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71.
本文初步探讨了钴电极的表面增强拉曼散射机理。采用二维阵列理论模型在 0 .5~ 4.0eV的光子能量范围对钴纳米椭球阵列的表面增强拉曼散射 (SERS)现象进行了理论分析。有关计算表明 ,经过合适的表面粗糙化的钴金属电极能产生较弱的表面增强效应 (SERS增强因子约 1 0 2 ~ 1 0 4 ) ,制备出具有高纵横比的纳米粒子阵列是得到钴体系较大的SERS增强因子的关键  相似文献   
72.
Making use of the relativistic BBGKY technique,the relativistic generalization of Landau collision integral is botained.Furthermore,we calculate the relativistic hydrodynamic modes up to the second order in the hydrodynamic wave number.Combining Resibois‘ method,we present the first principle formula of the relativistic heat conductivity of Coulumb electronic plasmas for low-order corrections.  相似文献   
73.
利用傅里叶变换红外光谱(FTIR)法研究了不同类型氨基酸及其配合物与二棕榈酰磷脂酰胆碱脂质体浇铸膜的相互作用。结果表明,在有氨基酸存在下,二棕榈酰磷脂酰胆碱的红外谱图没有明显的变化;氨基酸稀土配合物与磷脂极性头基团有静电相互作用,作用的程度随稀土离子、氨基酸及稀土同氨基酸配比的不同而有所不同。  相似文献   
74.
小波分析是除了Fourier分析和Gabor分析以外一种新的时频分析工具.它被应用在信号处理、图像处理以及许多其他领域.小波分析的—个基本问题是什么样的(A,Γ)对,使得存在单函数(A,Γ)小波.本文填补了Ionascu,Yang Wang关于单函数小波存在性问题在二维情形论证中的漏洞.  相似文献   
75.
给出了完全次序一致性的定义和次序一致性矩阵的标准形式,并证明了满意一致性与次序一致性的等价性,然后给出了同时适用于互反与互补两种判断矩阵的完全次序一致性检验及改进的交互式算法,最后在次序一致性的基础上给出了模糊互补判断矩阵排序的一种新方法,并给出了一个算例.  相似文献   
76.
测定了苯撑乙烯齐聚物、吡唑啉衍生物、钌配合物、铼配合物以及常用的有机染料与载流子传输材料等一百余种有机(包括有机小分子,配合物和聚合物)材料的能带来结构参数,探讨不同取代基对材料“能带”结构的影响。基于能带匹配的原则,同时考虑载流子迁移率匹配及各有机层间的厚度匹配,设计了不同结构的电致发光器件。研究表明,能带匹配、迁移率匹配以及厚度匹配是提高有机电致发光器件性能的重要依据。  相似文献   
77.
Landau规范下均匀磁场中带电粒子圆心相干态计算   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
黄湘友  田旭  胡城立 《物理学报》1994,43(12):1913-1918
在Landau规范下计算出均匀磁场中带电粒子的圆心相干态。利用这些圆心相干态可方便地描述带电粒子的圆周运动。这些圆周运动与经典力学的结果比较表明,圆心相干态描述系综中的平均运动. 关键词:  相似文献   
78.
通过本乙烯基吡啶和不同脂肪羧酸间的氢键作用构成液晶的方法具有合成路线灵活、简便、易于变化的特点,本文通过变温红外光谱对做为质子受体的苯乙烯基吡啶粉液晶化合物的分子结构和相变过程中分子排列的变化进行了研究,结果表明在液晶分子中象羰基这样的偶极矩较大的极性基团,对分子所处的相态分子间的相互排列比较敏感。在红外光谱中羰基伸缩振动的变化可以看作是液晶分子相态转变的标志。  相似文献   
79.
G的正常[k]-边染色σ是指颜色集合为[k]={1,2,…,k}的G的一个正常边染色.用wσx)表示顶点x关联边的颜色之和,即wσx)=∑ex σe),并称wσx)关于σ的权.图Gk-邻和可区别边染色是指相邻顶点具有不同权的正常[k]-边染色,最小的k值称为G的邻和可区别边色数,记为χ'G).现得到了路Pn与简单连通图H的字典积Pn[H]的邻和可区别边色数的精确值,其中H分别为正则第一类图、路、完全图的补图.  相似文献   
80.
胡明亮  田东平 《中国物理 C》2006,30(11):1132-1136
研究了存在次近邻相互作用(耦合)时Heisenberg XX链的纠缠特性. 结果表明对近邻格点, 随着耦合常数J的变化, 次近邻相互作用的存在可能使其纠缠度增大或者减小; 而对次近邻格点, 引进次近邻相互作用却可以产生纠缠, 并且使其随着|J|的增大而增大. 近邻格点间纠缠存在的临界温度Tc随着J的增大而降低, 次近邻格点间纠缠存在的临界温度Tc随着|J|的增大而升高. 此外对纠缠W态的制备, 次近邻相互作用的存在还使得三量子位情形时W态产生的时刻改变, 而对于四量子位情形却没有影响.  相似文献   
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