关于一类二次哈密尔顿系统在二次扰动下的极限环个数问题

本文研究了一类具有两个鞍点和一个中心的通用二次哈密尔顿向量场在二次扰动下的三参数开折，证明极限环的最小上界为２。     

属间远缘杂交水稻耐旱性生理特性的比较研究

采用在ＹＯＳＨＩＤＡ水稻专用培养营养液中添加一定量的ＰＥＧ ６０００的方法，比较研究了模拟干旱胁迫条件下属间远缘杂交新型水稻品种“远诱１号”（Ｙ）及其水稻亲本“圭６３０”（Ｇ）、高梁亲本“桃长红”（Ｔ）以及生产推广杂交组合“汕优６３”（Ｓ）等试验材料某些生态生理特性的差异。研究结果表明，在－１．０ＭＰａ的高渗胁迫下，Ｙ、Ｇ、Ｔ的萌发系数均有不同程度的下降，正常培养条件下的萌发系数ＧＣ分别为３６．９     

FINITE GROUPS WHOSE AUTOMORPHISM GROUP HAS ORDER CUBEFREE

ＦＩＮＩＴＥＧＲＯＵＰＳＷＨＯＳＥＡＵＴＯＭＯＲＰＨＩＳＭＧＲＯＵＰＨＡＳＯＲＤＥＲＣＵＢＥＦＲＥＥＬＩＳＨＩＲＯＮＧＡｂｓｔｒａｃｔＬｅｔＧｄｅｎｏｔｅａｆｉｎｉｔｅｇｒｏｕｐ．Ｉｔｉｓｓｈｏｗｎｔｈａｔｉｆ｜Ａｕｔ（Ｇ）｜ｉｓｃｕｂｅｆｒｅ...     

HIRFL–CSR加速器中束流与真空中剩余气体的碰撞损失

研究了重离子加速器中束流与真空中剩余气体的碰撞损失过程和碰撞截面,在依据大量实验数据的基础上,提出了一组计算离子一原子的电荷交换截面的经验公式.以兰州重离子加速器HDRFL及冷却储存环CSR为例,给出了依据碰撞截面的公式计算束流在加速器真空中的传输效率的方法,并计算了在不同真空度下HIRFL的ECR源轴向注入束运线、注入器SFC、前束运线、主加速器SSC和后束运线等不同加速阶段及CSR的传输效率,并提出合理的真空度要求.HIRFL的真空分布测量和束流的损失测量证明了该计算方法的可靠性.     

玻璃陶瓷材料中Tm3+离子红外到蓝色上转换发光

系统研究了PbF2+GeO2+WO3ⅩⅣTmF3玻璃陶瓷材料中,在近红外光(1.06μm)激发下,Tm3+离子的发光特性.实验中观测到Tm3+离子的两组峰值位置分别在20920cm-1和22173cm-1的蓝色上转换发光,并证实这两组上转换发光分别与吸收三个和四个光子有关,同时建立了上转换发光的模型.为了选择最佳掺杂浓度,详细地测量了Tm3+离子峰值为20920cm-1的蓝色上转换发光强度与TmF3浓度的关系.     

非线性光纤方向耦合器孤子动力特性分析

利用变分方法,导出了双曲正割型光孤子在非线性光纤耦合器中传输时满足的动力学方程组,分析了该方程组的平衡点性态,讨论了光孤子的开关特性.指出参数|β|<2π.是能实现完全的开关操作的必要条件.     

A Generalization of Regular Left Acts

ＡＧｅｎｅｒａｌｉｚａｔｉｏｎｏｆＲｅｇｕｌａｒＬｅｆｔＡｃｔｓ＊）ＬｉｕＺｈｏｎｇｋｕｉ（刘仲奎）（ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＭａｔｈｅｍａｔｉｃｓ，ＮｏｒｔｈｗｅｓｔＮｏｒｍａｌＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｌａｎｚｈｏｕ，７３００７０）Ｊ．Ａｈｓａｎ（Ｄ...     

溶胶-凝胶制备技术与新型催化材料Ⅲ.溶胶粒子表面修饰方法制备催化膜

提出用溶胶粒子表面修饰方法，结合溶胶凝胶技术制备无机催化膜．该方法的基本原理是利用合适的金属配合物在胶粒表面的吸附作用，经溶胶凝胶过程，将活性组分结合到无机膜中．实验测定结果表明：（ＮｉＥＤＴＡ）２－，ＶＯ－３，ＭｏＯ２－４，（Ｐｄ（ＮＨ３）４）２＋，ＰｄＣｌ２－４，ＰｔＣｌ２－６和ＲｈＣｌ３－６可用来修饰ＡｌＯＯＨ溶胶．以Ｐｄ／γＡｌ２Ｏ３催化膜的制备为例，经三次溶胶凝胶过程，可制得无裂缺的厚度为９μｍ的Ｐｄ／γＡｌ２Ｏ３催化膜，膜材料的平均孔直径为６ｎｍ，Ｐｄ被均匀地分布在膜的顶层，其平均粒径为２３ｎｍ．     

因素空间理论与知识表示的数学框架（Ⅷ）─—变权综合原理

本文是文［１－７］的继续，研究变权综合问题，从确定变权的经验公式入手引出了变权原理，给出了变权的公理化定义，讨论了与之有关的均衡函数及其梯度向量。     

An investigation of the Al2O3-CdSe interface in accumulation

The Al₂O₃−CdSe interface of a thin-film transistor is investigated in the frequency range 30 Hz-30 kHz under weak depletion and accumulation. The surface states are, most likely, located in the insulator Al₂O₃ with a concentration varying from 4·10¹⁸ to 10¹⁹ cm⁻³ eV⁻¹. The surface states have a negligible influence on the thin-film transistor operation.