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11.
Jr‐Sheng Tian Chun‐Yen Peng Wei‐Lin Wang Yue‐Han Wu Yi‐Sen Shih Kun‐An Chiu Yen‐Teng Ho Ying‐Hao Chu Li Chang 《固体物理学:研究快报》2013,7(4):293-296
Semipolar (11\bar 2 \bar 2) ZnO was successfully grown on (112) LaAlO3/(LaAlO3)0.29(Sr2AlTaO6)0.35 substrate by pulsed laser deposition. The epitaxial relationship is [11\bar 23]_{\rm ZnO} // [11\bar 1]_{\rm LAO/LSAT} with the polar axis of [000\bar 1]_{\rm ZnO} pointing to the surface. For ZnO films with thickness of 1.6 μm, the threading dislocation density is ~1 × 109 cm–2, and the density of basal stacking faults is below 1 × 104 cm–1. The (11\bar 2 \bar 2) ZnO exhibits strong D0X emissions with a FWHM of 9 meV and very few green–yellow emissions in the low‐temperature (10 K) and room‐temperature photoluminescence spectra, respectively.
12.
SOME RESULTS ABOUT COVERING PROPERTIES OF PRODUCTS 总被引:3,自引:0,他引:3
SOME RESULTS ABOUT COVERING PROPERTIES OF PRODUCTS ¥JIANGJIGUANG;TENGHUIAbstract:Thefollowingresultsareproved:1.LetXbeascreen... 相似文献
13.
14.
We demonstrate a harmonically pumped femtosecond optical parametric oscillator(OPO)laser using a frequency-doubled mode-locked Yb:KGW laser at a repetition rate of 75.5 MHz as the pump laser.Based on a bismuth borate nonlinear crystal,repetition rates up to 1.13 GHz are realized,which is 15 times that of the pump laser.The signal wavelength is tunable from 700 nm to 887 nm.The maximum power of the signal is 207 m W at the central wavelength of 750 nm and the shortest pulse duration is 117 fs at 780 nm.The beam quality(M^2 factor)in the horizontal and vertical directions of the output beam are 1.077 and 1.141,respectively. 相似文献
15.
对聚变堆用316LN奥氏体不锈钢熔化极活性气体保护电弧焊(MAG焊)接接头进行不同温度的热处理,并在液氮温度下进行夏比冲击试验。利用光学显微镜、扫描电镜、EDS分析等研究了热处理温度对接头微观组织、断口形貌及析出物的影响。结果表明,873K热处理可以显著提高焊缝金属冲击韧性,但随着热处理温度的上升,焊缝金属逐渐出现沿着晶界分布的析出物,韧性逐渐下降。断口均为延性断裂,但随着热处理温度的升高,韧窝变浅、数量变少。韧窝底部存在球状析出和不规则状析出,球状析出在焊接过程中产生,不因热处理温度而变化,不规则析出随着热处理温度的升高逐渐增多。焊材中的Mo含量过高导致焊缝金属中Mo在晶界大量偏聚,促进了σ相的析出,当σ相在晶界形成连续分布后,焊缝金属冲击韧性显著下降。 相似文献
16.
采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,对稀土元素La,Y单掺杂和La和Y共掺杂GaN的晶格常数、电子结构及光学性质进行了计算与分析.计算结果表明:掺杂改变了GaN的能带结构,未掺杂和Y掺杂形成导带底和价带顶位于G点的直接带隙半导体,而La掺杂和La和Y共掺杂形成导带底位于G点,价带顶位于Q点的间接带隙半导体.可以通过掺杂元素来调制GaN的禁带宽度和带隙类型,掺杂均提高GaN在低能区的静态介电常数、反射率、折射率,使光子的跃迁强度增大,说明稀土元素La,Y掺杂可有效调制GaN的光电性质. 相似文献
17.
在HL-1装置的输样机构上安放了硅收集探针。经过55次高功率托卡马克放电辐照后,对于因石墨孔栏被腐蚀而溅射蒸发,并沉积在硅收集探针上的杂质涂层进行了俄歇电子能谱(AES)分析,获得无主动冷却石墨孔栏被腐蚀而溅射蒸发出来的碳杂质流通量约为8×10~(13)cm~(-2)·S~(-1),金属重杂质镍和铬较GH39高镍钢孔栏时降低44%左右。 相似文献
18.
19.
本文以磷酸为磷源,通过溶胶水热法制备磷掺杂TiO_2,利用Lee和Meisel的方法制备银溶胶,以4-巯基苯甲酸(MBA)为探针分子,通过构建TiO_2/MBA/Ag三明治结构,研究磷掺杂二氧化钛对该基底表面增强拉曼(SERS)性能的提升。通过TEM、XRD、XPS、DRS和拉曼光谱图表征二氧化钛的形貌结构、化学组成、光学和拉曼性能,结果表明,制备出的磷掺杂二氧化钛为锐钛矿型纳米颗粒,粒径范围6~12nm,XPS显示磷以P~(5+)替代了Ti~(4+),形成O-P-O键掺入TiO_2的晶格中,当磷的掺杂量在1.77%时,TiO_2/MBA/Ag三明治体系具有最佳的SERS信号,这是因为适量的磷掺杂降低了TiO_2的能带间隙,丰富TiO_2的表面态,这能促进TiO_2向MBA分子的电荷转移。 相似文献
20.
苝二酸酐与嘧啶衍生物的氢键组装 总被引:1,自引:0,他引:1
用半经验AM1方法对苝二酸酐与嘧啶衍生物的1:1及1:2氢键复合物进行理论研究,表明随着氢键数目增多,弱相互作用能变大,主体上的供电基和客体上的吸电基有利于氢键相互作用,氢键导致电子从主体流向客体.用INDO/SCI方法计算配合物的电子光谱,表明其长波吸收峰与主体相比发生兰移,各配合物的长波吸收峰位置相差不大,与实验一致.讨论吸收峰兰移的原因并对电子跃迁进行理论指认,同时得到了配合物的双质子转移势能曲线,给出了相对于N-H键的过渡态和活化能. 相似文献