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单甲基原位改性SiO2疏水减反膜的制备与性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
在碱性条件下通过TEOS和MTES的共水解缩聚反应制备了单甲基原位改性的SiO2溶胶,并使用提拉法在K9玻璃基片上镀制了疏水减反膜。通过透射电镜(TEM)考察了镀膜溶胶的微结构,分别使用红外光谱(FTIR)分析了薄膜的组分,用原子力显微镜(AFM)观察了薄膜的表面形貌和起伏状况,用紫外可见光谱(UV-vis)考察了薄膜的减反射性能,用接触角仪测量了薄膜对水的接触角。并使用“R-on-1”的方式测量了薄膜在Nd:YAG激光(1 064 nm,1 ns)作用下的损伤阈值。结果表明,通过共水解缩聚反应可以把甲基引入镀膜溶胶簇团中,改善了溶胶簇团的网络结构,使薄膜得到相当好的疏水性能和更好的抗激光损伤性能,同时薄膜能保持较好的减反射性能。 相似文献
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基于FPGA并行处理的实时图像相关速度计 总被引:3,自引:1,他引:2
研究制作了一种采用高速线阵CCD的实时相关速度计,其测量数据的输出速率可达每秒一万次。针对以往光学相关测速方法的问题进行了讨论,探讨了适合FPGA并行处理的算法,制作了高速线阵CCD摄像机及其处理装置。通过实验验证了系统的可行性和可实现性。 相似文献
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This paper reports that the m-plane GaN layer is grown on (200)-plane LiAlO2 substrate by metal-organic chemical wpour deposition (MOCVD) method. Tetragonal-shaped crystallites appear at the smooth surface. Raman measurement illuminates the compressive stress in the layer which is released with increasing the layer's thickness. The high transmittance (80%), sharp band edge and excitonic absorption peak show that the GaN layer has good optical quality. The donor acceptor pair emission peak located at -3.41 eV with full-width at half maximum of 120 meV and no yellow peaks in the photoluminescence spectra partially show that no Li incorporated into GaN layer from the LiAlO2 substrate. 相似文献
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本文给出了一个关联图为圈的非负、半正定矩阵A为完全正的一个充要条件.我们还证明了这样的矩阵A(当A为完全正时)的分解指数即为A的阶数. 相似文献
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