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p型未掺杂富锌ZnO薄膜的形成和性能研究 总被引:1,自引:1,他引:0
以高纯ZnO为靶材,氩气为溅射气体,利用射频磁控溅射技术在石英衬底上生长出纤锌矿结构的富锌ZnO薄膜.薄膜沿(002)择优取向生长,厚约为1.2μm,呈现电绝缘特性.将溅射的ZnO薄膜在10-3Pa,510~1 000 K的温度范围等温退火1 h,室温Hall测量结果表明ZnO薄膜的导电性能经历了由绝缘—n型—p型—n型半导体的变化.XPS测试表明ZnO薄膜的Zn/O离子比随退火温度的升高而降低,但一直是富锌ZnO,说明未掺杂的富锌ZnO也可以形成p型导电.p型未掺杂富锌ZnO薄膜的形成可归因于VZn受主浓度可以克服VO和Zni本征施主的补偿效应. 相似文献
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提出了一种基于增强现实的室内漫游系统,在这个系统中用户通过HMD观察增强的视景。在这个视景中不但包含真实布景的图像,还包含有计算机生成的虚拟物体的图像。为了实现虚实场景之间的注册,在HMD上安装有两个摄像机:场景摄像机与跟踪摄像机。并且在用户所在房间的顶部安装了一系列的红外标志点,这些标志点的图像由跟踪摄像机获取,并通过位置估计算法计算用户头部的位置和姿态。另外,通过一对安装有ARtoolKit标志点的手套,实现用户与虚拟环境之间的交互。最后,一套海底漫系统被开发出来,以验证整个漫游系统的可用性 相似文献
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文章针对焊件检测过程中需大量采集和分析实时图像的要求 ,利用小波分析的特点 ,相关跟踪识别视频图像运动状态 ,实现自动采集、分析处理和储存一并完成 ,解决了视频图像连续捕获不能得到高像质的问题。 相似文献
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横向放大率法测定光具组的基点 总被引:1,自引:1,他引:0
介绍了用横向放大率法确定两薄透镜组成的光具组基点的原理和方法,该方法采用线阵光电耦合器件(CCD)测量物经光学系统成像的横向放大率,进一步提高了测量精度. 相似文献
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本文在Larson的“键长涨落模型”的基础上提出了模拟高浓度多链体系的新算法。本算法具有如下特征:(1)除通常的微松弛模式外,还直接引入了链的Reptation运动;(2)提出了空穴扩散算法使体系随时间演化。由于本算法的这些新特征,克服了前人的算法不能运用于两维体系以及高浓度多链体系的缺点,同时也大大缩短了计算耗时。应用本文的算法,在44×44的元胞中模拟了链长为21,浓度为0.9545的体系的动力学行为。所得结果与Rouse理论的预言相符合。 相似文献
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CuX(X=Al, Ga, In)分子的势能函数与稳定性的密度泛函研究 总被引:5,自引:3,他引:2
刘风丽 《原子与分子物理学报》2006,23(5):838-842
根据原子分子反应静力学原理导出了CuX(X=Al,Ga,In) 分子基态电子状态及其离解极限,并在B3LYP/LANL2DZ水平上计算了平衡几何、振动频率和解离能.利用Murrell-Sorbie 函数拟合出了解析势能函数,并计算出光谱参数和力常数.计算结果表明该分子体系是稳定存在的,其稳定性排序为 CuAl>CuGa>CuIn. 相似文献
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牛顿碰撞球的解释与分析 总被引:1,自引:0,他引:1
对牛顿碰撞球的常规碰撞形式和混合联珠单球碰撞形式做了理论分析和解释.在常规碰撞时,将悬线(钓鱼线)先悬挂小球一段时间后组装仪器,可克服悬线的拉力.在混合联珠单球碰撞时,根据理论分析,选取大球和小球的质量比为27∶8时,演示效果较好. 相似文献
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关于Ramsey数下界的部分结果 总被引:3,自引:1,他引:2
刘富贵 《数学的实践与认识》2002,32(1):97-99
本文得到 Ramsey数下界的一个计算公式 :R( l,s+ t-2 )≥ R( l,s) + R( l,t) -1 ,(式中 l、s、t≥ 3) .用此公式算得的 Ramsey数的下界比用其它公式算得的下界好 . 相似文献