代法

In this paper, we introduce and study a new system of variational inclusions involving （H, η）-monotone operators in Banach space. Using the resolveut operator associated with （H, η）- monotone operators, we prove the existence and uniqueness of solutions for this new system of variational inclusions. We also construct a new algorithm for approximating the solution of this system and discuss the convergence of the iterative sequence generated by the algorithm.     

一步法合成g-C3N4纳米片用作苯酚可见光降解高效催化剂

石墨相氮化碳(g-C3N4)是一种在室温条件下最稳定的氮化碳.同时g-C3N4的带隙为2.7 eV,可以利用可见光催化很多反应,例如光解水、CO2还原、有机污染物降解和有机物合成.但普通体相g-C3N4的光催化性能不尽如人意,主要是由于普通体相材料的载流子复合效率高,可见光(<450 nm)利用率低且比表面积小.众所周知,半导体的光催化性能与材料表面状态密切相关,因此可以控制合成条件来制备有利于光催化形貌的g-C3N4材料.普通体相g-C3N4材料的比表面积较小,约为10 m2/g,导致传质作用较差,光生电子-空穴复合严重,因此制备高比表面积的g-C3N4材料是目前研究的热点.我们发现在550℃下将三聚氰胺和三聚氰酸一起煅烧可以一步热合成g-C3N4纳米片,合成温度较低,对材料带隙影响小,同时可以提高材料比表面积,从而极大地提高了材料的光降解苯酚性能.XRD测试发现,随着前驱体中三聚氰酸比例增加,材料的主峰从27.38°显著偏移到27.72°.这表明三嗪环面内相连构成CN平面,同时CN层也会有堆叠最终形成g-C3N4材料.通过BET测试,g-C3N4纳米片的比表面积为103.24 m2/g.采用AFM分析得到g-C3N4纳米片的厚度为3.07 nm.研究了该g-C3N4纳米片的光降解性能,结果显示,在可见光照射30 min后,使用这种g-C3N4纳米片作为催化剂的条件下,苯酚降解率达到最优的81%.在5次循环利用后,g-C3N4(1:9)的降解率还能保持在80%以上,说明材料有良好的循环稳定性.这主要得益于材料的纳米片结构,在对苯酚吸附时不会有很复杂的吸附与脱附过程.同时纳米片结构可为有机污染物的吸附和原位降解提供传质通道.光反应体系中的产物由HPLC检测,分析苯酚的降解产物及产物的产量可以大致推测苯酚可能的降解历程.在三聚氰酸作用下,CN聚合层弯曲,减少了CN层之间的相互结合,同时不会对材料的带隙产生影响.同时整个合成过程无需引发剂,也不会导致CN层的基本单元和连接方式发生改变,同时由于二维片层结构,提高了材料的电荷分离效率.通过苯酚的降解实验得知三聚氰胺与三聚氰酸的比例为1:9,在550℃下煅烧得到的g-C3N4纳米片的光降解性能最优,同时具有很好的催化稳定性.     

伪单调映射的拓扑度及应用

利用S+型映射的拓扑度,导出了伪单调映射紧扰动的拓扑度,并讨论了该拓扑度对算子值域的应用．     

伪单调算子紧扰动的值域

设X是自反Banach空间且X和X^*均为局部一致凸空间,D是X的开、有界、凸子集,T：D→X^*是伪单调算子（pseudo-monotone),C:D→X^*是紧算子或全连续算子。利用（S ）型算子的度理论,我们建立了T C值域性质的几个结果,这些结果对研究各类方程问题有所应用。