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921.
用扫描隧道显微镜(STM)研究了室温下天冬氨酸在Cu(001)表面的吸附行为.实验发现,在较 低的覆盖度下,天冬氨酸分子在Cu(001)表面存在两种吸附状态.从STM数据估算出两种吸附 状态下天冬氨酸分子在Cu(001)表面的扩散激活能分别为079±001eV,088±005eV. 随着覆盖度的提高,天冬氨酸分子最终在Cu(001)表面形成一均匀衬度的吸附层,但并不形 成有序吸附结构,也不能使台阶发生小面化.天冬氨酸分子的这些吸附特点是迄今研究过的 所有氨基酸在Cu(001)表面吸附时不具有的.
关键词:
表面吸附
扫描隧道显微镜
氨基酸 相似文献
922.
923.
借助电子顺磁共振技术,对Mn3+/Mn4+=2∶1和1∶1的两个典型体系 在居里温度TC以上温区的顺磁行为进行了实验研究.实验表明,存在一特征温度 Tmin,通过该温度将TC以上的磁行为分成两个明显可区分的温区: 在Tmin以上,共振谱由一对称的单线构成,Lande 因子g值与温度无关且接近 自由电子的值(~20023),线宽随温度呈线性变化等;而在Tmin
关键词:
稀土锰氧化物
电子顺磁共振
交换变窄
自旋-自旋相互作用
自旋-晶格相互作用 相似文献
924.
925.
用 Raman散射和 XPS技术分析了能量为几百 ke V到几百 Me V的多种离子在 C60 薄膜中引起的辐照效应.分析结果表明 ,在低能重离子辐照的 C60 薄膜中 ,其晶态向非晶态的转变过程是由核碰撞主导的.在快离子 (1 2 0 ke V的 H离子和171.2 Me V的 S离子 )辐照的情况下,电子能损起主导作用.发现在H离子辐照过程中,电子能损有明显的退火效应 ,致使 C60 由晶态向非晶态转变的过程中,经历了一个石墨化的中间过程;而在 S离子辐照的情况下 ,电子能损的破坏作用超过了退火效应 ,因此 ,在C60 由晶态向非晶态转变的过程中,无石墨化的中间过程.Irradiation effecs (mainly including transformation from crystalline into amorphous state) of C 60 films induced by 120 keV H, He, N, Ar, Fe and Mo ions, 240 keV and 360 keV Ar ions, and 171.2 MeV, 125.3 MeV and 75.8 MeV S ions were analysed by means of Raman scattering and XPS technique. The analysis results indicate that amorphization process in the cases of N, Ar, Fe and Mo ions irradiation is dominated by nuclear collision, but in the case of H ion irradiation, the process is... 相似文献
926.
927.
928.
For an inhomogeneous quasilinear hyperbolic system of diagonal form, under the assumptions that the system is linearly degenerate and the C^1 norm of the boundary data is bounded, we show that the mechanism of the formation of singularities of C^1 classical solution to the Goursat problem with C^1 compatibility conditions at the origin must be an ODE type. The similar result is also obtained for the weakly discontinuous solution with C^0 compatibility conditions at the origin. 相似文献
929.
In this paper,we point out that several assertions(Propositions 3.15 and 5.2(v)) in a previous paper by Majumdar and Samanta are not true in general,by counterexamples. 相似文献
930.
讨论了拟线性微分代数方程在一类特殊的奇点-拟障碍点附近的标准形.通过矩阵广义逆理论,拟线性微分代数方程可化为半显式形式.然后运用标准形理论,在微分同胚变换下,给出了拟线性微分代数方程在拟障碍点附近的标准形.在此基础上进一步讨论了这类标准形的去奇异化性质. 相似文献