Ⅲ-V族化合物半导体Λ轴光学声子形变势的研究

本文在LMTO-ASA能带计算中,采用冻结声子模型,系统地研究了Ⅲ-V族化合物半导体的Λ轴光学声子形变势随k值的变化关系,提供了9种Ⅲ-V族化合物在Λ轴不同k值情况下的光学声子形变势d₃₀(Λ), d₁₀(Λ,val)和d₁₀(Λ,con)的第一原理计算结果。     

XRF法测定铂制品中的Pt、Au、Pd、Ag、Cu和Ni

本文利用XRF金标样的多元素回归方程，对Pt、Pd的荧光强度进行修正，修正后的荧光强度当作Au、Ag的荧光强度代入回归方程中，利用计算机编程计算铂制品中的Pt、Au、Pd、Ag、Cu、Ni等6种元素的含量。PT的测定范围为85%-99.92%时，该法测定的准确度优于0.5%，具有无损、快速、准确、可靠等优点。     

帧转移型数字相机帧转移模糊的复原

帧转移型面阵CCD相机因其诸多优点而得到了广泛的使用 ,但它也存在帧转移模糊的问题。介绍了CCD相机的几种面阵类型及其各自的一些特点 ,重点介绍了帧转移型面阵器件的工作过程 ,分析了面阵CCD器件帧转移模糊形成的原因 ,并提出了解决帧转移模糊的方法。介绍了用该方法消除帧转移模糊的实例 ,验证了方法的有效性     

平均场动力学与冷密夸克物质色导率

首先介绍了非Abel输运理论基础,然后在经典非Abel输运理论的基础上引入并评述了平均场动力学.作为应用,研究了有限化学势下冷密夸克物质系统的色动力学并计算出了色导率.最后比较了有限温度和有限化学势下的结果,讨论了其在天体物理领域的潜在价值.     

Fe-B团簇的结构与磁性的第一性原理研究

采用局域密度近似下的密度泛函理论和原子轨道的线性组合方法,通过离散变分法自洽求解Kohn-Sham方程,详细地研究了Fe_nB(n≤6)团簇的结构和磁性,所得主要结论如下:第一,B原子更倾向于在团簇的表面而不是在团簇的内部,通常计算非晶态的四面体结构和三棱柱结构,对于孤立团簇而言是不稳定的,这说明环境对团簇的结构稳定性有重要影响;第二,当Fe_n+1团簇中的一个Fe原子被B原子取代形成Fe_n团簇时,其结合能增大而Fe原子的磁矩减小;第三,Fe<     

电致发光加速层二氧化硅的电子高场迁移率

根据非晶态半导体的能带理论，讨论了分层优化薄膜电致发光方案中非晶二氧化硅加速层中的电子在高电场中的输运行为.研究结果表明：在高电场下，由于电场的存在降低了陷阱之间的平均势垒高度.在费密能级附近处的杂质及缺陷定域态和导带尾定域态中，电子的输运主要表现为电场增强的热辅助式跳跃传导；而在导带扩展态中，电子的输运仍像晶态半导体那样表现为共有化运动.此外，以实验数据为基础，计算出了非晶二氧化硅中电子的迁移率、最小金属电导率、导带迁移率边界状态密度及费密能级处的状态密度. 关键词：     

原子吸收光谱分析中石墨炉的原子化效率

本文评述了原子吸收光谱分析中石墨炉原子化效率的研究进展，叙述了基础理论、各种原子化效率公式以及βm,βi(exp),βi(cal)间的关系，讨论了原子化效率研究中需要进一步改善的问题。     

Power Analysis and Experimental Study of the Fiber Null Coupler with an Acousto-optic Device

1　Ｉｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎ　　Ｈｉｇｈ ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ ｏｐｔｉｃａｌｓｗｉｔｃｈｉｎｇｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓａｒｅｃｕｒｒｅｎｔｌｙｏｆｅｎｏｒｍｏｕｓｉｎｔｅｒｅｓｔｆｏｒｔｈｅｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓｉｎｄｕｓｔｒｙ .Ｔｏｄａｔｅｍａｎｙｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓｈａｖｅ ｐｒｏｄｕｃｅｄｈｉｇｈ ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ[1,2 ] .Ｔｈｅｒｅｑｕｉｒｅｍｅｎｔｆｏｒｔｈｅｓｕｃｃｅｓｓｆｕｌｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓｗｉｌｌｂｅｌｏｗｉｎｓｅｒｔｉｏｎｌｏ…     

半导体量子阱中自由激子稳态荧光特征

在不同晶格温度和不同激发光强度下，测量了四元系GaInAsSb/GaAlAsSb单量子阱中自由激子的荧光光谱，导出了稳态光谱测量条件下自由激子荧光强度与激发光强度和晶格温度的一般性公式.计算结果表明，激子相对占有数引起的温度和密度效应会影响激子发光的强度关系.根据本文的简单模型，线性比例系数I/I₀实际上综合地反映了量子阱中自由激子的荧光效率，而从激子荧光强度的Arrhenius图的最佳拟合中不仅可以得到激子的束缚能和激活能，而且还能估计出量子阱材料的本底浓度和散射时间常数. 关键词：     

用椭偏术研究与接触介质有关的贵金属的介电函数

为了研究接触介质对金属光学性质的影响，实验中使用具有不同折射率的梯形棱镜作为衬底，将金和银蒸发到棱镜底部，用椭偏术分别测量了薄膜在金属-空气、金属-衬底界面的介电函数.结果表明：无论在Drude区，还是在带间跃迁区，金属-衬底界面处薄膜介电函数不仅与金属-空气界面处的测量值不同，而且随衬底折射率改变而改变.在固体接触条件下获得的结果与其他作者在液体接触条件下获得的结果相一致，但尚难被现有机制所解释. 关键词：