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32.
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振动系统的模态分析实验设计 总被引:8,自引:0,他引:8
利用模态分析原理和简单试验仪器,得到了直观的悬臂梁和圆盘前4阶模态振型,使学生熟悉了模态分析原理和测试方法,有利于学生对振动规律的理解. 相似文献
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无机介孔材料MCM41是高有序,直孔道介孔分子筛,具有孔径约4nm的一维均匀孔道,孔壁厚约1nm,介孔体积可达40%,是一种很理想的组装材料主体。半导体碲位于第Ⅵ族,其六方相的晶格排列呈螺旋链状结构。本文采用固相合成反应方法,将单质半导体碲成功地组装在MCM41介孔分子筛中。在组装体中,单质半导体碲保持着六方相的晶体结构,其拉曼晶体振动表现出纳米晶体的结构特征。真空热处理实验表明,组装体具有良好的热稳定性。Te的六方相和所具有的独特的螺旋链状结构使Te分子很容易进入MCM41的直孔道内,同时MCM41均匀而规则的直孔道限制了Te螺旋链的随机排列,因而被组装在直孔道内的Te能螺旋链式生长,形成一维半导体纳米晶体,排列均匀,尺寸单一,具有稳定的空间构型 相似文献
36.
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针对大功率半导体激光器面临的主要困难,提出并实现了一种隧道再生多有源区耦合大光腔 高效大功率半导体激光器机理.该机理能有效地解决光功率密度过高引起的端面灾变性毁坏 、热烧毁和光束质量差等大功率激光器存在的主要问题.采用低压金属有机化合物气相淀积 方法生长了以碳和硅作为掺杂剂的GaAs隧道结、GaAs/InGaAs 应变量子阱有源区和新型多有 源区半导体激光器外延结构,并制备了高性能大功率980nm激光器件.三有源区激光器外微分 量子效率达2.2,2A驱动电流下单面未镀膜激光输出功率高达2.5W.
关键词:
半导体激光器
大功率
金属有机化合物气相沉积 相似文献
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¬ �£����������� �ͣ���������� ��������Ȩ 《核聚变与等离子体物理》2015,35(4):320-326
The water-cooled model of the toroidal field coils was established calculated according to the heat conduction and the convective heat transfer equation. The results show that the thermal contact resistance and the electrical contact resistance of the interface between the finger joint and the copper plate had a larger effect on the temperature rise of the finger joint. At maximum current of 140kA and the current flattop 7s, the maximum temperature rise of the toroidal coils with the finger joint was below 40??, so the maximum temperature of the coils wouldn’t exceed 80??, and the temperature of the toroidal field was below 30?? after an interval of 15min. However, at maximum current of 190kA, the current flattop time was determined by the thermal contact resistance, the electrical contact resistance and initial temperature. 相似文献
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快速算法结合推广的Bethe公式,可以为应用研究提供便于使用的偶极激发碰撞强度和速率系数.用准相对论平面波Born(QRPB)近似计算高能区Au50+离子n0l0→nl偶极激发的碰撞强度,给出Bethe公式中动量转移截断参数k0,从而确定激发过程的高能行为.快速计算方法中采用了Cowan所发展的准相对论方法,用统一的Hartree-Fock-Slater势计算束缚和连续态电子波函数.用准相对论扭曲波(QRDW)近似计算阈值附近的碰撞强度并外推阈值处的碰撞强度Ω0,然后拟合到高能碰撞强度上.对于特殊情况还需增加三倍阈值点a的计算,用三个参数Ω0,Ωa和k0拟合出全能域(出射电子能量εb=0—∞)的碰撞强度.由此可以得到全部温度范围(电子温度Te=0—∞)的速率系数<σv>.这样得到的Ω和<σv>,在相应的感兴趣的能量和温度范围内有合理的精度.
关键词: 相似文献
40.
在200 keV重离子加速器上,用120—360 keV的H,N,Ar和Mo离子注入C60薄膜.对注入后薄膜的拉曼谱进行了分析.结果表明,不同离子注入C60薄膜后,C60的1469 cm-1特征峰随注入剂量的增加均呈指数式下降,同时在1300—1700 cm-1范围出现非晶碳峰,并逐渐增强,最终完全非晶化.而且1469 cm-1拉曼峰的强度及C60薄膜完全非晶化所对应的剂量与注入离子的种类和能量有关.进一步的分析表明,C60分子的损伤主要是由注入离子的核能量转移所造成,与电子能量转移无关.H离子注入C60薄膜后,1469 cm-1处特征拉曼峰向短波方向非对称展宽,这可能是注入的H离子通过电子能量转移使C60分子发生聚合的结果.
关键词: 相似文献