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31.
本文研究并揭示了L_(2~a)(2~(2~a-1))型正交表行(列)间的递推规律,提出了一种泛函梯度数值计算的新方法——正交试验法,该方法在计算速度和精度上优于直接梯度法;在通用性及节省内存方面优于伴随算子法。 相似文献
32.
绝缘子表面粗糙处理是提升其沿面闪络性能的重要途径,表面粗糙化处理方式不当,极易带来表面结构不均匀,难以获得稳定耐压性能的绝缘材料。为提升绝缘子表面粗糙处理的均匀性,本文利用表面喷砂技术对圆柱形有机玻璃(PMMA)绝缘子进行了粗糙化处理研究,以球形二氧化硅(SiO2)颗粒为工作介质,研究了不同喷砂粒径、氢氟酸后处理等因素对绝缘材料表面形貌和组分的影响,并利用短脉冲高压测试平台对喷砂处理前后有机玻璃绝缘子样品进行了真空沿面闪络性能测试。研究结果表明,喷砂处理在有机玻璃表面形成了较为均匀的凹坑,HF酸能够有效去除表面残留的SiO2颗粒,具有表面喷砂粗糙结构的绝缘子沿面闪络电压得到了稳定提升,相较于未处理的绝缘子闪络电压提升了约80%。 相似文献
33.
Chang-Yong Zhu Shi-Han Zheng Hou-Jian Duan Ming-Xun Deng Rui-Qiang Wang 《Frontiers of Physics》2020,15(2):23602-86
We study the Andreev reflection(AR)at the interface of the topological insulator with hexagonal warping and superconductor junction.Due to the hexagonal warping effect,the double ARs are found in a certain range of the incident angle,where for one incident electron beam,two beams of holes are reflected back.Interestingly,both the beams of holes are reflected as retro-AR on the same side of the normal line of the interface but with different reflection angles,different from the previously reported double AR with one retro-AR and one specular-AR.The double reflections owing to the warping effect show the optics-like property of the Dirac fermion and can stimulate the double reflections of light in anisotropic crystals.In addition,we find that the double ARs are dependent on the hexagonal warping parameter nonmonotonically,and in an intermediate strength the double AR phenomenon is prominent,providing a possibility to explore the warping parameter of topological insulators. 相似文献
34.
Zhang Dian-lin Duan Hong-min Ma Bei-hai Lu Li Lin Shu-yuan 《Physica C: Superconductivity and its Applications》1988,156(5)
We have determined the superconducting transition in YBa2Cu3O7−δ single crystal by measurements of thermopower. Two transitions were observed in both the ab-plane and the c-direction. The high temperature transition may have a close relation to the surface shell of the crystal. 相似文献
35.
提出了一类新型毫米波大功率微波器件——脊加载曲折波导行波管,推导出了引入电子注后的"热"色散方程.通过数值求解此方程,研究了加脊尺寸和电子注参数对小信号增益影响.计算结果表明:通过适当的尺寸设计和工作参数的选择,此结构在Kα波段具有18.51%的3 dB增益带宽和1.15 dB/周期的增益;相比于常规曲折波导结构,脊加载结构在保证一定带宽的情况下,具有更高的增益和电子效率;为了进一步提高增益,可以适当增加脊宽度和高度,也可在一定范围内增加电子注电流.
关键词:
毫米波
曲折波导
脊加载
小信号增益 相似文献
36.
Orientation dependence of structural transition in fcc Al driven under uniaxial compression by atomistic simulations 下载免费PDF全文
By molecular dynamics simulations employing an embedded atom method potential,we have investigated structural transformations in single crystal Al caused by uniaxial strain loading along the [001],[011] and [111] directions. We find that the structural transition is strongly dependent on the crystal orientations. The entire structure phase transition only occurs when loading along the [001] direction,and the increased amplitude of temperature for [001] loading is evidently lower than that for other orientations. The morphology evolutions of the structural transition for [011] and [111] loadings are analysed in detail. The results indicate that only 20% of atoms transit to the hcp phase for [011] and [111] loadings,and the appearance of the hcp phase is due to the partial dislocation moving forward on {111} fcc family. For [011] loading,the hcp phase grows to form laminar morphology in four planes,which belong to the {111} fcc family; while for [111] loading,the hcp phase grows into a laminar structure in three planes,which belong to the {111} fcc family except for the (111) plane. In addition,the phase transition is evaluated by using the radial distribution functions. 相似文献
37.
38.
39.
根据递推最小二乘和图像配准原理,提出了基于递推最小二乘的红外焦平面非均匀校正算法(简称ILS算法),有效降低算法的时间和空间复杂度,使噪音图像的校正处理能够实时完成.ILS算法具有噪音参量估计准确度高、收敛速度快和计算复杂度低等优点.给出了算法的推导并用仿真数据对算法的有效性进行验证. 相似文献
40.
为了优化横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(lateral double-diffused MOSFET,LDMOS)的击穿特性及器件性能,在传统LDMOS结构的基础上,提出了一种具有纵向辅助耗尽衬底层(assisted depletesubstrate layer,ADSL)的新型LDMOS.新加入的ADSL层使得漏端下方的纵向耗尽区大幅向衬底扩展,从而利用电场调制效应在ADSL层底部引入新的电场峰,使纵向电场得到优化,同时横向表面电场也因为电场调制效应而得到了优化.通过ISE仿真表明,当传统LDMOS与ADSL LDMOS的漂移区长度都是70μm时,击穿电压由462 V增大到897 V,提高了94%左右,并且优值也从0.55 MW/cm~2提升到1.24 MW/cm~2,提升了125%.因此,新结构ADSL LDMOS的器件性能较传统LDMOS有了极大的提升.进一步对ADSL层进行分区掺杂优化,在新结构的基础上,击穿电压在双分区时上升到938 V,三分区时为947 V. 相似文献