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TiAl3 和Ti/TiAl3 非合金化电极n型GaN欧姆接触的实现 总被引:1,自引:0,他引:1
在不进行合金化的情况下,首次直接采用TiAl3合金材料作为金属接触电极.在蓝宝石衬底上生长的n型载流子浓度为2×1018 cm-3的GaN上,成功地得到低接触电阻的欧姆接触,并由环形传输线模型方法测得比接触电阻率为3×10-5 Ω*cm2.与通常n型欧姆接触采用的Ti/Al双层结构比较,TiAl3合金结构更容易形成非合金化的n型欧姆接触.在此实验基础上,进一步分析了N空位和界面层处的TiAl3在形成非合金化或低温退火欧姆接触中发挥的作用,由此设计的Ti/TiAl3/Ni/Au接触结构,在TiAl3合金结构基础上明显地降低了接触电阻率. 相似文献
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The research aims at validating the ability of topological imaging to blind holes in isotropic plates using Lamb waves. Due to the defect is not symmetric around the midplane of the plate, the effect of Lamb mode conversion will have to be taken into account.The imaging method is based on two computations of ultrasonic fields, one forward and one adjoint, performed for the defect-free reference medium. The excited signal and scattered Lamb waves caused by the blind hole, are used as emitting sources to compute the forward problem and the adjoint problem, respectively. With the help of the finite element simulations,the natural refocusing process of the multimode Lamb waves at the defect location is visually demonstrated by the transient acoustic field snapshots at the different moments to strengthen the physical mechanism of the topological imaging method. The numerical results demonstrate that topological imaging has relatively stronger applicability to the blind hole in contrast to classical Delay And Sum(DAS) method and Time Reversal(TR) method. The topological imaging could handle complex Lamb wave signals containing mode conversions without the imaging quality being affected. The proposed imaging method presents a certain developing potential for detecting and imaging asymmetric defects in plate-like configurations using Lamb waves. 相似文献
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Effects of Annealing on Schottky Characteristics in A1GaN/GaN HEMT with Transparent Gate Electrode 下载免费PDF全文
A1GaN/GaN heterostructure transistors are promising for power and switching applications. In addition, the transparent wide band-gap A1GaN/GaN heterostructure systems have received considerable attention to transparent electronics. Nowdays, Al-doped ZnO (AZO) thin film plays an increas- ingly important role in various fields of transparent electronics.The AZO-gated A1GaN/GaN HEMT with good dc characteristics and frequency character- istics has been reported. Annealing is widely used to improve the electri- cal characteristics of A1GaN/GaN HEMTs. It is re- ported that the Schottky leakage current can be re- duced by over four orders of magnitude by annealing in an A1GaN/GaN heterostructure with ITO/Ni/Au electrode. Pei et al. reported that the transparency of Ni/ITO gates of A1GaN/GaN HEMTs has been sig- nificantly improved after annealing. However, the evaluation of Schottky C V characteristics was ab- sent. Up to now, few results are reported on the Schot- tky annealing characteristics of AZO in A1GaN/GaN HEMT. Thus the effects of annealing on the leakage current, transparency and interface states character- istics need further study. 相似文献
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叶片衰老影响木兰科植物聚类的FTIR研究 总被引:1,自引:0,他引:1
傅里叶变换红外光谱(FTIR)结合聚类分析技术应用于木兰科植物不同亚族分类,研究了叶片衰老对聚类分析效果的影响。测试了木兰科三个亚族14种植物的幼叶、成叶、老黄叶红外光谱,结果显示三个亚族植物叶片红外光谱差异不大;同种植物叶片不同生长期的红外光谱吸收峰位置基本一致,但一些特征峰的峰强有变化;用1 800~700 cm-1范围二阶导数光谱结合聚类分析,发现成叶二阶导数光谱聚类分析能够正确对样品分类,幼叶和老黄叶二阶导数谱聚类分析效果不如成叶,说明叶片衰老过程化学成分变化影响聚类分析效果,聚类分析时取成叶样品为好。 相似文献
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