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101.
工科物理实验课程改革与实践   总被引:5,自引:0,他引:5  
针对21世纪实验教学的要求,介绍了开展工科物理实验教学体系与教学内容改革的经验。  相似文献   
102.
二维非正交坐标斜方格金属光子带隙结构   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
郝保良  刘濮鲲  唐昌建 《物理学报》2006,55(4):1862-1867
金属光子带隙结构在高能加速器、微波真空电子器件和太赫兹波源等方面具有重要的应用前景.基于实空间传输矩阵理论,详细研究了非正交坐标系下二维斜方格金属光子带隙结构,给出了计算横电模、横磁模完全带隙结构的一般公式,并分析了填充系数、任意斜角及金属柱横截面对带隙结构的影响.计算结果在退化为正方格情况下时,与其他方法的计算结果取得很好的一致. 关键词: 光子晶体 金属光子带隙 传输矩阵法 微波真空电子器件  相似文献   
103.
考虑材料熔化潜热的高温高压本构   总被引:3,自引:0,他引:3       下载免费PDF全文
冉宪文  汤文辉  谭华  戴诚达 《物理学报》2006,55(6):2852-2855
本文在修正的SCG模型基础上,提出了一种考虑了熔化潜热的高温高压本构.该本构所给出的铝的剪切模量的变化分为三个阶段:加工硬化,温度软化和熔化,并在完全熔化点处变为零.并且在前两个阶段,计算的结果与修正的SCG模型所给出的剪切模量的差别不超过4%,这一差别是在动高压实验误差范围之内的,在熔化区所给出的剪切模量与现有的实验数据相符合. 关键词: 剪切模量 熔化潜热 修正的SCG模型 动高压实验  相似文献   
104.
C-V法提取SiC隐埋沟道MOSFET沟道载流子浓度   总被引:3,自引:0,他引:3       下载免费PDF全文
本文对用C-V法提取SiC隐埋沟道MOSFET沟道载流子浓度的方法进行了理论和实验分析. pn结的存在所造成的埋沟MOS结构C-V曲线的畸变为沟道载流子浓度的提取带来一些问题. SiC/SiO2界面上界面态的存在也会使提取出的数值与实际数值产生偏差. 本文首先从理论上分别分析了沟道深度和界面态对沟道载流子浓度提取结果的影响,然后对两种沟道深度的埋沟MOS结构C-V曲线进行了测试,提取出了沟道掺杂浓度. 在测试中,采用不同的扫描速率,分析了界面态对提取结果的影响. 理论分析结果和实验测 关键词: C-V法 SiC 隐埋沟道MOSFET 沟道载流子浓度  相似文献   
105.
Tang  L.C.  Chang  C.C.  Chen  T.C.  Yau  H.F.  Ye  P.X. 《Optical and Quantum Electronics》2002,34(12):1241-1249
We propose a novel geometry for a self-pumped phase conjugator that uses a +c-face incident configuration in a photorefractive pentagon-shaped 0°-cut BaTiO3 crystal for obtaining fast response in phase conjugation. A steady phase-conjugate output with a fast response time 0.4 s is obtained when the incident beam has a 4 W/cm2 intensity. The influences of position and angle on the temporal phase-conjugate response are also investigated. The advantage of this phase conjugator using this novel configuration is improved resolution of a phase-distorted image with a value as high as 128 lp/mm.  相似文献   
106.
The synthesis and characterization of several fullerene-based organometallic complexes containing Mo and W is reported.  相似文献   
107.
108.
本文来自于作者的实践。介绍了加工方法及测量问题。重点叙述了加工中的一些关键,同时也提供了国内外在这方面的进展情况。  相似文献   
109.
陈连春  徐叙rong 《发光学报》1991,12(2):173-180
采用激发样品表层和样品中心两种激发方式,在300K和77K温度下研究叶绿素A(Chla)的较高激发行为,观测到峰值位于493、520和580nm三条新的荧光发射带.分别测量它们的荧光激发光谱,证明这三条新的荧光带属于Chla的第二激发单线态向基态的不同振动能级的辐射跃迁发光.最后提出电子跃迁模型,同时进行了讨论.  相似文献   
110.
利用快速Fourier变换(FFT)算法和反卷积原理对Dante谱议测量波形进行了回推获得了激光等离子体源区低能X射线辐射时间波形。解谱方法采用了W.N.Mcelroy等人提出的SANDⅡ解谱方法并与文献[6]中介绍的限幅迭代和周期性光滑技术相配合计算出了能谱时间关系的16分区结果,给出了1989年6月LF-12强激光装置实验的双束靶、漏靶诊断口,入射口的X射线时间谱以及辐射温度时间关系T_R(i)。  相似文献   
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