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131.
利用原子力显微镜分析了ZnO薄膜在具有本征氧化层的Si(100)和Si(111)基片上的表面形貌 随沉积时间的演化. 通过对薄膜生长形貌的动力学标度表征,研究了射频反应磁控溅射条件 下,ZnO薄膜的成核过程及生长动力学行为. 研究发现,ZnO在基片表面的成核过程可分为初 期成核阶段、低速率成核阶段和二次成核阶段. 对于Si(100)基片,三个成核阶段的生长指 数分别为β1=1.04,β2=0.25±0.01,β3=0.74;对 于Si(11
关键词:
ZnO薄膜
磁控溅射
生长动力学
成核机制 相似文献
132.
采用熔体快淬的方法制备Pr2Fe14B/α-Fe纳米晶复合永磁材料.使用振动样品磁强计(VSM)测量样品的室温磁性能.实验合金成分为(PrxFe94.3-xB5.7)0.99Zr1(其中x=8.2,8.6,9.0,9.4,9.8,10.2,10.6,11.0,11.4(原子分数,%)).系统地研究了辊速及合金成分对快淬带磁性能的影响,当Pr原子分数由8.
关键词:
纳米复合永磁材料
熔体快淬
2Fe14B/α-Fe')" href="#">Pr2Fe14B/α-Fe
磁性 相似文献
133.
由大学多媒体教学实践所引发的深入思考 总被引:5,自引:0,他引:5
多媒体技术是物理教学良好的辅助工具,多媒体技术的应用为大学物理教学开辟了一片广阔天地。它能大大增加物理教学的信息量,图形形象直观、生动活泼,有着传统教学无法比拟的优势,但是,多媒体技术使用不当也会给物理教学带来一些负面影响。 相似文献
134.
Ching-Cherng Sun You-Nian Lin Shih-Po Yeh Wei-Chia Su Yuh Ouyang 《Optics & Laser Technology》2002,34(7):523-526
High longitudinal selectivity of the shifting multiplexing with spherical reference wave is proposed and demonstrated. A simplified method based on wave optics is used for calculating the selectivity, and the result fits well the experimental measurement. Under the paraxial condition, a simple formula for the longitudinal selectivity is introduced. With use of an object lens with effective NA=0.817, we obtain that an FWHM of selectivity is as small as 1 μm. 相似文献
135.
采用Monte Carlo模拟方法研究了多嵌段聚合物在A/B/嵌段聚合物三组份体系作为相容剂使用的有效性.占总体积19%的A组份在体系中为分散相.模拟结果显示了两嵌段和多嵌段聚合物在界面上的聚集行为,以及如何影响这个不相容体系的相形为.两嵌段聚合物趋于直立在相界面上,而多嵌段聚合物更容易横跨在相界面上并占据较大的界面积.从而导致多嵌段聚合物更有效的阻止体系相分离的发生. 相似文献
136.
Let A and B be two finite subsets of a field
. In this paper, we provide a non-trivial lower bound for {a+b:aA, bB, and P(a,b)≠0} where P(x,y)
[x,y]. 相似文献
137.
对掺有镉、硒、硫的玻璃在500—800℃退火2—24h,生长了不同尺寸的CdSxSe1x纳米晶体.用分光光度计和光致发光光谱(PL)分析了纳米晶体的性能.退火温度低于550℃,纳米晶体处于成核阶段,600—625℃处于正常扩散生长阶段,700—800℃处于竞争生长阶段;而650℃处于两种生长阶段之间.虽然650℃下生长的纳米晶体的尺寸分布比较窄,但纳米晶体的尺寸随退火时间的延长几乎不变,在该温度改变退火时间很难改变纳米晶体的平均尺寸.在所有样品中出现了深能级缺陷,在650℃退火时间小于4h或大于16h有利
关键词:
纳米晶体
生长机理
深能级缺陷 相似文献
138.
139.
140.
为了让临床医生更方便地使用M eta分析方法,我们根据四格表数据特点,提出了一种基于固定效应模型的简明方法。该方法简单而容易操作,且统计结果与原方法完全等价,在循证医学领域很有推广价值。 相似文献