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Bo Jin Xi Wang Jing Chen Feng Zhang Xinli Cheng Zhijun Chen 《Applied Surface Science》2006,252(16):5627-5631
The oxidation of SiGe film epitaxial grown on top of SOI wafers has been studied. These SiGe/SOI samples were oxidized at 700, 900, 1100 °C. Germanium atoms were rejected from SiGe film to SOI layer. A new Si1−xGex (x is minimal) layer formed at SiGe/Si interface. As the germanium atoms diffused, the new Si1−xGex (x is minimal) layer moved to Si/SiO2 interface. Propagation of threading dislocation in SiGe film to SOI substrate was hindered by the new SiGe/Si interface. Strain in SOI substrate transferred from SiGe film was released through dislocation nucleation and propagation inner. The relaxation of SiGe film could be described as: strain relaxed through strain equalization and transfer process between SiGe film and SOI substrates. Raman spectroscopy was used to characterize the strain of SiGe film. Microstructure of SiGe/SOI was observed by transmission electron microscope (TEM). 相似文献
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Theoretical and experimental investigations on the performance of micro-perforated -panel absorbers are reviewed in this paper. By reviewing recent research work, this paper reveals a relationship between the maximum absorption coefficient and the limit of the absorption frequency bandwidth. It has been demonstrated that the absorption frequency bandwidth can be extended up to 3 or 4 octaves as the diameters of the micro-holes decrease. This has become possible with the development of the technologies for manufacturing micro-perforated panels, such as laser drilling, powder metallurgy, welded meshing and electro-etching to form micrometer order holes. In this paper, absorption characteristics of such absorbers in random fields and in high sound intensity are discussed both theoretically and experimentally. A new absorbing structure based on micro-perforated-panel absorbers demonstrate experimentally high sound absorption capability. This review shows that the micro-perforated-panel absorber has potentials to be one of ideal absorbing materials in the 21st century. 相似文献
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设 $\varphi$ 是单位园盘 $D$ 到自身的解析映射, $X$ 是 $D$ 上解析函数的 Banach 空间, 对 $f\in X$, 定义复合算子$C_\varphi $ : $C_\varphi (f)=f\circ \varphi$. 我们利用从 ${\cal B}^0$到 $E(p,q)$ 和 $E_0(p,q)$ 空间的复合算子研究了空间 $E(p,q)$ 和 $E_0(p,q)$, 给出了一个新的特征. 相似文献
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可变抽样区间的非参数控制图 总被引:1,自引:1,他引:0
最近几年一些学者研究了可变抽样区间的质量控制图。Amin等提出了可变抽样区间(VSI)的非参数控制图———符号 (Sign)统计量图〔1〕。本文在此基础上研究位置VSI符号控制图的制定方法 ,并设计离散VSI符号控制图。符号控制图的优点是对非正态总体亦可应用 ,并且不需要过程方差的信息。本文将所设计的VSI符号控制图同固定抽样区间 (FSI)的常规图作比较 ,并举实例说明符号控制图的应用 相似文献
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最速下降规则不失为一可用规则 总被引:5,自引:4,他引:1
本从统计意义上平均迭代次数的观点出发,指出求解线性规划的最速下降规则是可取的,好用的。 相似文献
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设珮犠(狋):犚犖+ →犚犱是犖指标犱维广义Wiener过程,对任意紧集犈1,…,犈犿犚犖> ,该文研究了犿项代数和珮犠(犈1)…珮犠(犈犿)的Hausdorff维数,Packing维数和正的Lebesgue测度及内点的存在性. 其结果包含并推广了布朗单的结果. 相似文献