晶格反演的嵌入原子法模型及其应用

讨论一种基于晶格反演的嵌入原子法模型 ,其特点是未知函数的参数化是对原子间对势和单原子电荷密度函数的晶格和 ,而不是对原子间对势和单个原子的电荷密度函数进行的 ,其最大优点在于待定参数可以用物理输入解析地表达出来 ,而不是像大多数埋入原子法模型中那样通过拟合来确定 .给出了它在计算点缺陷 (自间隙杂质和空位原子 )和晶体表面形成能方面的应用 .     

质子滴线区新的缓发质子先驱核121Ce

藉助核反应⁹²Mo(³²S ,3n)产生了未知的缓发质子先驱核¹²¹Ce ,并利用氦喷嘴快速带传输系统和“p-γ”符合方法对它进行了鉴别 .测定了¹²¹Ce的半衰期 ( 1.1±0 .1 )s,观测了它的β缓发质子能谱 ,粗略地估计了它的β缓发质子衰变道的分支比约为1% .首次观测了先驱核¹¹⁹Ba,¹²¹Ba和¹²²La经过β缓发衰变在“子核”中产生的低位能级到基态的γ 跃迁.     

PINNING EFFECT OF LEAD LANTHANUM TITANATE THIN FILMS DEPOSITED ON DIFFERENT SUBSTRATES

Pinning effect of lead lanthanum titanate (PLT) ferroelectric thin films with excess PbO of 20 mol% has been studied for deposition on diffe rent substrates. Silicon, sapphire and quartz were used as substrates on which P t/Ti or LaNiO₃ thin films were deposited as bottom electrodes. Electron probe analysis results showed that there was still a certain amount of excess Pb in PLT films after annealing at 550 ℃ for 1 h, and the amount of it was dependent on the substrate used. The distribution of excess Pb in the films was investig ated by Auger electron spectroscopy depth profile. It was shown that the substrates and the bottom electrodes had significant effects on the content and distrib ution of excess Pb in PLT films. The excess Pb and its accumulation at the inter face between the film and bottom electrode may act as pinning centers and have a pinning effect on domains, which can be observed by abnormal P-E hysteresis loops and abnormal C-V curves. The excess Pb content in the films and the accumulation of Pb at the interface were high in PLT films deposited on Pt/Ti/S i, and considerable pinning effect was observed. As LaNiO₃ would absorb most part of the excess Pb in PLT films, the content of excess Pb in the films deposited on LaNiO₃/Si was very low and the pinning effect was hardly observed.     

具有非局部反应的时滞扩散Nicholson方程的行波解

对具有扩散项的时滞Mcholson方程的行波解进行了研究.特别是考虑到生物个体在空间位置上的迁移,研究了具有非局部反应的时滞扩散模型.对于弱生成时滞核,运用几何奇异摄动理论,在时滞充分小的情况下,证明了行波解的存在性.     

von Neumann代数中套子代数上的Lie同构

本文给出因子von Neumann代数中的幂等算子在广义Lie积下的一个刻画; 得到因子von Neumann代数中套子代数的幂等算子在Lie积下的一个特征．作为应用, 研究了因子von Neumann代数中套子代数上的Lie同构,并证明因子von Neumann 代数中套子代数之间的Lie同构,要么是同构与广义迹之和,要么是负反同构与广义迹之和．     

回归系数的混合估计与最小二乘估计的一个新的相对效率

本文对具有附加信息的线性回归模型中的混合估计与最小二乘估计给出了一种新的相对效率,研究了新的相对效率与其它几种相对效率的关系,得出了新的相对效率的上、下界.     

热力膨胀阀在空气源热泵热水器系统中稳定特性的实验研究

本文对热力膨胀阀在空气源热泵热水器的稳定特性进行了实验研究.通过不同热力膨胀阀开度下的实验数据,分析了热力膨胀阀在系统中的稳定特性.分析了热力膨胀阀在空气源热泵热水器全年运行工况中存在的局限性.提出保证系统稳定运行的方法与建议;指出制冷剂充注量是系统稳定运行的另一个重要因素,只有同时很好地把握住热力膨胀阀开度和制冷剂充注量,才可能使系统运行在最佳工况.     

航线优化的随机动态规划模型

航空公司在给定的运力和机队配置条件下,如何适应航线需求的不断变化而合理地分配运力,使航空公司的经营效益最大化是我国航空经营管理的一个重大课题.根据航班效益分析,在一定的经营时间,航行班次的条件下,建立一个航线贡献最大化的含有随机变量的动态规划模型.求解方法是先用M ON TE C ARLO方法计算机仿真把模型转化为非线性的整数规划.再用动态规划中资源分配算法求出模型的最优解,编排最优各航线规划.     

ECR-SFC轴向注入系统聚束器效率的研究

为了减少目前SFC轴向注入系统中聚束器杂散电场对束流轴向注入效率的影响, 提高新系统中SFC的束流俘获效率, 参考原始设计, 对目前聚束器的电极结构进行了设计改进. 两种情况下的聚束器杂散场对注入效率影响的计算表明, 改进后0B02的聚束效率较目前有较大提高. 同时计算了束流空间电荷效应对聚束效率的影响, 据此对新SFC轴向注入系统中聚束器的位置进行了重新调整.     

Reduction of Dislocations in GaN Epilayer Grown on Si （111） Substrates using a GaN Intermedial Layer

GaN intermedial layers grown under different pressures are inserted between GaN epilayers and AIN/Si（111） substrates. In situ optical reflectivity measurements show that a transition from the three-dimensional （3D） mode to the 2I） one occurs during the GaN epilayer growth when a higher growth pressure is used during the preceding GaN intermedial layer growth, and an improvement of the crystalline quality of GaN epilayer will be made. Combining the in situ reflectivity and transmission electron microscopy （TEM） measurements, it is suggested that the lateral growth at the transition of growth mode is favourable for bending of dislocation lines, thus reducing the density of threading dislocations in the epilayer.