α-AlPO4晶体弹性温度特性的研究

研究了用缓慢升温法生长的α-AlPO₄晶体的弹性温度特性。测量采用传输法,测温范围为-30—150℃;用最小二乘法拟合弹性-温度曲线;用电子计算机处理数据。给出了弹性常数c_ij和s_ij(i,j=1,2,…,6)的温度特性方程以及T₀=25℃时的一级、二级和三级温度系数。 关键词：     

非晶态合金Ni64B36结构的计算机模拟(Ⅱ)——边界条件对模型结构的影响

本文用计算机制作的模拟Ni₆₄B₃₆非晶态合金的结构模型作为初始位形,分别在自由边界、固定边界、周期边界和准动态平衡边界条件下,用不同于以往的松弛方法进行了能量极小化计算。通过分析和对比松弛前后各模型的各种结构参数的变化,讨论了各类边界条件对松弛模型结构的影响。 关键词：     

面内磁场对硬磁泡形成的影响

实验研究了面内磁场对一次脉冲偏磁场作用下外延石榴石薄膜中硬磁泡形成的影响,发现存在一个使硬磁泡不再形成的临界面内磁场H_in⁰,它与材料参量有关,通过实验,运用面内磁场对条状畴的作用和枝状畴的形成,定性解释了软硬磁泡形成的分界场H_[b]随面内磁场增大、快降以及缓降这三个物理过程。 关键词：     

由隧道电子谱微分电导极大值确定超导体能隙的新方法

本文给出一种确定超导体能隙的新方法,由隧道理论计算出V_max/kT与Δ/kT的关系曲线,微分电导极大值电压V_max由隧道电子谱测定,由V_max/kT值及上述曲线很容易计算出能隙Δ值。这种方法很简单,而准确度几乎接近于曲线拟合法。 关键词：     

键合氢对GDa—Si:H薄膜光致发光性质的影响

测量了在不同衬底温度下制备的GDa-Si:H膜的光致发光谱和光吸收谱。实验发现键合氢含量的增加导致光致发光峰强度、发光峰能量、发光带半宽度、Stokes位移和热淬灭的增大。由此导出:(1)键合氢不仅能消除无辐射复合中心,而且能产生辐射复合中心;(2)随着键合氢含量的增加电子-声子相互作用增强,带尾宽度缓慢变窄。 关键词：     

HL-1装置等离子体特性的初步研究

HL-1装置在环向磁场2.3T下运行,获得135kA平衡稳定等离子体,平顶时间160ms。实验表明,环向磁场杂散分量约为纵场的万分之一,导体壳和平衡场基本上能保证等离子体的平衡。观察到的电子温度约500eV,平均电子密度2.8×10~(13)cm~(-3),能量约束时间10ms,有效电荷数小于3,最低稳定运行安全因子2.5,最长放电持续时间1040ms。在对MHD稳定性进行观察的基础上,确定了稳定运行区域;极限密度服从Murakami定标律。     

连续CO2激光辐照加热不锈钢时的反常温度涨落特性

研究了在连续CO₂激光辐照下不锈钢表面的温度涨落特性.实验中用国产HWRX-Ⅲ型红外快速热像仪测量了不锈钢表面的升温过程及温度涨落.发现不锈钢在激光辐照下随辐照时间的增加和温度的升高,其温度涨落的幅度基本保持不变.这与理论预言不符,也不同于已研究过的铝、低碳钢、环氧树脂和有机玻璃等材料.随辐照时间的增加,温度的升高,其温度涨落的幅度基本保持不变.这一特性是由不锈钢的热学参数如热传导率、热扩散率随温度变化的规律所决定的.详细探讨了材料热学参数随温度的变化对温度涨落的影响. 关键词：     

SiH4激光等离子体内H谱线的线型研究

本工作利用光学多道分析仪(OMA Ⅲ)测量了脉冲TEA CO₂激光诱发的SiH₄等离子体内H Balmer系的H_α,H_σ和H_γ线的线型。结果表明,三条谱线的FWHM(半值全宽度)随跃迁上能级的主量子数的增加而增加,即△λ_1/2(H_α)<△λ_1/2(H_β)<△λ_1/2(H_γ)。通过对等离子体内各类加宽机制的讨论,得出等离子体内谱线的主要加宽机制为Stark加宽。由H_α线的实验线型与Stark加宽理论线型的拟合,得到等离子体的两个重要参量,平均电子密度N≈10¹⁷cm^-3,电子温度T≈40 000K。由H_β线的时间分辨测量得到等离子体的电子密度随时间的演变曲线。 关键词：     

多电子原子和离子的等电子系参数的研究 (Ⅰ)——k系数的引入与节点数的校正

从分析比较标准量子亏损理论与最弱受约束电子势模型理论中能量的不同表征方式出发,试引入可以反映原子(离子)体系中屏蔽效应的k校正系数。不同方次的平均值及其它计算结果表明,引入的k系数,不但使直接使用有关等电子系参数进行里德伯系性质的描述很准确,而且在一定程度上反映了这两种系列之间的区别和联系。关于价电子轨道波函数节点数的校正,亦是本文的核心内容之一。 关键词：     

用深能级瞬态谱方法研究赝晶Si/Ge0.25Si0.75/Si单量子阱的价带偏移

应变的Ge_xSi_1-x层和未应变的硅层间的能带偏移主要是价带偏移。量子阱中载流子的热发射能与界面的能带偏移有着密切的关系。本文用深能级瞬态谱(DLTS)研究分子束外延生长的p型Si/Ge_0.25Si_0.75/Si单量子阱的价带偏移,阱宽为15nm,考虑到电场的影响和量子阱中第一子能级的位置,对从DLTS得到的热发射能进行适当的修正,可以计算出Si/Ge_0.25Si_0.75/S 关键词：