能动磨盘变形检测中的各误差因素分析

针对现有f530 mm能动磨盘的检测系统（有效检测口径f420 mm）,系统分析了检测过程中的球头误差、传感器安装角度误差和坐标定位误差,并给出了各项误差对检测精度的影响。同时,还针对检测基座不完全水平的问题建立模型,应用最小二乘法实现了检测数据的去倾斜处理。给出了实测数据去倾斜前后和误差补偿前后的检测精度对比情况,结果表明去倾斜算法能较好地还原实测数据,补偿检测中的系统误差有助于提高检测精度。     

室温磁制冷主动式磁蓄冷器数值模拟

提出了一个研究工作参数、设计参数对主动式磁蓄冷器(AMR)制冷性能影响的数值模型。三个主要参数包括:质量流量m、频率f、蓄冷器孔隙率ε,被用来表征AMR的制冷能力。数值模拟的结果表明:对一个AMR而言,存在一个最佳孔隙率;在某一确定孔隙率条件下,AMR存在最佳换热流体质量流量和最佳工作频率;与高频相比,AMR在较低频率下有更好的制冷性能,一味提高频率并不一定能提高AMR的制冷量。模拟结果对磁制冷样机的设计、工作参数的选择有很大的指导意义。     

O在Au(111)表面吸附的密度泛函理论研究

应用密度泛函理论，本文系统地研究了O在Au(111)表面上的吸附能、吸附结构、功函数、电子密度和投影态密度，给出了覆盖度从0.11ML到1.0ML的范围内，O的吸附特性随覆盖度变化的规律.研究发现O的稳定吸附位为3重面心立方(fcc)洞位，O在fcc洞位的吸附能对覆盖度比较敏感，其值随着覆盖度的增加而减小；O诱导Au(111)表面功函数的变化量与覆盖度成近线性关系，原因是Au表面电子向O偏移，形成表面偶极子；O—Au的相互作用形成成键态和反键态，且反键态都被占据，造成O—Au键很弱，O吸附能较小. 关键词： 表面吸附 Au(111)表面 密度泛函理论 电子特性     

非晶态硒化镉薄膜瞬态光电特性

本文报道用真空热蒸发法淀积的非晶态硒化镉薄膜作光敏介质制备超快光电导探测器。用对撞脉冲锁模Nd:YAG激光器产生的超短光脉冲序列对探测器的响应时间进行检测,结果表明a-CdSe薄膜对皮秒(10^-12秒)级的超短光脉冲作用具有良好的瞬态响应光电特性,探讨a-CdSe薄膜快速弛豫过程的内在机理。     

云南甘草中齐墩果烷型五环三萜化合物的NMR谱的研究

本文研究了云南甘草皂甙元(glyyunnansapogenin)等oleanane类化合物的核磁共振谱。运用PBB,INEPT,DEPT方法,并结合化学位移值规律归属了这些化合物的¹³C-NMR信号。总结出用角甲基的化学位移植范围判定角甲基的取代位置的方法,分析了角甲基被氧取代后对环的化学位移值的影响。按类似olean-12-en,18α-H方式考虑,归属了oleana-11,13(18)-diene化合物的¹³C-NMR信号。讨论了具30→18β内酯或2929→18α内酯类化合物的核磁谱规律。另外,还发现了DE环上有1个OAC取代时,与其偕碳质子的化学位移值规律。     

热辐射驱动烧蚀平面金靶的数值定标定律

利用一维辐射流体力学编码数值研究了辐射烧蚀波在平面金靶中的传播情况,并在常温边界条件下得到了辐射流、烧蚀压、质量烧蚀率和特征等离子体密度的定标定律。     

HL-2M 装置初始等离子体放电阶段的直流辉光放电清洗系统研制

基于 HL-2M 托卡马克初始等离子体放电的工程需求,设计并研制了直流辉光放电清洗系统,包括电 极、馈线、电源、控制以及监测等关键部件和辅助子系统。研制完成后开展了系统装配和工程调试,并投入到首 次等离子体放电。实验结果表明,该直流辉光放电系统运行稳定、可靠,且此辉光放电清洗显著降低了真空室本 底杂质浓度,能满足 HL-2M 装置初始等离子体放电的壁条件需求。     

HL-2M 真空室保温层设计及安装

基于 HL-2M 真空室烘烤保温要求,通过有限元分析和原型件实验确定采用陶瓷纤维与纳米级微孔材 料组合作为 HL-2M 真空室保温材料。在 30℃时,保温层的导热系数小于 0.027W⋅m⁻¹·℃⁻¹;300℃时,导热系数 小于 0.038W⋅m⁻¹·℃⁻¹。在保温层厚度 25mm、热面温度 300℃且达到稳态时,冷面可控制在 85℃以下,线圈侧的 温度低于 60℃,整体热损失小于 12kW,满足 HL-2M 真空室烘烤需求。      

The unique carrier mobility of Janus MoSSe/GaN heterostructures

Heterostructure is an effective approach in modulating the physical and chemical behavior of materials. Here, the first-principles calculations were carried out to explore the structural, electronic, and carrier mobility properties of Janus MoSSe/GaN heterostructures. This heterostructure exhibits a superior high carrier mobility of 281.28 cm²·V⁻¹·s⁻¹ for electron carrier and 3951.2 cm²·V⁻¹·s⁻¹ for hole carrier. Particularly, the magnitude of the carrier mobility can be further tuned by Janus structure and stacking modes of the heterostructure. It is revealed that the equivalent mass and elastic moduli strongly affect the carrier mobility of the heterostructure, while the deformation potential contributes to the different carrier mobility for electron and hole of the heterostructure. These results suggest that the Janus MoSSe/GaN heterostructures have many potential applications for the unique carrier mobility.