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51.
52.
Cheng-Ling Pan Chang-Min Hou Lei Zhang Yong Fan Shao-Ding Sheng 《Mendeleev Communications》2012,22(2):109-110
The reaction of potassium pyridyl amido ligand {L = [N(R)(2-C5H3N-6-Me)]–, R = CH2But} with YbI2(thf)2 afforded the linear polymeric complex [K0.5(L)3YbiiK0.5]n, which was characterized by X-ray structure analysis. 相似文献
53.
54.
Jun-hua Fan Mei-xiang Wan Dao-ben Zhu Institute of Chemistry Chinese Academy of Sciences Beijing China 《高分子科学》1999,(2):165-1170
Poly(aniline- co-o-aminobenzenesulfonic acid) (PAOABSA) as a water soluble conducting polymerwas synthesized by chemical polymerization. The productivity and the room-temperature conductivity of thecopolymer were measured as a function of the reaction conditions, such as reaction temperature, the ratio ofoxidant to monomer and the degree of sulfonation defined as the ratio of sulfur to nitrogen atoms(S/N). Themain results obtained are summarized as follows : (1) lower reaction temperature (at about 0℃) is favorablefor the enhancement of the room-temperature conductivity of the copolymer; (2) higher content of oxidant isunfavorable for increasing the room-temperature conductivity of the copolymer; (3) both productivity androom-temperature conductivity of the copolymer decrease with increase of the degree of sulfonation whichwas always lower than 0.5 even an excess of o-aminobenzenesulfonic acid was added, probably because thereactivity ratio of aniline (γ=2.99± 0.05) is much higher than that of o-aminobenzenesulfonic acid (γ_2 = 0.06±0.02) estimated by using Fineman-Ross method and least square method. 相似文献
55.
本文研究了常压MOCVD法制备宽禁带材料ZnSe的生长机制。通过经验公式和烟雾实验,从理论上和实验上分析了反应室的气流状态。观测了滞流层厚度及生长速率与位置、气流速度及衬底温度的关系。实现了反应器设计最优化,在热壁、常压、DEZ源的系统中也生长出高质量的ZnSe单晶外延层。 相似文献
56.
HL-1装置在环向磁场2.3T下运行,获得135kA平衡稳定等离子体,平顶时间160ms。实验表明,环向磁场杂散分量约为纵场的万分之一,导体壳和平衡场基本上能保证等离子体的平衡。观察到的电子温度约500eV,平均电子密度2.8×10~(13)cm~(-3),能量约束时间10ms,有效电荷数小于3,最低稳定运行安全因子2.5,最长放电持续时间1040ms。在对MHD稳定性进行观察的基础上,确定了稳定运行区域;极限密度服从Murakami定标律。 相似文献
57.
58.
采用基于密度泛函理论(DFT)的总体能量平面波超软赝势法,对Mg,Zn,Cd掺杂InN的32原子超原胞体系进行了几何结构优化,从理论上给出了掺杂和非掺杂体系的晶体结构参数,其中非掺杂体系的理论值与实验值符合很好. 计算了掺杂InN晶体的结合能,总体态密度、集居数,差分电荷密度,并对此做了细致的分析. 计算结果表明,相对于Zn和Cd,MgIn在InN中的溶解度会更大,并能提供更多的空穴态,非常有利于InN的p型掺杂.
关键词:
氮化铟
p型掺杂
电子结构
第一性原理 相似文献
59.
用常压MOCVD法在GaAs衬底上生长了Zn1-xCdxSe-ZnSe多层结构.通过X-射线衍射谱和光致发光等方法判断,表明该材料为多量子阱结构.从室温下的透射光谱上可以观察到这种多量子阱中的n=1的激子吸收峰,并观测到起因子激子的ns量级的光学双稳态. 相似文献
60.
针对精细化模型与Abaqus摩擦模型所存在问题, 提出一种基于螺纹几何特征的螺旋线螺纹模型, 采用脚本语言实现了螺旋线螺纹模型生成自动化, 并应用到某发动机机体主轴承盖螺栓螺孔的强度分析. 分析结果表明, 仿真计算得到的螺栓及机体螺孔处的应力很好地表征了螺栓连接结构螺纹处的实际应力分布, 与螺纹精细模型相近, 比Abaqus摩擦模型精度更高, 且计算方便、实用、高效, 验证了本文方法的准确、可行. 相似文献