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101.
This paper reports on the first experimental observation of quantum-well states and sp-type resonances in thin single-crystal gold, silver, and copper layers formed on single-crystal W(110) surfaces, which result from spatial localization of Bloch-type electronic wave functions in a quantum well with potential barriers at the vacuum/metal and metal/W(110) interfaces. The quantization of the valence-band electronic structure in Au/W(110), Ag/W(110), and Cu/W(110) systems was studied experimentally using angle-resolved photoelectron spectroscopy.  相似文献   
102.
Estimates of a rate of convergence of orderO(n –1) are obtained for integral functionals of an empirical process.Translated fromTeoriya Sluchainykh Protsessov, Vol. 15, pp. 10–16, 1987.  相似文献   
103.
Translated fromProblemy Ustoichivosti Stokhasticheskikh Modelei. Trudy Seminara, 1988, pp. 84–92.  相似文献   
104.
105.
A convenient method is proposed for the synthesis of all the individual methyl ethers of methyl 2-acetamido-2-deoxy-α-D-glucopyranoside based on the partial methylation of 2-acetamido-2-deoxy-α-D-glucopyranoside with dimethyl sulfate in an alkaline medium followed by preparative liquid column chromatography on silica gel of the resulting mixture of methyl ethers.  相似文献   
106.
Yb3+掺杂KY(WO4)2激光晶体生长、结构与光谱分析   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
采用顶部籽晶提拉法(TSSG)生长出Yb:KY(WO4)2(Yb:KYW)激光晶体.对预烧后的原料及晶体进行了XRD分析,结果表明,分别在920℃和600℃预烧8h后的熔质和助熔剂基本上形成一相,抑止了实验中的挥发问题;所生长的晶体为β-Yb:KYW,计算其晶格常数为a=1.063nm,b=1.034nm,c=0.755nm,β=130.75°.测得不同厚度样品的吸收光谱,结果表明样品在933nm和981nm有较强的吸收峰,计算出主峰981nm的吸收截面σ关键词: Yb:KYW TSSG法 晶体结构 光谱参数  相似文献   
107.
108.
The main result of the paper is a theorem, using which a new proof of Roth’s theorem is obtained, a new solvability criterion for the matrix equation AX-YB = C is proved, a formula for a particular solution of the latter is derived, and the least of the orders of square nonsingular matrices containing a given rectangular matrix as a submatrix is determined. Bibliography: 5 titles. __________ Translated from Zapiski Nauchnykh Seminarov POMI, Vol. 323, 2005, pp. 15–23.  相似文献   
109.
The quantum states are presented in these processions of fabricating poly-Si films. Amorphous silicon films prepared by PECVD has been crystallized by conventional furnace annealing (FA) and rapid thermal annealing (RTA), respectively. It is found that the thin films grain size present quantum states with the increasing of the gas flow ratios of SiH4, H2 mixture, substrate temperatures, frequency power, annealing temperature and time.  相似文献   
110.
An expression for the ratio of the glass transition temperature to the melting temperature, T g/T m, was derived with allowance for fluctuations of the packing factor in the amorphous state. This relationship made it possible to describe the actual range of variation in T g/T m depending on a change in the packing factor in the crystalline state k o, cr. The proposed approach forms the basis for the method of determination of increments in the packing ratio k o, cr and formulation of the principles of selection of experimental data for calculations. The glass transition temperatures in polyethylene depending on the type of unit cell were calculated.  相似文献   
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