半导体中多光子吸收跃迁速率的全量子理论分析

本文从非线性光学中辐射跃迁速率的表达式出发,在全量子理论下,导出了半导体中任意阶多光子吸收跃迁速率的一般表达式。理论分析结果表明,n光子吸收跃迁速率与光强的n次方和n阶光子相干度成正比。本文在多能带及二能带理论模型下,对多光子吸收跃迁速率的一般表达式进行了化简,并对非线性相互作用项对跃迁速率的贡献,作了讨论。     

Integral points of P n −{2n+1 hyperplanes in general position}

Oblatum 4-VI-1990 &; 5-III-1991     

ESR方法研究高TC氧化物的超导电性

用电子顺磁共振方法研究了一些高温超导氧化物样品的零场非共振吸收信号和正常的ＥＳＲ共振信号。认为这种方法可以作为鉴别样品进入超导态的实验判据之一。利用零场非共振吸收实验给出的下临界磁场Ｈｃ１（Ｔ）很好地遵多Ｈｃ１（Ｔ）＝Ｈｃ１（０）（１－Ｔ＆＾２／Ｔｃ＾２）。     

一类几乎最优循环图{C_p(m,m+1,p/a)}

本文比较了循环图类{c_p(n_1,…,n_p)}和{c-p(n_1…,n_p,p/α)}的直径下界。对于p和α满足一定条件的循环图类{c_p(n_1,n_2,p/α)},本文给出了达到或几乎达到此图类直径下界的一类几乎最优循环图{c_p(m,m+1,p/α)}。     

超声波在多糖降解及提取中的应用

本文支综合介绍了超声波在多糖降解和提取中应用的研究进展．着重对超声波在淀粉，壳多糖，细菌多糖的降解和真菌多糖的提取中的应用作了较详细的阐述．     

混合方次的Waring——Goldbach问题

研究混合方次的Waring--Goldbach     

Angular and NiFe thickness dependence of exchange bias in IrMn/NiFe/IrMn thin film

Exchange biased IrMn/NiFe/IrMn thin films were studied as a function of NiFe thickness. In plane angular dependence of a resonance field distribution which is measured by FMR was analyzed as a combined effect of an unidirectional anisotropy and an uniaxial anisotropy. The unidirectional anisotropic field and the uniaxial anisotropic field were linearly varied with NiFe thickness while the films with a thicker NiFe layer do not follow the linear variation. Resonance field and linewidth variations were also analysed with NiFe thickness.     

线性递归序列模q

设{u_k}_k≥0为一个线性递归序列．序列{u_k(mod q)}_(k≥0)是周期的,很多人都对其周期有过研究．本文应用二次数域中理想的理论,较完全地刻面了二次线性递归序列模q的周期长度,所获结果加强并推广了Engstrom及Wall的结论．     

一种新的磷化铟复合沟道高电子迁移率晶体管小信号物理模型

针对磷化铟(InP)复合沟道高电子迁移率晶体管(HEMT)的特点，对常规单沟道HEMT的小信号物理模型进行了修正，提出了一种新的用于复合沟道HEMT的小信号物理模型，用商用器件模拟软件ISE(integrated systems engineering)对其进行了仿真验证，对比了实测和仿真的I-V特性及转移特性曲线，重点研究了在InGaAs/InP双层沟道中考虑量子效应后的电场和电流密度随着不同栅电压的变化趋势，研究结果表明，由于在沟道中存在量子效应，在栅下靠源端低电场区域，电流主要分布在InGaAs沟道 关键词： 高电子迁移率晶体管 复合沟道 物理模型 磷化铟     

SiO2-羟基表面上金属原子的第一性原理研究

采用第一性原理方法研究了SiO2-羟基表面上几种金属原子的吸附性质,发现In和Ga在SiO2-羟基表面上的结合很弱,而Fe,Co,Ni在该表面上与Si,O形成强的化学键.等势能面和扩散势垒计算表明In(Ga)的扩散激活能只有0.1-0.3 eV,表明这两种原子容易在表面上扩散.这些结果可以定性地解释纳米合成中的一些实验现象.