等厚双层涂层材料受集中力作用的平面问题理论解

界面应力的正确评价是分析薄膜涂层材料力学特性的难题之一。利用镜像点法和Dirichlet等值性原理，本文推导了等厚双层薄膜涂层材料受表面集中力作用的平面问题理论解。该显式理论解是以固定在各镜像点上的局部坐标系下的Goursat应力函数的形式给出的。对应于高阶镜像点的应力函数，可通过递推的方法，从对应于低阶镜像点的应力函数求得，而且也易于计算机编程。随着镜像点阶数的增大，它与界面的距离也越来越大，因而相对应的应力函数对界面应力的影响越来越小。最后的算例表明，只需考虑前面有限个镜像点，便可获得足够精度的解。该理论解可作为格林函数，以求解复杂问题的理论解，也可用作边界元法的基本解，提高数值计算的精度和效率。     

Value of Optical Bypass in Packet Ring Networks

This paper firstly examines the value of optical bypass scheme in packet ring networks. An Integer Linear Program (ILP) formulation is presented and analytical results under different traffic patterns are given.     

Generation of large fifth-order nonlinear phase shifts by use of lossless χ(2) cascaded nonlinear processes

It is shown that the cascaded fifth-order nonlinear phase shifts will increase with energy loss in the cascaded processes. Essentially different from the multi-photon absorption accompanied with inherent material nonlinearities, the loss of fundamental wave in a cascaded process is controllable and suppressible. By introducing difference frequencies generated from the reaction between the fundamental and its second harmonic after the cascaded processes, the fundamental wave can be free of energy loss, while the large cascaded fifth-order nonlinear phase shift is maintained.     

微尺度效应对螺旋槽干气密封性能的影响

本文引用考虑微尺度效应的雷诺方程,推导出了考虑微尺度效应的螺旋槽干气密封内部流动的近似算法。应用本文提供的算法对文献中干气密封的不同实验工况进行了计算,与相应的实验数据对比,计算结果和实验结果基本符合;切向动量调节系数σv对计算结果在尺度越小时影响越大;考虑微尺度效应时开启力的计算结果更趋于实验数据。     

热喷涂技术的现状和发展

介绍了热喷涂工艺的特点，喷涂方法的种类及其技术以及热喷涂技术的应用概况，并对热喷涂技术的发展方向给予了展望。     

一维He与超短强激光脉冲相互作用的经典模型

采用经典理论研究了一维氦原子与超短强激光脉冲相互作用的动力学过程 .利用经典理论中的系综平均方法 ,对氦原子的一阶和二阶电离几率的时间演化进行了数值模拟 .并对模拟结果进行了分析 .     

光致折射效应中空间电荷场建立过程的研究

本文推导了包含自衍射及非线性吸收影响、用以描述空间电荷场建立过程的微分方程组,阐明了周期性的空间电荷场与光强干涉条纹之间的相位差在建立过程中所起的作用,并推导了描述条纹倾斜和弯曲的微分方程。通过数值计算找到了硅酸铋(BSO)晶体中能量转移的规律,讨论了材料特性对过程快慢的影响,提出了用CW激光来探讨瞬态过程快慢的可能性。     

质子滴线区新的缓发质子先驱核121Ce

藉助核反应⁹²Mo(³²S ,3n)产生了未知的缓发质子先驱核¹²¹Ce ,并利用氦喷嘴快速带传输系统和“p-γ”符合方法对它进行了鉴别 .测定了¹²¹Ce的半衰期 ( 1.1±0 .1 )s,观测了它的β缓发质子能谱 ,粗略地估计了它的β缓发质子衰变道的分支比约为1% .首次观测了先驱核¹¹⁹Ba,¹²¹Ba和¹²²La经过β缓发衰变在“子核”中产生的低位能级到基态的γ 跃迁.