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891.
Effect of Reactor Pressure on Qualities of GaN Layers Grown by Hydride Vapour Phase Epitaxy
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The influence of reactor pressure on GaN layers grown by hydride vapour phase epitaxy (HVPE) is investigated. By decreasing the reactor pressure from0. 7 to 0.5 mm, the GaN layer growth mode changes from the island-like one to the step flow. The improvements in structural and optical properties and surface morphology of GaN layers are observed in the step flow growth mode. The results clearly indicate that the reactor pressure, similarly to the growth temperature, is One of the important parameters to influence the qualities of GaN epilayers grown by HVPE, due to the change of growth mode. 相似文献
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为分离舰船壳体结构非线性系统的结构噪声,考虑其非线性及响应谱特征,将其理想成纯输入非线性系统,采用Volterra级数模型计算其广义频响函数,获得非线性频谱特征,提出非线性系统噪声源分析策略,并进行数值仿真和试验研究,其结果表明:非线性频谱特征合理存在;提出的非线性系统噪声源分析策略合理有效,可实现系统激励源和广义频响函数的参数估计。非线性频谱特征及提出的非线性系统噪声源分析策略,为深入开展舰船壳体结构噪声的非线性特征识别及其特征谱分离研究提供基础。 相似文献
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合成了2 ′,3′和4′-硼酸基苯甲醛-7-(8-羟基-5-磺酸基)喹啉腙衍生物(化合物1~3),研究了硼酸基团取代位置对主体分子识别金属离子客体性能的影响,比较了不同主体分子与Pb2+结合能力的差异.研究结果表明,在pH=7.0的KH2 PO4 -NaOH缓冲溶液中,3种腙衍生物对Pb2+均具有选择性识别作用,主客体分子间形成1∶1型的发光配合物.其中邻位取代的化合物1与Pb2+的结合能力比化合物2和3强,配合物1-P2+的最大发射波长为477 nm,稳定常数为1.1 ×103 L/mol.其它金属离子如Cu2+,Mn2+,Mg2+,Fe2+,Ca2+,C02+,Ni2+,Hg2+,Cd2+和Ag+等对主体分子荧光光谱的影响较小.同时,荧光强度的变化值与p2+浓度在0.36~ 10 μmol/L范围内呈现良好的线性关系,相关系数R=0.9976(n=16),检出限为0.23 μmol/L.将此方法用于环境水样中Pb2+的测定,回收率为92%~108%. 相似文献
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