Kthe-Bochner空间的凸性(英文)

本文利用Kothe函数空间的性质以及Kothe函数空间与Kothe-Bochner空间的关系,讨论了Kothe-Bochner空间E(X)的凸性,主要结果如下: (a)给出E(X)的端点的充分条件,得到了E(X)严格凸的判据,相应地推广了Lp(μ,X) 以及Lφ(X)的结果; (b)讨论了E(X)的弱局部一致凸和局部完全k-凸; (c)刻画了E(X)的强凸,给出了F(X)强凸的充要条件．     

考虑货架存放期的经济批量排产问题的求解

在化工、造纸、制药、钢铁等工业生产中，一台设备或一条生产线可以生产多种产品的情况很常见。在生产中，如何安排各类产品的生产顺序以及生产数量显得十分重要。这类问题通常称作经济批量排产问题，这类问题是生产库存中的经典问题。本文研究的经济批量排产问题考虑了产品货架存放期因素，针对以往研究的不足，本文提出用批量变动方法求解该类问题，由计算结果显示，按照这种排产方法花费的成本要低于其他两种经济批量排产问题常用的方法。     

Diode-pumped 671 nm laser frequency doubled by CPM LBO

A design of diode-pumped high-efficiency Nd:YVO₄/LBO red laser is reported. Using critical phase-matching (CPM) LBO, 671 nm red laser was obtained from 1342 nm light by intracavity frequency doubling. With an incident pump laser of 800 mW, using type-I and type-II CPM LBO, 97 and 52 mWTEM₀₀ mode red laser outputs were obtained, with optical-to-optical conversion efficiencies of up to 12.1% and 6.5%, respectively.     

V3+:YAG晶体的生长、色心与光谱性能研究

采用石墨电阻加热的温梯法生长了V:YAG晶体,晶体的不同部位呈现两种不同的颜色:浅绿色和黄褐色.通过对比分析不同颜色V:YAG晶体的室温吸收光谱,推断出石墨发热体高温下扩散出来的C可以起到还原作用,提高晶体中V3+tetra离子的浓度,同时诱导了F心的形成.在1300℃下,对不同颜色的V:YAG晶体进行真空退火处理,发现处于八面体格位中的V3+离子在热激发作用下与近邻的四面体格位Al3+离子存在置换反应,由此产生一定浓度的四面体格位V3+离子.同时,F心在退火过程中被完全消除,释放出来的自由电子被高价态的V离子俘获,可以进一步提高晶体中四面体格位V3+离子的浓度.     

金属薄膜制备及物性测量系列实验

介绍了由模拟真空实验和“金属薄膜的制备”、“金属薄膜厚度的测量”、“金属薄膜电阻率的测量”,以及“金属薄膜生长过程的动态监测”等4个实验组成的金属薄膜制备与物性测量系列实验.这组实验与现代科学技术发展联系紧密,仪器设备可靠,操作简单,适合于普通物理实验阶段的研究性教学.     

β-MnO2高压相的从头计算模拟

 基于密度泛函理论（DFT），用完全势能线性缀加平面波方法（FPLAPW）计算模拟了MnO₂的同质多相变体（金红石型结构、CaCl₂型结构、黄铁矿型结构），通过计算，预测了β-MnO₂在5 GPa时从金红石型结构转变为CaCl₂型结构，在20 GPa时进一步转变为黄铁矿型结构。另外，还总结和比较了几种金红石型结构二氧化物的压致相变特点，得出第Ⅳ主族元素的金红石型结构氧化物有很好的规律性，发生的相变序列基本一致；并随着金属阳离子半径的增大，发生相变的压力值也相应地递减，各氧化物的体积模量值相应地减小。     

单甲基原位改性SiO2疏水减反膜的制备与性能研究

 在碱性条件下通过TEOS和MTES的共水解缩聚反应制备了单甲基原位改性的SiO₂溶胶，并使用提拉法在K9玻璃基片上镀制了疏水减反膜。通过透射电镜（TEM）考察了镀膜溶胶的微结构，分别使用红外光谱（FTIR）分析了薄膜的组分，用原子力显微镜（AFM）观察了薄膜的表面形貌和起伏状况，用紫外可见光谱（UV-vis）考察了薄膜的减反射性能，用接触角仪测量了薄膜对水的接触角。并使用“R-on-1”的方式测量了薄膜在Nd:YAG激光（1 064 nm，1 ns）作用下的损伤阈值。结果表明，通过共水解缩聚反应可以把甲基引入镀膜溶胶簇团中，改善了溶胶簇团的网络结构，使薄膜得到相当好的疏水性能和更好的抗激光损伤性能，同时薄膜能保持较好的减反射性能。     

FeS2多晶薄膜电子结构的实验研究

用磁控溅射方法制各纯Fe薄膜,并硫化合成FeS2.采用同步辐射X射线近边吸收谱与X射线光电子能谱研究了薄膜的电子结构.结果表明,合成的FeS2薄膜,在费米能级附近,有较强的Fe 3d态密度存在,同时,在价带谱中2-10eV处有强度较大的S 3p态密度存在;Fe的3d轨道在八面体配位场作用下分别为t2g和eg轨道,实验中由Fe的吸收谱计算得到两分裂能级之差为2.1eV;实验测得FeS2价带结构中导带宽度约为2.4eV,导带上方仍存在第二能隙,其宽度约为2.8eV.     

K(o)the-Bochner空间的凸性

本文利用K(o)the函数空间的性质以及K(o)the函数空间与K(o)the-Bochner空间的关系,讨论了K(o)the-Bochner空间E(X)的凸性,主要结果如下:(a)给出E(X)的端点的充分条件,得到了E(X)严格凸的判据,相应地推广了Lp(μ,X)以及LΦ(X)的结果;(b)讨论了E(X)的弱局部一致凸和局部完全k-凸;(c)刻画了E(X)的强凸,给出了E(X)强凸的充要条件.