固氮冷却的高温超导磁体

本文介绍了高温超导磁体的固氮冷却方法.对20K下磁场为2.90T的小型Bi2223/Ag高温超导磁体进行固氮冷却实验,获得了系统冷却过程和磁体性能的实验曲线.实验结果表明:采用固氮作为冷源,是高Tc磁体一种成功的实验技术.     

团簇LaO的理论研究

采用密度泛函理论研究LaO团簇体系。中性分子LaO的基态是两重态(2Σ),阴离子LaO-和阳离子LaO 的基态都是单重态(1Σ)。使用不同的方法计算团簇LaO的电子亲和能和电离能。计算结果表明用BLYP方法和弥散极化基组计算结果和实验数据吻合较好。用含时密度泛函理论计算团簇LaO的低能激发态,从理论上归属LaO-的光电子能谱的谱峰和LaO的吸收光谱的谱峰。计算得到与实验一致的结果。     

大学物理课程跨学科教学研究与实践

大学物理是理工科专业开设的一门公共必修基础课程，涉及的学科专业广，人数众多，且后续对接的课程面宽，在公共必修课中具有重要的地位．大学物理目前在我校面向电子信息工程、通讯工程、电子科学与技术、生物科学、生物技术、生物工程、环境工程、化学生物学、化学、应用化学、材料化学、化学工程与工艺、高分子材料与工程、数学、应用数学、信息与计算科学、计算机科学与技术、教育技术学、心理学等20个专业的5000多名学生开设．     

碳化钼催化剂的XPS研究

用程序升温碳化法在ＣＨ４／Ｈ２气流中，由前驱体ＭｏＣ２／Ｃ出发，制备了活性炭担载斩高分散Ｍｏ２Ｃ／Ｃ催化剂，并用ＸＰＳ和ＸＲＤ等方法考察了制备温度，钼含量，钝化处理和氢还原活化对催化剂表面状态的影响，６８０℃碳化制得的具有高甲烷活性的Ｍｏ２Ｃ／Ｃ催化剂表面钼中以Ｍｏ＾４＋组分为主，Ｃｌｓ单峰位于２８４．５ｅＶ未发现反映Ｃ－Ｍｏ键合的低结合能的Ｃｌｓ峰，６００℃氢还原后，表面的Ｏ／Ｍｏ原子比仍在０．     

数论变换(二)

计算模为M=2~b+1(b=2~t)的一个数论变换就叫做一个Fermat数变换,简记为FNT.现在我们就来讨论几个具体的FNT. 1)当0≤t≤4时,F_t全是素数.这样.O(F_t)=2~(2~t),0≤t≤4.故对于任意的     

硅甲基硼烯异构化反应机理研究所

用量子化学理论方法研究了硅甲基硼烯(SiH~3B)单重态和三重态异构化反应,计算了有关化合物的电子结构, 优化了过渡态构型, 讨论了两个反应的控制类型。     

一个利用量子化学方法计算Si—H伸缩振动频率的半经验公式

本文将前人对硅烷类分子中Si—H红外吸收光谱实验结果和我们对其键长、键级的量子化学计算结果进行综合分析,得到了一个计算Si—H伸缩振动频率的半经验公式:v~2=1.635×10~7·P·R~(-3/2)+7.458×10~(-2)。用该公式对七种硅烷类分子的计算得到了满意的结果,平均偏差不超过0.4%。     

On the Integral Curvature of Curve-(III)

In this paper we prove the following theorem.It is a generalization of Tenchel's theorem on theintegral curvature of curve.Theorem.If 1 is the length of a curve C=AB and φ is the angle between the tangent vectors ofC at A,B,then the integral curvature of C     

基于Si-rich SiNx/N-rich SiNy多层膜结构的量子点构筑及发光特性

利用等离子体增强化学气相沉积法制备Si-rich SiN_x/N-rich SiN_y多层膜,分别使用热退火和激光辐照技术对多层膜进行退火,以构筑三维限制、尺寸可控、有序的硅纳米晶.实验结果表明,经退火后,纳米硅晶粒在Si-rich SiN_x子层内形成,其尺寸可由Si-rich SiN_x子层厚度调控.实验还发现,激光辐照技术相比于热退火能更有效地改善多层膜的微结构,提高多层膜的晶化率,以激光技术诱导晶化的Si-rich SiN_x/N-rich SiN_y多层膜作为有源层构建电致发光器件,在室温下观察到了增强的电致可见发光,并且发光效率较退火前提高了40%以上. 关键词： 氮化硅 多层膜 限制结晶 纳米晶硅     

使用AlN/GaN超晶格势垒层生长高Al组分AlGaN/GaN HEMT结构

在蓝宝石衬底上生长了以AlN/GaN超晶格准AlGaN合金作为势垒的HEMT结构材料,并与传统AlGaN合金势垒样品进行了对比.在高Al组分(≥40%)情况下,超晶格势垒样品的表面形貌明显改进,电学性能特别是2DEG面电子浓度也有所改进.对超晶格势垒生长参数进行了初步优化,使得HEMT结构薄层电阻进一步降低,最后获得了251 Ω/□的薄层电阻. 关键词： AlGaN/GaN 结构 AlN/GaN超晶格 二维电子气 高电子迁移率晶体管