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101.
102.
提出了一种用阵列波导光栅复用光纤微机电系统法布里-珀罗压力传感器的方法,实现了法布里-珀罗压力传感器的准分布式测量。传感器基于法布里-珀罗腔干涉的原理,采用微机电系统技术加工制作,用双波长方法解调干涉信号,利用传感器对两个不同波长光的反射率的比值与压力的单值关系确定所施加压力的大小,用阵列波导光栅实现传感器复用。理论分析与实验验证了传感器解调和复用的基本原理。实验结果表明:在压力的线性测量范围(0~1.5 MPa)内,系统的灵敏度(相对反射率比值/压力)可达到0.02026 MPa-1,测量结果具有较好的线形性,相对反射率比值的标准偏差小于3×10-4。该系统可以补偿传感器光网中和波长无关的变动引起的误差,具有好的线性、灵敏度和精度,复用能力强且复用传感器间无串扰。 相似文献
103.
104.
Extraordinary optical transmission through metal gratings with single and double grooved surfaces 下载免费PDF全文
We investigate the transmission properties of a normally
incident TM plane wave through metal films with periodic
parabolic-shaped grooves on single and double surfaces using the
finite-difference-time-domain method. Nearly zero transmission
efficiency is found at wavelengths corresponding to surface plasmon
excitation on a flat surface in the case where the single surface is
grooved. Meanwhile, resonant excitation of surface plasmon polariton
(SPP) Bloch modes leads to a strong transmission peak at slightly
larger wavelengths. When the grating is grooved on double surfaces,
the transmission enhancement can be dramatically improved due to the
resonant tunnelling between SPP Bloch modes. 相似文献
105.
We propose schemes to generate an n-coherent-pulse GHZ state and a cluster state via the interaction between n coherent pulses and a two-sided cavity.In these schemes,a strong coupling condition is not needed,which makes the protocols possibly able to be implemented based on the current experiment technology. 相似文献
106.
Al2O3介质薄膜与纳米Ag颗粒构成的复合结构,被应用于表面增强Raman散射探测实验中,其中Al2O3介质薄膜对纳米Ag颗粒的吸收谱及增强Raman散射光谱的影响被特别关注.该复合结构的光学特性表征出纳米Ag颗粒的偶极振荡特性.从光吸收谱中可以看到,其共振吸收谱随Al2O3介质薄膜厚度增加而在整个谱域上发生红移,表明纳米Ag颗粒的周围介电常数随Al2O3介质薄膜厚度的增加而增大.采用罗丹明6G作为探针原子,6个Raman特征峰的平均增益值作为表征表面增强Raman散射衬底增益程度的量度.实验结果表明,Al2O3介质薄膜层的引入提高了纳米Ag颗粒的衬底介电常数,并引起了散射共振的增强,从而使表面增强Raman散射强度提高. 相似文献
107.
Comparative study of different properties of GaN films grown on(0001) sapphire using high and low temperature AlN interlayers 下载免费PDF全文
Comparative study of high and low temperature AlN
interlayers and their roles in the properties of GaN epilayers
prepared by means of metal organic chemical vapour deposition on
(0001) plane sapphire substrates is carried out by high resolution
x-ray diffraction, photoluminescence and Raman spectroscopy. It is
found that the crystalline quality of GaN epilayers is improved
significantly by using the high temperature AlN interlayers, which
prevent the threading dislocations from extending, especially for
the edge type dislocation. The analysis results based on
photoluminescence and Raman measurements demonstrate that there
exist more compressive stress in GaN epilayers with high temperature
AlN interlayers. The band edge emission energy increases from
3.423~eV to 3.438~eV and the frequency of Raman shift of $E_{2
}$(TO) moves from 571.3~cm$^{ - 1}$ to 572.9~cm$^{ - 1}$ when the
temperature of AlN interlayers increases from 700~$^{\circ}$C to
1050~$^{\circ}$C. It is believed that the temperature of AlN
interlayers effectively determines the size, the density and the
coalescence rate of the islands, and the high temperature AlN
interlayers provide large size and low density islands for GaN
epilayer growth and the threading dislocations are bent and
interactive easily. Due to the threading dislocation reduction in
GaN epilayers with high temperature AlN interlayers, the approaches
of strain relaxation reduce drastically, and thus the compressive
stress in GaN epilayers with high temperature AlN interlayers is
high compared with that in GaN epilayers with low temperature AlN
interlayers. 相似文献
108.
提出一种基于光子晶体环形腔的四波长THz滤波器,该滤波器在光子晶体结构中引入两个环形腔,且环形腔内部各增加一个正方形介质柱,四周各引入一个散射介质柱。应用基于时域有限差分法(FDTD)的Rsoft软件进行仿真分析,结果表明通过对内部正方形介质柱的边长、散射介质柱半径以及耦合介质柱半径等结构参数的调节,可以滤出74.813,76.98,78.168和78.883 m四个太赫兹波长。该滤波器性能优良,透过率高、Q值高、信道隔离度大,对于THz技术应用具有重要意义。 相似文献
109.
S.Y. Huang S.Y. Xu J.D. Long Z. Sun X.Z. Wang Y.W. Chen T. Chen C. Ni Z.J. Zhang L.L. Wang X.D. Li P.S. Guo W.X. Que 《Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures》2006,31(2):200-203
Separated AlxIn1−xN quantum dots (QDs) embedded in amorphous AlN films have been produced by radio-frequency co-sputtering technique on silicon (1 1 1) and quartz glass substrates. The mean size and density of AlxIn1−xN QDs can be conveniently monitored by deposition parameters. Transparent electron microscope, and X-ray diffraction were used to detect the structure of the AlxIn1−xN QDs system; field-emission scanning-electron microscope was adopted to measure the surface morphology and anticipate the size of the QDs; X-ray photoelectronic spectroscopy was used to measure the stoichiometric ratios of the QDs. 相似文献
110.
提出了一种基于光纤布拉格光栅嵌入单模-多模纤芯-单模(single-mode-multimode fiber core-single mode, SMS)光纤结构的湿度传感器。当环境湿度变化时,SMS光纤结构的干涉光谱会发生漂移,而光纤布拉格光栅对湿度不敏感,其纤芯基模保持不变。因此利用SMS光纤结构对环境湿度的敏感性去调制光纤布拉格光栅纤芯基模,通过检测光纤布拉格光栅纤芯基模的反射能量变化就可以实现湿度测量。数值模拟了SMS光纤结构的内部光场分布规律,理论计算了不同环境折射率时,多模纤芯的长度、直径对SMS光纤结构输出能量耦合系数的影响。理论模拟表明,随着环境折射率变化,SMS光纤结构中传输的纤芯基模的输出能量耦合系数会发生变化。同时制作了传感器样品并对其进行了传感实验研究,实验结果表明多模纤芯长35 mm、纤芯直径为85 μm的传感器在45%~95%RH湿度变化范围内,湿度灵敏度为0.06 dBm·(%RH)-1。在20~80 ℃温度范围内,传感器的温度灵敏度为0.008 nm·℃-1,温度所带来的湿度测量误差为0.047%RH·℃-1。传感器具有制作简单、灵敏度高、反射式能量检测等优点,在湿度测量领域有一定的应用价值。 相似文献